3. Kria 硬件设计基础

Kria 系列(K26/K24)以 SOM(System-on-Module)形态交付,核心的 Zynq UltraScale+ MPSoC、DDR4、eMMC、电源管理、启动配置都封装在 SOM 上,开发者真正要设计的是载板(Carrier Card)。因此 Kria 硬件设计的本质是:围绕 SOM 的 3 个 240 pin 高速连接器,把电源、时钟、存储、外设、工业接口和防护电路正确"接出来"。本节按电源树、时钟、DDR 接口、温度等级、EMC 与连接器六个维度展开,并给出可落地的设计要点。

一、载板设计要点与接口边界

Kria SOM 通过 3 个高密度连接器(J1/J2/J3)引出 PS 侧与 PL 侧信号。设计前必须先明确"哪些信号在 SOM 上、哪些必须由载板提供":DDR4、eMMC、QSPI、PMIC、启动拨码、以太网 PHY 的 RGMII 部分通常在 SOM 内;而 USB PHY、DisplayPort、SATA、工业以太网 PHY、CAN/RS485 收发器、SD 卡、风扇、传感器、扩展 FMC 等由载板实现。载板设计的第一原则是严格对照 SOM 引脚表与载板设计指南(Carrier Card Design Guide),尤其是 PS MIO 的复用分配、PL bank 的 VCCO 电压域、以及保留引脚(如 JTAG、MODE、POR)的默认上下拉。

典型载板布局建议:连接器居中,电源与 PMIC 靠近连接器电源引脚,高速差分对(USB3、DP、SATA、GTR)走线尽量短且等长,工业接口与防护器件靠近板边连接器,数字地与模拟/防护地分区。

二、电源树设计

Kria SOM 的输入通常为单一 5V 或 12V 主电源,SOM 内部 PMIC 生成 VCC_PSINT、VCC_PSDDR、VCC_PSAUX、VCC_PLINT 等核心电压。载板需要提供的是外围电源域:3.3V(外设/PHY)、1.8V(部分 MIO bank、SD)、1.2V(DDR 相关或 PL bank)、以及工业接口所需的 5V/24V 隔离电源。电源树设计要关注三点:上电时序(SOM 要求 5V 先于或同步于 3.3V,避免反灌)、每路电流余量(建议 ≥30%)、以及纹波(高速 PHY 供电建议 <30mVpp)。

示例电源树(教学假设):12V 输入 → 12V→5V/6A 降压(供 SOM)→ 5V→3.3V/4A(外设)→ 3.3V→1.8V/2A(MIO/SD)→ 3.3V→1.2V/3A(PL bank)。工业 24V 侧单独经隔离 DC-DC 生成 5V_ISO 供 RS485/CAN 收发器,隔离耐压按 2.5kV 设计。

三、时钟与 DDR 接口

Kria SOM 已集成 PS 参考时钟(33.333MHz)和 DDR 时钟,载板一般只需为PL 逻辑、以太网 PHY、USB PHY、音频、工业总线提供时钟。要点:PHY 时钟尽量用专用晶振而非从 PL 分频,抖动要求高的(如千兆以太网 RGMII、USB3)优先选低抖动振荡器;PL 全局时钟输入应走 MRCC/SRCC 引脚,差分时钟走 100Ω 差分阻抗。

DDR 接口在 Kria 上属于 SOM 内部,载板不直接布 DDR 走线,但必须保证 SOM 的 DDR 供电与参考电压稳定,且载板大电流开关噪声不得耦合到 SOM 的 DDR 电源。若载板扩展了 PL 侧 DDR(部分定制设计),则需按 Fly-by 拓扑、等长(±5mil 组内)、阻抗 40Ω 单端/80Ω 差分、VREF 分压去耦来设计。

Kria 载板硬件设计关系图 Kria SOM MPSoC + DDR4 + eMMC PMIC + 启动配置 J1 / J2 / J3 连接器 电源树 12V 输入 → 5V/6A(SOM) 5V → 3.3V/4A(外设) 3.3V → 1.8V/2A(MIO/SD) 3.3V → 1.2V/3A(PL bank) 时钟与接口 33.333MHz PS 参考(SOM 内) PHY 专用低抖动晶振 PL MRCC/SRCC 全局时钟 100Ω 差分时钟走线 工业温度等级 • 商业级 0~70℃ • 工业级 -40~85℃(推荐) • 扩展级 -40~105℃(需降额) • 关注 TJ 与散热片/风道 • 晶振/PHY 选工业温区器件 • 电解电容避免低温失效 EMC 防护 • 电源入口:TVS + 共模电感 • 信号线:ESD 阵列(±8kV 接触) • 以太网:隔离变压器 + Bob Smith • RS485/CAN:隔离 + 共模扼流 • 地平面分割与单点连接 • 屏蔽罩与滤波电容就近放置 连接器选型 • 工业:M12 / 凤凰端子 • 高速:SMA / HD-BNC / FMC • 板对板:0.5mm 高密度 • 电流/电压额定留 30% 余量 • 插拔寿命 ≥500 次 • 防呆、锁扣、屏蔽外壳

四、工业温度等级与散热

Kria K26 提供商业级(0~70℃)与工业级(-40~85℃)两种温度等级,工业级型号在芯片筛选、封装和时序上都做了保证。选型时不能只看环境温度,还要看结温 TJ:MPSoC 在高负载 PL 逻辑下功耗可达 8~15W,若载板散热不足,TJ 会迅速超过 100℃。工程做法是:在 SOM 背面加导热垫 + 铝散热片,必要时加风扇;载板布局避免把发热器件(DC-DC、功率 MOS)紧贴 SOM;工业级晶振、PHY、电解电容必须选 -40~85℃ 或更宽温区。

五、EMC 防护与连接器选型

工业现场 EMC 要求通常按 IEC 61000-4 系列:ESD 接触 ±8kV、EFT ±2kV、浪涌 ±1kV(电源)/±2kV(信号)。载板防护策略是"分级泄放":电源入口用 TVS + 共模电感 + X/Y 电容;信号线用 ESD 阵列(如 USB、RS485、CAN);以太网用隔离变压器 + Bob Smith 端接;RS485/CAN 用隔离收发器 + 共模扼流圈。地平面要分区,数字地与防护地通过单点或磁珠连接,避免噪声串扰。

连接器选型要匹配场景:工业现场优先 M12(防振、防水)或凤凰端子(接线方便);高速信号用 SMA/HD-BNC;板间扩展用 0.5mm 高密度板对板连接器;FMC 用于扩展卡。选型时核对额定电流/电压(留 30% 余量)、插拔寿命(≥500 次)、防呆与锁扣、屏蔽外壳接地。

设计检查建议:① 对照 SOM 引脚表逐条核对 MIO/PL 分配;② 电源上电时序用示波器实测 5V/3.3V/1.8V 上升沿;③ DDR 供电纹波 <30mVpp;④ 工业级器件温区确认;⑤ EMC 预测试至少做 ESD 与 EFT。

综上,Kria 载板设计的核心是"边界清晰、电源干净、时钟低抖、防护到位、连接可靠"。把电源树、时钟、温度、EMC 和连接器五件事在原理图阶段就定清楚,后续调试和量产会顺利得多。