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本课程属于：002-先进光刻与EUV制造工程 芯片硬件与光电工程 · 共 5 门相关课程，组合学习更完整。
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High-NA EUV光刻与成像工程

共计 30 章节
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01
课程导入
目标=High-NA EUV光刻的技… · 学习目标 · 核心概念与整体课程框架
课程导入High-NA
02
光刻技术演进
目标=从DUV到EUV再到High-… · 关键节点与产业意义
光刻技术演进DUV
03
EUV光源基础
目标=锡等离子体光源 · 5nm波长产生机制 · 光源功率与稳定性要求
EUV光源基础
04
High-NA EUV光学系统
目标=数值孔径提升原理 · 反射镜设计 · 多层膜与波前控制
High-NAEUV
05
成像理论核心
目标=部分相干成像 · 傅里叶光学 · 分辨率极限与瑞利判据的修正
成像理论核心目标=部分相干成…
06
掩模与照明技术
目标=反射式掩模 · 掩模3D效应 · 离轴照明与自由照明优化
掩模照明技术
07
光刻胶与工艺
目标=High-NA EUV光刻胶要… · 随机效应 · 灵敏度与分辨率权衡
光刻胶工艺
08
计算光刻方法
目标=OPC · SRAF · ILT
计算光刻方法OPC
09
成像仿真流程
目标=从掩模到晶圆的光强计算 · 光刻胶模型与工艺窗口分析
成像仿真流程目标=从掩模到晶…
10
分辨率增强技术
目标=相移掩模 · 偏振控制 · 光源掩模协同优化（SMO）
分辨率增强技术目标=相移掩模
11
High-NA EUV系统集成
目标=曝光工具架构 · 真空系统 · 晶圆台与对准技术
High-NAEUV
12
工艺窗口与良率
目标=DOF · EL · MEEF
工艺窗口良率
13
随机效应与噪声
目标=光子散粒噪声 · 光刻胶分子噪声 · 线边缘粗糙度（LER）
随机效应噪声
14
掩模制造与检测
目标=电子束写入 · 缺陷修复 · 掩模保护膜与检测技术
掩模制造检测
15
量测与表征
目标=CD-SEM · 散射测量 · AFM
量测表征
16
刻蚀与图形转移
目标=High-NA光刻后的刻蚀选择… · 形貌控制与集成挑战
刻蚀图形转移
17
三维集成与先进封装
目标=High-NA EUV在3D… · DRAM与逻辑器件中的应用
三维集成先进封装
18
设计规则与DFM
目标=High-NA EUV对设计规… · 布局与可制造性的影响
DFM设计规则
19
案例实战一
目标=2nm逻辑节点金属层High-…
案例实战一nm
20
案例实战二
目标=High-NA EUV接触孔与…
案例实战二High-NA
21
案例实战三
目标=基于SMO的High-NA E…
案例实战三SMO
22
常见问题一
目标=High-NA EUV光刻中的…
常见问题一High-NA
23
常见问题二
目标=如何平衡光刻胶灵敏度 · 分辨率与随机效应
常见问题二目标=如何平衡光…
24
常见问题三
目标=High-NA EUV系统的波…
常见问题三High-NA
25
常见问题四
目标=High-NA EUV工艺中的…
常见问题四High-NA
26
综合提升一
目标=High-NA EUV与多重曝… · 定向自组装技术的融合路径
综合提升一High-NA
27
综合提升二
目标=High-NA EUV光刻的经… · 产能与成本分析
综合提升二High-NA
28
综合提升三
目标=High-NA EUV成像工程…
综合提升三High-NA
29
综合提升四
目标=High-NA EUV技术路线…
综合提升四High-NA
30
课程总结
目标=知识体系回顾 · 核心能力自评 · 项目实战建议与延伸学习资源
课程总结目标=知识体系回…