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本课程属于：002-先进光刻与EUV制造工程 芯片硬件与光电工程 · 共 5 门相关课程，组合学习更完整。
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High-NA EUV导入先进逻辑节点的工艺整合项目

共计 30 章节
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01
课程导入
目标=High-NA EUV技术背景 · 先进逻辑节点演进趋势 · 工艺整合项目目标与学习路径
课程导入High-NA
02
光刻基础回顾
目标=EUV光源 · 5nm波长 · 反射式光学系统
光刻基础回顾EUV
03
High-NA EUV核心概念
目标=数值孔径定义 · 55 NA与0.33 NA对比 · 分辨率提升
High-NAEUV
04
High-NA EUV光学系统
目标=变形物镜设计 · 阳极/阴极反射镜 · 中心遮拦问题
High-NAEUV
05
High-NA EUV掩模技术
目标=掩模三维效应 · 阴影效应 · 掩模偏差
High-NAEUV
06
High-NA EUV光刻胶
目标=金属氧化物光刻胶 · 化学放大胶 · 光刻胶厚度减薄
High-NAEUV
07
High-NA EUV工艺窗口
目标=曝光宽容度 · 焦深预算 · 线宽粗糙度
High-NAEUV
08
先进逻辑节点工艺整合概述
目标=FinFET到GAA/纳米片 · 互连层 · 接触层
先进逻辑节点工艺…FinFET
09
High-NA EUV导入流程
目标=需求分析 · 设备选型 · 工艺基线建立
High-NAEUV
10
工艺整合方法
目标=设计-工艺协同优化 · 设计规则检查 · 光学邻近效应修正
工艺整合方法目标=设计
11
High-NA EUV与多重曝光
目标=LELE · SADP · SAQP对比
High-NAEUV
12
关键层应用
目标=金属层 · 通孔层 · 栅极层
关键层应用目标=金属层
13
套刻与对准
目标=套刻精度要求 · 对准标记设计 · 晶圆形变
套刻对准
14
缺陷控制与良率
目标=随机缺陷 · 系统缺陷 · 掩模缺陷
缺陷控制良率
15
计量与检测
目标=CD-SEM · 散射测量 · 原子力显微镜
计量检测
16
刻蚀与沉积整合
目标=High-NA光刻胶图形转移 · 原子层刻蚀 · 选择性刻蚀
刻蚀沉积整合
17
薄膜与材料整合
目标=高介电常数金属栅 · 功函数金属 · 应变工程
薄膜材料整合
18
热预算与工艺顺序
目标=High-NA EUV曝光前后… · 掺杂激活 · 硅化物形成
热预算工艺顺序
19
设备与基础设施
目标=High-NA EUV扫描仪 · 光源功率 · 真空系统
设备基础设施
20
工艺控制与统计
目标=统计过程控制 · 先进过程控制 · 虚拟计量
工艺控制统计
21
案例实战一
目标=3nm节点金属层High-NA…
案例实战一nm
22
案例实战二
目标=2nm节点纳米片栅极切割层Hi…
案例实战二nm
23
案例实战三
目标=High-NA EUV与多重曝…
案例实战三High-NA
24
常见问题一
目标=中心遮拦与视场拼接导致的对准和…
常见问题一目标=
25
常见问题二
目标=光刻胶随机缺陷与线宽粗糙度在H…
常见问题二目标=光刻胶随机…
26
常见问题三
目标=掩模三维效应与阴影效应在Hig…
常见问题三Hig
27
常见问题四
目标=High-NA EUV产能与成…
常见问题四High-NA
28
综合提升一
目标=从工艺整合角度构建High-N…
综合提升一High-N
29
综合提升二
目标=跨模块协同优化——光刻 · 刻蚀 · 沉积
综合提升二目标=跨模块协同…
30
课程总结与展望
目标=High-NA EUV未来演进 · Hyper-NA · 工艺整合新范式
课程总结High-NA