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模型验证方法：SPICE模型原理与MOSFET建模工程

共计 30 章节

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SPICE的历史 · 发展历程 · 在集成电路设计中的核心地位

SPICE语法基础

网表结构 · 元件声明 · 分析语句（.DC/.AC/.TRAN…

SPICE语法基础

半导体物理基础

能带理论 · 载流子浓度 · 迁移率

半导体物理基础能带理论

MOSFET器件结构

平面MOSFET结构 · 沟道形成 · 阈值电压概念

MOSFET器件结构

MOSFET工作原理

线性区与饱和区 · 跨导 · 输出特性曲线

MOSFET工作原理

MOSFET小信号模型

跨导gm · 输出电阻ro · 栅源电容Cgs

MOSFET小信号模型

Level 1模型（Shichman-Hodges）

模型方程 · 参数提取 · 局限性分析

LevelShichman-Hod…

Level 2模型（几何与物理模型）

短沟道效应 · 窄沟道效应 · 体效应

Level 3模型（半经验模型）

经验参数 · 迁移率退化 · 速度饱和

BSIM3v3模型概述

BSIM系列发展 · 模型架构 · 核心方程

BSIM3v3模型概述

BSIM3v3阈值电压模型

Vth公式 · 体效应系数 · DIBL效应建模

BSIM3v3阈值电压模型

BSIM3v3迁移率模型

垂直场迁移率退化 · 横向场速度饱和

BSIM3v3迁移率模型

BSIM3v3输出电导模型

CLM效应 · DIBL效应 · 衬底电流诱导体效应

BSIM3v3输出电导模型

BSIM3v3电容模型

本征电容 · 交叠电容 · 结电容模型

BSIM3v3电容模型

BSIM4模型新特性

栅极漏电流模型 · 源/漏电阻模型 · 噪声模型

BSIM4模型新特性

BSIM4射频模型

非准静态效应 · 衬底网络 · 寄生参数提取

BSIM4射频模型

表面势基模型 · 与BSIM对比 · 精度与收敛性

基于表面势的紧凑模型 · 沟道长度调制效应

模型参数提取流程

测试结构设计 · DC测量 · CV测量

模型参数提取流程测试结构设计

参数提取工具

IC-CAP · MBP · BSIMProPlus使用简介

参数提取工具IC-CAP

模型验证方法

单器件验证 · 统计验证 · 温度验证

模型验证方法单器件验证

统计建模与工艺角

Monte Carlo分析 · 全局/局部失配 · 工艺角模型

统计建模工艺角

温度效应建模

阈值电压温度系数 · 迁移率温度系数 · 自热效应

温度效应建模阈值电压温度系数

热噪声 · 闪烁噪声（1/f噪声） · 散粒噪声

噪声模型热噪声

栅极漏电流建模

直接隧穿 · Fowler-Nordheim隧穿 · 栅感应漏电流

栅极漏电流建模直接隧穿

SOI MOSFET建模

部分耗尽与全耗尽 · 浮体效应 · 自热效应

FinFET与GAA建模

多栅结构 · 量子效应 · 寄生电容建模

功率MOSFET建模

垂直结构 · 漂移区电阻 · 温度特性

模型标准与互操作性

Verilog-A语言 · 标准模型接口 · 模型库管理

模型标准互操作性

SPICE模型在电路设计中的应用

模拟电路仿真 · 数字电路时序 · 混合信号验证