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MOSFET建模：SPICE模型原理与模型验证方法

共计 30 章节
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01
MOSFET器件物理基础
MOSFET结构 · 工作原理 · 阈值电压
MOSFET器件物理基础
02
SPICE模型概述
SPICE仿真器简介 · MOSFET模型发展史（Level… · 2
SPICE模型概述
03
Level 1 SPICE模型
Shichman-Hodges模型 · 大信号模型 · 小信号模型
LevelSPICE
04
Level 2 SPICE模型
几何效应 · 短沟道效应 · 窄沟道效应
LevelSPICE
05
Level 3 SPICE模型
半经验模型 · 短沟道修正 · 速度饱和
LevelSPICE
06
BSIM3v3模型原理
阈值电压模型 · I-V模型 · C-V模型
BSIM3v3模型原理
07
BSIM4模型新特性
栅极漏电流 · 源/漏电阻 · 衬底电流
BSIM4模型新特性
08
PSP模型
表面势基模型 · 对称性 · 沟道长度调制
PSP模型
09
HiSIM模型
基于表面势的紧凑模型 · 漂移扩散近似 · 自热效应
HiSIM模型
10
MOSFET直流特性建模
输出特性 · 转移特性 · 跨导
MOSFET直流特性建模
11
MOSFET交流与射频建模
C-V特性 · 截止频率fT · 最大振荡频率fmax
MOSFET交流
12
MOSFET噪声模型
热噪声 · 闪烁噪声 · 散粒噪声
MOSFET噪声模型
13
MOSFET温度效应建模
温度对阈值电压 · 迁移率 · 饱和电流的影响
MOSFET温度效应建模
14
MOSFET几何缩放效应
W/L效应 · STI应力 · LOD效应
MOSFET几何缩放效应
15
MOSFET失配建模
随机掺杂涨落 · 线边缘粗糙度 · 工艺波动模型
MOSFET失配建模
16
MOSFET自热效应
热阻 · 热容 · 瞬态自热
MOSFET自热效应
17
SOI MOSFET建模
部分耗尽 · 全耗尽 · 浮体效应
SOIMOSFET
18
FinFET与多栅器件建模
三维结构 · 量子限制 · BSIM-CMG
FinFET多栅器件建模
19
GaN HEMT建模
极化效应 · 二维电子气 · 陷阱效应
GaNHEMT
20
SiC MOSFET建模
宽禁带特性 · 高场迁移率 · 栅氧化层可靠性
SiCMOSFET
21
SPICE模型参数提取方法
DC参数提取 · AC参数提取 · 优化算法
SPICE模型参数提取方法
22
模型验证基础
IV曲线拟合 · CV曲线拟合 · 误差分析
模型验证基础IV
23
直流模型验证
输出特性验证 · 转移特性验证 · 跨导验证
直流模型验证输出特性验证
24
交流模型验证
C-V曲线验证 · fT验证 · S参数验证
交流模型验证C-V
25
温度模型验证
高温特性 · 低温特性 · Arrhenius图
温度模型验证高温特性
26
统计模型验证
蒙特卡洛仿真 · 失配仿真 · 工艺角验证
统计模型验证蒙特卡洛仿真
27
射频模型验证
大信号谐波平衡 · 负载牵引 · IMD验证
射频模型验证大信号谐波平衡
28
模型收敛性与鲁棒性
收敛问题 · 非物理行为 · 平滑性检查
模型收敛性鲁棒性
29
BSIM模型参数集组织
模型卡 · 参数层级 · 工艺角定义
BSIM模型参数集组织
30
先进建模趋势
机器学习辅助建模 · 紧凑模型标准化 · Verilog-A建模
先进建模趋势机器学习辅助建模