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工艺集成FinFET与GAA器件制造流程关键工艺对比

共计 30 章节
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01
课程导论
FinFET与GAA器件的发展背景 · 技术驱动力及课程目标
课程导论FinFET
02
器件基础对比
FinFET与GAA的器件结构 · 沟道控制机制与关键电学参数对比
器件基础对比FinFET
03
衬底与初始晶圆
SOI衬底 vs 体硅衬底在FinF…
衬底初始晶圆
04
有源区定义
FinFET鳍片（Fin）刻蚀工艺…
有源区定义FinFET
05
浅槽隔离（STI）
FinFET的STI填充与回刻工艺…
STI浅槽隔离
06
阱与阈值电压（Vt）调整
离子注入工艺在两种器件中的差异与挑战
Vt阈值电压
07
栅极堆栈（High-k/Metal Gate）
HKMG沉积 · 退火工艺在FinFET与GAA中的共…
High-k/MetalGate
08
牺牲层与释放工艺（GAA关键）
SiGe牺牲层选择性刻蚀与纳米片释放…
GAA牺牲层
09
虚设栅极（Dummy Gate）工艺
多晶硅虚设栅极的沉积 · 光刻与刻蚀在两种器件中的对比
DummyGate
10
侧墙（Spacer）工艺
氮化硅侧墙的沉积与回刻 · 以及其在自对准工艺中的作用
Spacer侧墙
11
源漏（S/D）凹槽刻蚀
FinFET与GAA中源漏区域刻蚀的…
S/D源漏
12
源漏外延（EPI）
SiGe或SiP外延生长工艺在两种器…
EPI源漏外延
13
接触孔（Contact）刻蚀
自对准接触（SAC）工艺在FinFE…
Contact接触孔
14
硅化物（Silicide）工艺
镍铂硅化物（NiPtSi）形成工艺及…
Silicide硅化物
15
后段制程（BEOL）集成
铜互连 · 低k介质与通孔工艺在两种器件中的兼容…
BEOL后段制程
16
关键光刻技术对比
多重图形化（LELE · SADP）在FinFET鳍片与GAA…
关键光刻技术对比LELE
17
刻蚀工艺对比
各向异性刻蚀在FinFET高深宽比鳍…
刻蚀工艺对比FinFET
18
薄膜沉积工艺对比
原子层沉积（ALD）在HKMG与功函…
薄膜沉积工艺对比ALD
19
化学机械抛光（CMP）工艺
栅极平坦化与金属层平坦化在两种器件中…
CMP化学机械抛光
20
热预算管理
快速热退火（RTP）与尖峰退火在两种…
热预算管理RTP
21
应力工程技术
源漏应力与栅极应力在FinFET与G…
应力工程技术FinFET
22
功函数金属（WFM）工程
不同金属层（TiN · TaN · Al）在两种器件中的堆叠与调Vt策略
WFM功函数金属
23
寄生电容与电阻优化
FinFET与GAA在降低RC延迟方…
寄生电容电阻优化
24
可靠性工艺考量
负偏压温度不稳定性（NBTI）与热载…
可靠性工艺考量NBTI
25
3D堆叠与集成
GAA器件在3D IC集成中的工艺优…
3D堆叠集成
26
工艺变异控制
线宽粗糙度（LWR）与鳍片/纳米片厚…
工艺变异控制LWR
27
缺陷控制与良率
外延缺陷 · 刻蚀残留与颗粒污染在两种器件中的关键…
缺陷控制良率
28
工艺仿真与TCAD
Sentaurus等工具在FinFE…
TCAD工艺仿真
29
未来技术展望
CFET（互补FET） · 2D材料GAA与FinFET的演进路…
未来技术展望CFET
30
课程总结与综合对比
FinFET与GAA全流程工艺集成关…
课程总结综合对比