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深亚微米CMOS工艺BSIM模型与SPICE建模全流程

共计 30 章节
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01
半导体物理基础
能带理论 · 载流子浓度 · 迁移率与电阻率
半导体物理基础能带理论
02
MOSFET器件结构与工作原理
MOS电容 · 阈值电压 · 沟道电流
MOSFET器件结构
03
短沟道效应（SCE）
阈值电压滚降 · DIBL效应 · 沟道长度调制效应
SCE短沟道效应
04
深亚微米工艺挑战
栅氧化层隧穿 · 高k介质 · 应变硅技术
深亚微米工艺挑战栅氧化层隧穿
05
BSIM模型发展史
BSIM1 · BSIM2 · BSIM3
BSIM模型发展史
06
BSIM4模型架构
核心模型 · 寄生模型 · 噪声模型
BSIM4模型架构
07
BSIM4模型参数分类
工艺参数 · 电学参数 · 几何参数
BSIM4模型参数分类
08
阈值电压模型
Vth0 · K1 · K2
阈值电压模型Vth0
09
迁移率模型
U0 · UA · UB
迁移率模型U0
10
输出电导与沟道长度调制
PCLM · PDIBL1 · PDIBL2
输出电导沟道长度调制
11
亚阈值区模型
NFACTOR · CDSC · CDSCD
亚阈值区模型NFACTOR
12
栅极漏电流模型
IGC · IGS · IGD
栅极漏电流模型IGC
13
源漏寄生电阻模型
RDSW · RDSWMIN · PRWB
源漏寄生电阻模型RDSW
14
结电容与结漏电流模型
CJ · CJSW · CJSWG
结电容结漏电流模型
15
温度效应模型
TNOM · TCVTH · TCVTHL
温度效应模型TNOM
16
噪声模型
闪烁噪声（KF · AF） · 热噪声（NLEV）
噪声模型KF
17
几何缩放模型
L · W · MULT
几何缩放模型L
18
BSIM-CMG模型
FinFET结构 · 多栅极模型 · 背偏效应
BSIM-CMG模型
19
BSIM-IMG模型
SOI结构 · 浮体效应 · 自加热效应
BSIM-IMG模型
20
SPICE仿真器基础
HSPICE · Spectre · ngspice语法
SPICE仿真器基础
21
BSIM模型卡定义
.MODEL语句 · LEVEL=14 · 参数赋值
BSIM模型卡定义
22
MOSFET直流特性仿真
Id-Vgs曲线 · Id-Vds曲线 · 跨导gm
MOSFET直流特性仿真
23
MOSFET交流与射频仿真
Cgg-Vgs曲线 · 截止频率fT · 最大振荡频率fmax
MOSFET交流
24
MOSFET噪声仿真
噪声系数NF · 最小噪声系数NFmin · 等效噪声电阻Rn
MOSFET噪声仿真
25
模型参数提取流程
测试结构设计 · I-V/C-V测试 · 参数优化
模型参数提取流程测试结构设计
26
参数提取工具
IC-CAP · MBP · MQA
参数提取工具IC-CAP
27
模型验证与校准
全局误差分析 · 温度/尺寸/偏置扫描 · 统计模型
模型验证校准
28
统计建模与工艺角
Monte Carlo分析 · FF/SS/TT/FS/SF工艺角 · 失配模型
统计建模工艺角
29
BSIM模型在电路设计中的应用
反相器链 · 环形振荡器 · LNA
BSIM模型
30
未来趋势
先进节点（3nm/2nm）建模挑战 · 机器学习辅助建模 · 紧凑模型标准化
未来趋势nm/2nm