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器件仿真与C-V特性校准实战

共计 30 章节
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01
半导体物理基础回顾
能带理论 · 载流子浓度 · 费米能级
半导体物理基础回…能带理论
02
PN结原理
耗尽层近似 · 内建电势 · 能带图
PN结原理
03
MOS电容基础
MOS结构 · 平带电压 · 阈值电压
MOS电容基础
04
C-V特性理论
高频与低频C-V曲线 · 理想C-V曲线推导 · 频率效应
C-V特性理论
05
Sentaurus TCAD环境搭建
Sentaurus Workbenc… · 项目创建 · 文件结构解析
SentaurusTCAD
06
Sentaurus结构编辑器(SDE)
几何定义 · 掺杂分布 · 网格划分策略
SentaurusSDE
07
Sentaurus器件模拟器(SDevice)
物理模型选择 · 接触定义 · 求解器设置
SentaurusSDevice
08
Inspect可视化工具
波形查看 · 数据导出 · 曲线叠加与比较
Inspect可视化工具
09
Python与TCAD接口
使用Python调用Sentauru… · 批量生成sde/sdevice脚本
PythonTCAD
10
Python数据处理库
NumPy数组操作 · SciPy滤波与拟合 · Matplotlib绘图基础
Python数据处理库
11
C-V曲线仿真流程
从结构定义到C-V扫描的完整脚本编写
C-V曲线仿真流程
12
理想C-V曲线生成
无界面态 · 均匀掺杂情况下的仿真与验证
C-V理想
13
非理想效应引入
界面陷阱电荷 · 固定氧化物电荷 · 可移动离子电荷
非理想效应引入界面陷阱电荷
14
掺杂分布对C-V的影响
均匀掺杂 · 高斯掺杂 · 阶梯掺杂的C-V曲线对比
C-V掺杂分布对
15
频率效应仿真
不同频率下C-V曲线的变化 · 陷阱响应时间
频率效应仿真C-V
16
温度效应仿真
温度对阈值电压 · 本征载流子浓度 · C-V曲线的影响
温度效应仿真温度对阈值电压
17
量子效应修正
量子力学效应在C-V仿真中的引入 · 密度梯度模型
量子效应修正C-V
18
C-V曲线提取参数
平带电容法 · 最大斜率法提取阈值电压 · 掺杂浓度
C-V曲线提取参数
19
Python自动提取参数
编写脚本自动识别平带电压 · 阈值电压 · 氧化层厚度
Python自动提取参数
20
实验数据导入与预处理
读取实验C-V数据 · 去噪 · 归一化
实验数据导入预处理
21
仿真与实验数据对齐
坐标对齐 · 电容值缩放 · 频率匹配策略
仿真实验数据对齐
22
校准参数优化
手动调参流程 · 关键参数敏感性分析
校准参数优化手动调参流程
23
自动化校准算法
基于最小二乘法的参数拟合 · 梯度下降优化
自动化校准算法基于最小二乘法的…
24
Python优化库应用
使用SciPy.optimize进行…
Python优化库应用
25
校准案例1
MOS电容C-V校准——氧化层厚度与…
校准案例1MOS
26
校准案例2
考虑界面态的C-V校准——界面态密度…
校准案例2C-V
27
校准案例3
非均匀掺杂MOS的C-V校准——掺杂…
校准案例3MOS
28
校准结果评估
拟合优度(R²) · 残差分析 · 校准置信区间
校准结果评估拟合优度
29
报告生成与可视化
自动生成校准报告 · C-V对比图 · 参数表格
报告生成可视化
30
课程总结与进阶方向
先进MOS结构 · 可靠性仿真 · 机器学习辅助校准
课程总结进阶方向