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工艺波动下HKMG栅极工程的热载流子效应防护实战

共计 30 章节
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01
HKMG工艺基础
HKMG（高K金属栅极）的器件结构 · 材料选择（HfO2 · TiN等）及其在先进节点中的优势
HKMG工艺基础
02
热载流子效应（HCI）物理机制
沟道热载流子注入 · 衬底热载流子生成 · 界面态与氧化层陷阱的微观机理
HCI热载流子效应
03
HCI对HKMG器件的影响
阈值电压漂移 · 跨导退化 · 漏电流增加及寿命预测模型（Lucky…
HCIHKMG
04
工艺波动来源分析
栅极功函数波动 · 高K介质厚度波动 · 界面层（IL）厚度波动
工艺波动来源分析栅极功函数波动
05
波动对HCI敏感性的影响
不同工艺波动参数对HCI退化速率的蒙…
HCI波动对
06
HCI防护设计原则
降低峰值电场 · 优化载流子能量分布 · 减少界面态生成率的通用策略
HCI防护设计原则
07
栅极工程之功函数调谐
通过金属栅叠层（TiN/TaN/Al… · 平衡Vth与HCI可靠性
栅极工程之功函数…TiN/TaN/Al
08
高K介质优化
HfO2掺杂（Si · Al · La）对陷阱密度和HCI耐受性的影响
高K介质优化HfO2
09
界面层工程
SiO2/SiON界面层厚度与氮化工…
界面层工程SiO2/SiON
10
栅极应力工程
利用CESL（接触刻蚀停止层）应力调…
栅极应力工程CESL
11
工艺波动下的HCI寿命评估方法
基于统计分布的寿命预测（Weibul… · 对数正态分布）
HCI工艺波动下的
12
TCAD仿真设置
Sentaurus/Medici中H… · Carrier Temperatur…
TCAD仿真设置
13
波动仿真方法
ACV（先进工艺波动）模型在HCI仿…
波动仿真方法ACV
14
栅极氧化层厚度波动仿真
分析1%厚度波动对HCI退化曲线的影…
栅极氧化层厚度波…HCI
15
功函数波动仿真
金属栅晶粒取向随机性导致的功函数波动…
功函数波动仿真金属栅晶粒取向随…
16
HCI防护之栅极侧墙优化
侧墙材料（SiN/SiON）与形状对…
HCI防护之栅极侧墙优…
17
HCI防护之轻掺杂漏（LDD）优化
LDD注入剂量与能量对HCI的权衡
HCILDD
18
HCI防护之晕环（Halo）注入优化
Halo注入角度与剂量对沟道电场分布…
HCIHalo
19
HCI防护之栅极功函数金属叠层设计
多层金属（TiN/TaN/TiAl）…
HCI防护之栅极功函数…
20
工艺波动下的HCI防护窗口
定义工艺参数允许的波动范围（Proc…
HCI工艺波动下的
21
HCI与负偏压温度不稳定性（NBTI）的协同优化
HKMG中HCI与NBTI的耦合效应…
HCINBTI
22
HCI防护之版图设计技巧
多指栅 · 环形栅（Ring FET）对HCI的…
HCI防护之版图设计技…
23
HCI防护之电路级考虑
模拟电路中的HCI退化补偿技术（偏置… · 冗余设计）
HCI防护之电路级考虑
24
HCI测试结构设计
专用HCI测试键（Test Key）…
HCI测试结构设计
25
HCI数据提取与分析
从测试数据提取退化参数（ΔVth · ΔGm）并拟合寿命模型
HCI数据提取
26
工艺波动下的HCI可靠性筛选
基于统计的筛选标准（Outlier…
HCI工艺波动下的
27
HCI防护之先进工艺集成
FinFET/GAA结构中HCI的特…
HCI防护之先进工艺集…
28
HCI防护之机器学习应用
利用神经网络预测工艺波动下的HCI寿…
HCI防护之机器学习应…
29
HCI防护实战案例1
28nm HKMG工艺中HCI失效分…
HCI防护实战案例1
30
HCI防护实战案例2
14nm FinFET工艺中HCI波…
HCI防护实战案例2