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先进CMOS工艺ESD防护结构设计与参数调优

共计 30 章节
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01
ESD防护概述
ESD现象与危害 · CMOS工艺中的ESD失效机制 · 课程目标与学习路径
ESD防护概述
02
ESD测试模型
人体模型(HBM) · 机器模型(MM) · 充电器件模型(CDM)的测试原理与标…
ESD测试模型
03
先进CMOS工艺挑战
工艺缩小的ESD影响 · 低电压器件与高电压器件的ESD鲁棒性…
CMOS先进
04
ESD防护器件基础
二极管 · 双极型晶体管(BJT) · MOSFET在ESD下的工作模式
ESD防护器件基础
05
GGNMOS结构
栅极接地NMOS的工作原理 · 触发电压与维持电压 · 寄生BJT效应
GGNMOS结构
06
GCNMOS与GDTMOS
栅极耦合NMOS · 栅极驱动NMOS的结构设计与触发机制
GCNMOSGDTMOS
07
SCR结构
硅控整流器(SCR)的I-V特性 · 触发机制 · 在先进工艺中的优势与挑战
SCR结构
08
LVTSCR与MLSCR
低电压触发SCR · 改进型SCR的设计原理与参数优化
LVTSCRMLSCR
09
二极管串与二极管链
正向/反向二极管串的ESD性能 · 串联数量与漏电的权衡
二极管串二极管链
10
电源钳位电路
基于RC的电源钳位 · 基于BJT的电源钳位 · 瞬态响应设计
电源钳位电路RC
11
ESD防护网络设计
I/O到电源 · I/O到地 · 电源到地之间的全芯片防护网络拓扑
ESD防护网络设计
12
版图布局基础
ESD器件的版图规则 · 接触孔间距 · 金属线宽与电流均匀性
版图布局基础ESD
13
版图参数调优
叉指结构 · 源/漏区长度 · 硅化物阻挡层(SAB)对ESD性能的…
版图参数调优叉指结构
14
触发电压调优
通过版图与工艺参数调整触发电压(Vt…
触发电压调优Vt
15
维持电压与闩锁
维持电压与电源电压的关系 · 闩锁效应抑制技术
维持电压闩锁
16
电流均匀性设计
多指器件开启均匀性 · 镇流电阻(Ballast Resis…
电流均匀性设计多指器件开启均匀…
17
工艺集成影响
STI · LDD · 硅化物
工艺集成影响STI
18
TCAD仿真基础
Sentaurus/Medici仿真… · ESD器件I-V特性仿真设置
TCAD仿真基础
19
TCAD参数提取
从仿真中提取触发电压 · 维持电压 · 失效电流(It2)与热分布
TCAD参数提取
20
紧凑模型与SPICE仿真
ESD器件的紧凑模型建立 · 全芯片ESD网络SPICE仿真
SPICE紧凑模型
21
TLP测试技术
传输线脉冲(TLP)测试原理 · 测试系统搭建 · 数据解读方法
TLP测试技术
22
HBM与CDM测试
HBM测试标准 · CDM测试标准 · 失效判据与良率分析
HBMCDM
23
失效分析技术
EMMI · OBIRCH · SEM/FIB在ESD失效定位中的应…
失效分析技术EMMI
24
I/O电路ESD设计
数字I/O · 模拟I/O · 高速I/O的ESD防护差异化设计
I/OESD
25
射频与毫米波ESD
射频电路对ESD寄生电容的约束 · 低电容ESD结构设计
ESD射频
26
高压工艺ESD
BCD工艺 · LDMOS器件的ESD设计 · HV-SCR与HV二极管
ESD高压工艺
27
先进FinFET工艺ESD
FinFET结构对ESD的影响 · 纳米片与GAA器件的ESD挑战
FinFETESD
28
ESD设计窗口
定义设计窗口 · Vt1与Vh的优化空间 · 漏电与鲁棒性的权衡
ESD设计窗口
29
参数调优案例
基于28nm工艺的GGNMOS参数调…
参数调优案例nm
30
课程总结与前沿趋势
ESD设计自动化 · 机器学习在ESD优化中的应用 · 未来工艺展望
课程总结前沿趋势