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半导体工艺与制造设备
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006-先进CMOS工艺
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《先进CMOS工艺漏电流抑制与ESD防护的协同设计案例》
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先进CMOS工艺漏电流抑制与ESD防护的协同设计案例
共计 30 章节
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01
课程导论
漏电流与ESD防护的矛盾与协同设计理…
课程导论
ESD
02
先进CMOS工艺节点下的漏电流机制
亚阈值 · 栅极 · GIDL
CMOS
先进
03
ESD防护基础
HBM · CDM · MM模型与失效机理
ESD
防护基础
04
协同设计挑战
工艺缩进对漏电与ESD窗口的影响
协同设计挑战
ESD
05
低漏电ESD器件结构
GGNMOS · GCNMOS · SCR
ESD
低漏电
06
堆叠MOSFET技术
多栅堆叠降低漏电与维持ESD鲁棒性
MOSFET
堆叠
07
反向偏置技术
衬底偏置与阱偏置对漏电与触发电压的权…
反向偏置技术
衬底偏置
08
栅极工程
高k金属栅极对漏电与ESD性能的影响
栅极工程
ESD
09
SOI与FinFET工艺中的漏电与ESD协同优化。
SOI与FinFET工艺中的漏电与ESD… · 核心概念 · 实践要点
SOI
FinFET
10
动态阈值MOSFET (DTMOS) 在ESD中的应用。
动态阈值MOSFET (DTMOS) 在… · 核心概念 · 实践要点
MOSFET
DTMOS
11
RC触发有源钳位电路
低漏电设计与快速响应
RC
触发有源钳位电路
12
基于BJT的ESD防护结构
寄生BJT触发与漏电抑制
BJT
ESD
13
二极管串与齐纳二极管
低漏电钳位方案
二极管串
齐纳二极管
14
混合模式仿真方法
漏电与ESD瞬态协同仿真流程
混合模式仿真方法
ESD
15
TCAD仿真案例
漏电流与TLP曲线联合分析
TCAD
仿真案例
16
版图布局技术
多指结构 · 镇流电阻与漏电均匀性
版图布局技术
多指结构
17
工艺波动性分析
PVT对漏电与ESD阈值的影响
工艺波动性分析
PVT
18
温度效应
高温漏电与ESD鲁棒性的退化与补偿
温度效应
ESD
19
电源域隔离技术
电平转换器与ESD总线设计
电源域隔离技术
ESD
20
I/O接口协同设计
输出驱动强度与ESD窗口匹配
I/O
接口协同设计
21
射频电路中的漏电与ESD
低寄生电容防护方案
ESD
射频电路
22
超低功耗设计
近阈值电压下的漏电与ESD权衡
超低功耗设计
ESD
23
新型材料
III-V族 · 2D材料在漏电与ESD中的前景
新型材料
III-V
24
机器学习辅助优化
预测漏电与ESD性能的代理模型
机器学习辅助优化
ESD
25
设计实例1
28nm CMOS工艺I/O库的协同…
设计实例1
nm
26
设计实例2
7nm FinFET工艺SRAM的E…
设计实例2
nm
27
设计实例3
高压BCD工艺中LDMOS的漏电与E…
设计实例3
BCD
28
测试与表征
TLP测试 · 漏电流测量与失效分析
测试
表征
29
可靠性评估
ESD应力后漏电流退化与寿命预测
可靠性评估
ESD
30
课程总结与未来趋势
先进节点下协同设计方法论
课程总结
未来趋势
所属VIP或分类
同VIP:3D集成工艺中ESD防护结构设计与应力技术优化
同VIP:3D集成工艺中HKMG对ESD防护结构的可靠性评估
同VIP:3D集成工艺中应力技术对迁移率增强的故障排查实践