VIP20
本课程属于：005-半导体器件物理 半导体工艺与制造设备 · 共 20 门相关课程，组合学习更完整。
查看所属VIP全部课程 →
← 返回所属目录 咨询 / 购买

FinFET鳍片高度对短沟道效应的抑制：TCAD参数优化

共计 30 章节
点击此处阅读海量试读课程：100+行业、1000+细分领域
01
课程导论
FinFET技术背景 · 短沟道效应（SCE）概述 · 鳍片高度（Fin Height）的关…
课程导论FinFET
02
FinFET基础结构
三维结构解析 · 栅极包围沟道原理 · 鳍片宽度与高度的定义
FinFET基础结构
03
短沟道效应（SCE）机理
DIBL效应 · 亚阈值摆幅退化 · 阈值电压滚降
SCE短沟道效应
04
鳍片高度对电学特性的影响
沟道控制能力 · 漏电流变化 · 跨导特性分析
鳍片高度对电学特…沟道控制能力
05
TCAD仿真基础
Sentaurus/TCAD工具简介 · 仿真流程 · 关键物理模型选择
TCAD仿真基础
06
器件结构建模
定义FinFET几何参数 · 掺杂分布设置 · 网格优化策略
器件结构建模FinFET
07
鳍片高度参数化扫描
建立变量 · 扫描范围设定 · 自动化脚本编写
鳍片高度参数化扫…建立变量
08
阈值电压（Vth）与鳍片高度关系
仿真数据提取 · Vth随高度变化趋势分析
Vth阈值电压
09
亚阈值摆幅（SS）优化
SS与鳍片高度的关联 · 理想SS极限探讨
SS亚阈值摆幅
10
DIBL效应抑制分析
不同鳍片高度下的DIBL值对比 · 优化窗口确定
DIBL效应抑制分析
11
漏电流（Ioff）控制
鳍片高度对关态电流的影响 · 功耗优化策略
Ioff漏电流
12
开态电流（Ion）与驱动能力
Ion随鳍片高度的变化 · 电流密度分布
Ion开态电流
13
Ion/Ioff比优化
综合性能指标 · 最佳鳍片高度区间确定
Ion/Ioff比优化
14
跨导（gm）与输出特性
gm随高度变化 · 输出饱和特性分析
gm跨导
15
寄生电容影响
鳍片高度对栅极电容 · 寄生电容的影响分析
寄生电容影响鳍片高度对栅极电…
16
频率特性（fT/fmax）
截止频率与鳍片高度的关系 · 高频性能优化
fT/fmax频率特性
17
工艺波动性分析
鳍片高度制造公差对电学参数的影响
工艺波动性分析鳍片高度制造公差…
18
温度效应
不同温度下鳍片高度对SCE抑制效果的…
温度效应SCE
19
多栅极协同优化
鳍片高度与栅极长度 · 氧化物厚度的联合优化
多栅极协同优化鳍片高度
20
TCAD参数校准
仿真与实验数据对标 · 模型参数调整方法
TCAD参数校准
21
响应面法（RSM）应用
建立鳍片高度与性能指标的响应面模型
RSM响应面法
22
多目标优化
Pareto前沿分析 · 权衡SCE抑制与驱动能力
多目标优化Pareto
23
机器学习辅助优化
使用神经网络预测最佳鳍片高度
机器学习辅助优化使用神经网络预测…
24
先进FinFET架构
纳米片/纳米线FET与鳍片高度的对比
FinFET先进
25
3nm及以下节点挑战
鳍片高度缩放极限 · 替代方案探讨
nm3
26
实验设计（DOE）
全因子设计 · 中心复合设计在参数优化中的应用
DOE实验设计
27
脚本自动化
Python/Sentaurus脚本…
脚本自动化Python/Senta…
28
数据可视化
使用Matplotlib绘制鳍片高度…
数据可视化Matplotlib
29
案例分析
典型14nm/7nm FinFET工…
案例分析nm/7nm
30
课程总结与展望
FinFET技术发展趋势 · TCAD优化方法论总结
课程总结FinFET