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FinFET栅极结构对短沟道效应的抑制：器件物理工程案例

共计 30 章节
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01
课程导论
短沟道效应（SCE）的物理起源与摩尔… · FinFET作为解决方案的工程背景
课程导论SCE
02
传统平面MOSFET的局限
阈值电压滚降（Vth Roll-of… · 漏致势垒降低（DIBL）的物理机制
MOSFET传统平面
03
FinFET器件结构基础
Fin（鳍片）的几何定义 · 栅极全包围（Tri-gate）结构 · SOI与体硅FinFET的区别
FinFET器件结构基础
04
栅极控制能力的关键参数
电介质厚度（EOT） · 鳍片宽度（Wfin） · 沟道长度（Lg）对静电完整性的影响
栅极控制能力的关…EOT
05
短沟道效应的量化指标
亚阈值摆幅（SS） · DIBL系数 · Vth滚降率的定义与测量方法
短沟道效应的量化…SS
06
FinFET的栅极工程
高k/金属栅极（HKMG）材料选择 · 功函数调节对Vth的影响
FinFET的栅极工程
07
鳍片工程（Fin Engineering）
窄鳍效应 · 鳍片高度（Hfin）与宽度的优化设计
FinEngineering
08
栅极侧墙（Spacer）工程
侧墙材料（SiN/SiO2） · 厚度对寄生电容与短沟道效应的权衡
Spacer栅极侧墙
09
源漏工程（S/D Engineering）
抬升源漏（RSD） · 轻掺杂漏（LDD）与应变技术对SCE…
S/DEngineering
10
沟道掺杂工程
晕环注入（Halo Implant） · 口袋注入（Pocket Implan…
沟道掺杂工程Halo
11
FinFET的寄生效应
寄生电容（Cgs/Cgd） · 寄生电阻（Rext）对器件性能的影响
FinFET的寄生效应
12
FinFET的工艺集成流程
从衬底准备到金属化 · 关键光刻与刻蚀步骤
FinFET的工艺集成流程
13
TCAD仿真基础
Sentaurus/Medici工具… · FinFET结构建模与网格划分
TCAD仿真基础
14
TCAD仿真案例
不同Lg下FinFET的Id-Vg特…
TCAD仿真案例
15
TCAD仿真案例
不同Wfin对DIBL与SS的抑制效…
TCAD仿真案例
16
TCAD仿真案例
HKMG功函数优化对Vth滚降的补偿…
TCAD仿真案例
17
TCAD仿真案例
侧墙厚度对寄生电容与SCE的权衡仿真
TCAD仿真案例
18
FinFET的可靠性问题
热载流子注入（HCI） · 负偏置温度不稳定性（NBTI）与SC…
FinFET的可靠性问题
19
FinFET的变异性（Variability）
鳍片粗糙度（LER） · 功函数波动对Vth失配的影响
FinFETVariability
20
先进FinFET结构
纳米片（Nanosheet）与叉片（…
FinFET先进
21
FinFET与GAA FET的对比
栅极控制能力 · 工艺复杂度与SCE抑制能力的权衡
FinFETGAA
22
低功耗应用中的FinFET
近阈值电压（NTV）操作下的SCE挑…
FinFET低功耗应用
23
高频应用中的FinFET
栅极电阻 · 寄生电容对截止频率（fT）的影响
FinFET高频应用
24
FinFET的版图设计
标准单元库中的FinFET布局 · 鳍片共用与栅极分割
FinFET的版图设计
25
FinFET的紧凑模型（BSIM-CMG）
模型参数提取与SCE相关的模型参数
FinFETBSIM-CMG
26
FinFET的测试与表征
DC测试 · C-V测试 · 低频噪声测试对SCE的评估
FinFET的测试
27
FinFET的散热问题
自热效应（Self-Heating）…
FinFET的散热问题
28
FinFET的3D集成
单片3D IC中FinFET的SCE…
FinFET的3D集成
29
FinFET的未来演进
CFET（互补FET）与2D材料沟道…
FinFET的未来演进
30
课程总结与工程实践
FinFET设计规则检查（DRC） · 良率提升与SCE抑制的综合工程案例
课程总结工程实践