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短沟道MOSFET漏致势垒降低效应：TCAD仿真与校准

共计 30 章节
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01
课程导论
DIBL效应的物理本质 · 短沟道效应概述 · 课程目标与学习路径
课程导论DIBL
02
MOSFET基础回顾
长沟道MOSFET工作原理 · 阈值电压定义 · 电流-电压特性
MOSFET基础回顾
03
短沟道效应分类
阈值电压滚降 · DIBL · 热载流子效应
短沟道效应分类阈值电压滚降
04
DIBL物理机制
源漏耗尽区交叠 · 势垒降低 · 亚阈值摆幅退化
DIBL物理机制
05
DIBL参数定义
ΔVth与Vds关系 · DIBL系数提取方法
DIBL参数定义
06
TCAD仿真基础
Sentaurus/TCAD工具链介… · 仿真流程概览
TCAD仿真基础
07
Sentaurus结构编辑器
SDE基础操作 · 器件几何定义 · 掺杂分布设定
Sentaurus结构编辑器
08
网格生成策略
自适应网格 · 关键区域加密 · 网格质量评估
网格生成策略自适应网格
09
物理模型选择
迁移率模型 · 载流子统计 · 量子修正模型
物理模型选择迁移率模型
10
接触与电极定义
源/漏/栅/衬底接触 · 功函数设定 · 肖特基接触
接触电极定义
11
仿真控制设置
求解器选择 · 迭代控制 · 收敛性优化
仿真控制设置求解器选择
12
I-V特性仿真
Id-Vg曲线提取 · Id-Vd曲线提取 · 亚阈值区分析
I-V特性仿真
13
DIBL仿真提取
不同Vds下的Vth提取 · DIBL系数计算
DIBL仿真提取
14
参数校准概念
校准目标 · 校准流程 · 实验数据对比
参数校准概念校准目标
15
关键工艺参数校准
栅氧化层厚度 · 掺杂浓度 · 侧墙宽度
关键工艺参数校准栅氧化层厚度
16
迁移率校准
低场迁移率 · 高场退化 · 衬底偏置效应
迁移率校准低场迁移率
17
源漏电阻校准
接触电阻 · 扩展电阻 · 寄生电阻模型
源漏电阻校准接触电阻
18
阈值电压校准
功函数调整 · 界面电荷 · 固定电荷影响
阈值电压校准功函数调整
19
亚阈值摆幅校准
界面态密度 · 陷阱辅助隧穿 · DIBL耦合
亚阈值摆幅校准界面态密度
20
多器件校准策略
不同沟道长度 · 不同偏置条件 · 统计校准
多器件校准策略不同沟道长度
21
校准验证方法
误差分析 · 均方根误差 · 模型预测能力评估
校准验证方法误差分析
22
DIBL抑制技术
高K介质 · 金属栅 · 应变硅
DIBL抑制技术
23
FinFET与DIBL
FinFET结构优势 · 鳍高/宽对DIBL影响 · 三栅控制
FinFETDIBL
24
GAA器件与DIBL
纳米片/纳米线结构 · 全包围栅极 · 极致短沟道
GAADIBL
25
温度效应
温度对DIBL的影响 · 自热效应 · 热仿真耦合
温度效应DIBL
26
噪声与波动
随机掺杂波动 · 线边缘粗糙度 · DIBL统计分布
噪声波动
27
TCAD脚本自动化
Tcl脚本基础 · 参数扫描 · 批量仿真
TCAD脚本自动化
28
数据后处理
Svisual/Inspect工具 · 数据提取 · 图表生成
数据后处理Svisual/Insp…
29
案例研究
28nm节点DIBL校准 · 实验与仿真对比 · 问题诊断
案例研究nm
30
课程总结与展望
DIBL研究前沿 · TCAD发展趋势 · 未来学习建议
课程总结DIBL