VIP18
本课程属于：008-半导体缺陷、界面与互连介质 先进材料、材料计算与可靠性工程 · 共 18 门相关课程，组合学习更完整。
查看所属VIP全部课程 →
← 返回所属目录 咨询 / 购买

高k栅介质材料与界面工程

共计 30 章节
可可资料掘金营 · 点击在线试看
01
课程导入与高k栅介质概述
目标=高k材料的定义 · 发展历程 · 在先进CMOS器件中的战略地位
课程导入高k栅介质概述
02
传统SiO2栅介质的物理极限与高k替代需求
目标=直接隧穿漏电流 · 等效氧化层厚度（EOT）缩放瓶颈 · 栅极漏电与功耗问题
SiO2传统
03
高k材料的核心物理参数与表征方法
目标=介电常数 · 带隙 · 带偏移
高k材料的核心物…表征方法
04
主流高k栅介质材料体系
目标=HfO2 · ZrO2 · Al2O3
主流高k栅介质材…HfO2
05
HfO2基高k材料的晶相调控与掺杂工程
目标=单斜相 · 四方相 · 立方相与铁电正交相的稳定机制
HfO2基高k材料的晶相…
06
高k栅介质/半导体界面结构基础
目标=界面层形成 · 硅酸盐层 · 氧扩散
高k栅介质半导体界面结构基…
07
界面态与固定电荷的起源及表征
目标=Pb中心 · 氧空位 · 悬挂键
界面态固定电荷的起源
08
高k/金属栅界面工程
目标=功函数调控 · 费米钉扎效应 · 界面偶极子工程
k金属栅界面工程
09
高k栅介质与SiGe、Ge、III-V等新型沟道材料的界面挑战
目标=自然氧化物去除 · 界面钝化层设计 · 扩散阻挡与热预算控制
SiGeGe
10
原子层沉积（ALD）制备高k薄膜
目标=前驱体选择 · 沉积窗口 · 自限制反应
ALD原子层沉积
11
其他高k薄膜制备技术
目标=PVD · MOCVD · PECVD
其他高k薄膜制备…PVD
12
高k薄膜的退火与后处理工艺
目标=热退火 · 快速热退火 · 激光退火
高k薄膜的退火后处理工艺
13
等效氧化层厚度（EOT）与漏电流的协同优化
目标=k值提升 · 物理厚度缩放 · 界面层控制
EOT等效氧化层厚度
14
高k栅介质的可靠性问题
目标=TDDB · BTI · 热载流子注入
高k栅介质的可靠…TDDB
15
高k栅介质中的氧空位与缺陷工程
目标=氧空位形成能 · 迁移路径 · 对漏电和可靠性的影响
高k栅介质氧空位
16
界面层工程
目标=SiO2 · SiON · Al2O3
界面层工程SiO2
17
高k栅堆叠的能带工程
目标=带偏移调控 · 势垒高度设计 · 界面偶极子与有效功函数的关系
高k栅堆叠的能带…目标=带偏移调控
18
高k栅介质在FinFET与GAA器件中的集成挑战
目标=三维结构覆盖 · 界面质量 · 热预算
FinFETGAA
19
高k栅介质在存储器中的应用
目标=DRAM电容介质 · Flash隧穿/阻挡层 · RRAM与FeRAM中的高k/铁电材…
高k栅介质存储器
20
高k栅介质在功率与射频器件中的应用
目标=GaN · SiC基MIS结构 · 界面钝化
高k栅介质功率
21
高k/二维材料界面工程
目标=MoS2 · WS2等二维半导体与高k的集成 · 范德华界面
k二维材料界面工程
22
高k栅介质的电学测试与参数提取
目标=C-V · I-V · G-V
高k栅介质的电学…参数提取
23
高k栅介质的物理与化学表征技术
目标=XPS · UPS · HAXPES
高k栅介质的物理化学表征技术
24
高k栅介质的第一性原理计算与模拟
目标=DFT · 分子动力学 · 缺陷能级
高k栅介质的第一…模拟
25
高k栅介质工艺集成与CMOS流程
目标=栅极最后（gate-last）… · 界面层形成 · 金属栅填充
CMOS高k栅介质工艺集…
26
高k栅介质界面工程中的失效分析与案例研究
目标=典型漏电 · 击穿 · 界面反应
高k栅介质界面工…失效分析
27
高k栅介质材料与界面的前沿进展
目标=新型高k材料（如HfZrO · AlScN · 钙钛矿）
高k栅介质材料界面的前沿进展
28
高k栅介质在负电容晶体管与陡峭亚阈值器件中的界面工程
目标=铁电-介电界面 · 极化匹配 · 界面层影响与器件性能优化
高k栅介质负电容晶体管
29
高k栅介质界面工程的环境与可靠性评估
目标=辐射效应 · 温度稳定性 · 湿度与化学稳定性
高k栅介质界面工…可靠性评估
30
课程综合实战
目标=针对给定器件指标（EOT · 漏电 · 可靠性）
课程综合实战EOT