EMI 辐射源定位概述
做电子产品这么多年，EMI 这个坎儿谁也绕不过去。辐射发射超标意味着产品没法上市，要么重新改板子，要么加屏蔽。我也见过不少团队在实验室折腾一个月，最后还是没找到真正的“肇事者”。
这门课要讲的就是怎么用系统方法、锁定那个藏在电路里的辐射源。说白了，就是给你一套从波形、频谱到手法的完整定位流程。
什么是 EMI 辐射源？
任何开关节点、高频走线、连接器、线缆，都有可能成为天线。我习惯把辐射源分成两类：
- 共模辐射——不对称结构导致地电位波动，产生单极天线效应
- 差模辐射——电流环本身形成环形天线，直接向外辐射
实际测试里，共模往往比差模更麻烦。同样是 3cm 长的走线，共模量级可能高出 10dB 以上。嗯，这里是重点。
为什么要做辐射源定位？
你可能觉得——测出超标了，加个磁珠、加个屏蔽罩不就完了？我在项目中遇到过好几次，临时加屏蔽罩虽然能压低峰值，但根本原因没解决，批量时一致性很差。定位的意义在于：
- 找出根本原因——是走线不匹配，还是接口滤波没做好？
- 降低改板成本——知道具体位置，改一两个器件就行，不用推倒重来
- 缩短认证周期——一次通过 vs. 反复送测，时间差距很大
我的习惯：每次定位前先画辐射源结构草图，把已知的开关节点、高频走线、长线缆标出来，再结合近场探头逐步缩小范围。
基本概念速览
| 概念 | 说明 |
|---|---|
| 近场 | 远小于 λ/2π 的区域，电场/磁场独立分布，用近场探头可区分 |
| 远场 | 超过 λ/2π 后形成平面波，极化方向固定，影响认证测试结果 |
| 共模辐射 | 两根导体上电流方向相同，等效为单极天线，能量大 |
| 差模辐射 | 两导体电流反向抵消，等效为小环天线，与环路面积成正比 |
| 辐射效率 | 取决于天线长度/环路面积相对于波长的比例，高频更易辐射 |
我建议你先把这些基础关系记熟，后面所有定位技巧都在它们之上展开。
曾经踩过的坑：有一次我追一个 600 MHz 尖峰，以为是差模，折腾半天才发现是共模从线缆串出来的。后来我再也不凭经验猜了，必须先用手持 H 场探头扫一遍，判断共模/差模后再定点。
核心一句话：辐射源定位不是死记公式，而是把电磁场理论转化成可操作的排查步骤。你想想看，知道了源头在哪，后续的滤波、布局、屏蔽才真正有效。
我自己完成的主要有两条原则：一是先粗扫再精确定位；二是定位时保持频谱仪参考电平不变，方便对比每个探点带来的幅度变化。