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高端制造、半导体装备与精密工程
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022-Applied Materials薄膜沉积与半导体制造工程
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《AMAT应用材料AMAT ALD设备与原子层沉积工程》
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本课程属于:022-Applied Materials薄膜沉积与半导体制造工程
高端制造、半导体装备与精密工程 · 共 20 门相关课程,组合学习更完整。
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AMAT ALD设备与原子层沉积工程
共计 30 章节
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01
课程导入与工程视角建立
目标=AMAT ALD设备在半导体制… · 原子层沉积工程的核心目标 · 课程学习路径与安全规范
课程导入
工程视角建立
02
原子层沉积基本原理与AMAT设备实现
目标=自限制表面反应 · 前驱体脉冲 · 吹扫与抽空循环
AMAT
原子层沉积基本原…
03
AMAT ALD设备系统架构总览
目标=反应腔 · 前驱体输送 · 载气与吹扫
AMAT
ALD
04
前驱体与共反应物工程
目标=热稳定性 · 挥发性 · 粘附系数
前驱体
共反应物工程
05
前驱体输送管路与阀件工程
目标=管路加热 · 防冷凝 · 死区控制
前驱体输送管路
阀件工程
06
反应腔与晶圆环境工程
目标=腔体材料 · 表面钝化 · 热壁与冷壁设计
反应腔
晶圆环境工程
07
真空系统与压力控制工程
目标=干泵 · 涡轮泵 · 节流阀
真空系统
压力控制工程
08
载气与吹扫气工程
目标=气体纯度 · 流量控制 · 脉冲吹扫效率
载气
吹扫气工程
09
ALD工艺配方开发基础
目标=循环结构 · 脉冲时间 · 吹扫时间
ALD
工艺配方开发基础
10
薄膜厚度与均匀性控制
目标=生长速率标定 · 片内均匀性 · 片间重复性
薄膜厚度
均匀性控制
11
ALD薄膜表征与在线监控
目标=椭偏仪 · X射线反射 · X射线光电子能谱
ALD
薄膜表征
12
介质薄膜ALD工程
目标=氧化铝 · 氧化铪 · 氧化锆
ALD
介质薄膜
13
金属与导电薄膜ALD工程
目标=氮化钛 · 氮化钽 · 钨
ALD
金属
14
高介电常数与铁电薄膜ALD
目标=氧化铪基高k材料 · 掺杂工程 · 退火影响与AMAT设备中的界面控制
ALD
高介电常数
15
ALD在逻辑器件中的应用
目标=栅极堆叠 · 间隔层 · 衬垫层
ALD
逻辑器件
16
ALD在存储器件中的应用
目标=DRAM电容介质 · 3D NAND字线/存储层 · 界面层与高深宽比结构中的台阶覆盖
ALD
存储器件
17
高深宽比结构ALD工程
目标=深孔 · 沟槽与三维结构中的前驱体传输 · 表面饱和
ALD
高深宽比结构
18
等离子体增强ALD设备与工艺
目标=等离子体源 · 自由基生成 · 离子轰击
ALD
等离子体增强
19
热ALD与PEALD的工艺选择
目标=薄膜质量 · 温度预算 · 前驱体兼容性
ALD
PEALD
20
空间隔离ALD与批量ALD设备
目标=空间分离前驱体 · 连续沉积模式 · 批量晶圆处理与AMAT平台化设备的产…
ALD
空间隔离
21
ALD工艺中的颗粒与缺陷工程
目标=颗粒来源 · 成核缺陷 · 颗粒检测
ALD
工艺
22
ALD设备中的污染控制与交叉污染
目标=前驱体残留 · 腔体记忆效应 · 阀件与管路污染
ALD
设备
23
ALD工艺的计量与故障诊断
目标=腔体匹配 · 工艺漂移 · 传感器数据
ALD
工艺的计量
24
ALD设备维护与预防性保养
目标=腔体打开 · 部件更换 · 加热器校准
ALD
设备维护
25
ALD工艺集成与界面工程
目标=前处理 · 原位清洗 · 界面层
ALD
工艺集成
26
ALD产能与成本工程
目标=循环时间 · 晶圆批次 · 设备利用率
ALD
产能
27
ALD工艺开发实战
目标=从需求到配方——以氧化铝或氮化… · 完成前驱体选择 · 循环设计
ALD
工艺开发实战
28
AMAT ALD设备调试实战
目标=新设备安装 · 腔体调节 · 气体校准
AMAT
ALD
29
ALD工艺转移与放大
目标=从研发设备到量产平台 · 工艺匹配 · 腔体差异
ALD
工艺转移
30
前沿与综合项目
目标=新型前驱体 · 选择性沉积 · 区域选择性ALD
前沿
综合项目
所属VIP或分类
同VIP:AMAT应用材料AMAT-CVD设备与薄膜均匀性工程
同VIP:AMAT应用材料AMAT-PVD设备与溅射工艺工程
同VIP:AMAT应用材料AMAT先进逻辑薄膜工艺与量产应用