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高端制造、半导体装备与精密工程
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021-ASML光刻系统与先进制造工程
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《ASML光刻系统光学成像与工艺窗口工程》
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本课程属于:021-ASML光刻系统与先进制造工程
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ASML光刻系统光学成像与工艺窗口工程
共计 30 章节
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01
光刻系统总览与课程任务
目标=从晶圆曝光结果出发 · 建立ASML光刻机 · 光学成像
光刻系统总览
课程任务
02
ASML光刻机光学链路拆解
目标=光源 · 照明系统 · 掩模
ASML
光刻机光学链路拆…
03
光刻成像的物理基础
目标=部分相干成像 · 傅里叶光学 · 数值孔径
光刻成像的物理基…
目标=部分相干成…
04
照明模式与光源掩模优化
目标=环形 · 偶极 · 四极
照明模式
光源掩模优化
05
掩模三维效应与近场成像
目标=掩模电磁场仿真 · 厚掩模效应 · 偏振相关衍射
掩模三维效应
近场成像
06
投影物镜波前与像差工程
目标=Zernike多项式 · 波前误差 · 像差对线宽
投影物镜波前
像差工程
07
偏振像差与矢量成像
目标=高NA浸没系统中的偏振控制 · 偏振像差 · 矢量衍射
偏振像差
矢量成像
08
光刻胶成像与化学放大机理
目标=曝光 · 后烘 · 显影过程中的酸扩散
光刻胶成像
化学放大机理
09
工艺窗口定义与评价指标
目标=曝光宽容度 · 焦深 · 掩模误差增强因子
工艺窗口定义
评价指标
10
聚焦与曝光矩阵实验设计
目标=设计FEM · 测量CD与缺陷 · 提取工艺窗口
聚焦
曝光矩阵实验设计
11
光学邻近效应与OPC建模
目标=基于模型的OPC · 规则OPC · 亚分辨率辅助图形
OPC
光学邻近效应
12
光源掩模协同优化实战
目标=以具体金属层或接触孔层为目标 · 运行SMO流程 · 评估成像对比度
光源掩模协同优化…
目标=以具体金属…
13
计算光刻与逆光刻技术
目标=逆光刻 · 水平集方法 · 机器学习加速
计算光刻
逆光刻技术
14
随机效应与缺陷率工程
目标=光子散粒噪声 · 光刻胶随机性 · 线边缘粗糙度
随机效应
缺陷率工程
15
EUV光刻成像特殊性
目标=EUV反射光学 · 掩模阴影效应 · 多层膜
EUV
光刻成像特殊性
16
浸没光刻与高NA成像
目标=浸没液 · 偏振照明 · 高NA矢量效应
NA
浸没光刻
17
套刻与成像关联
目标=套刻误差来源 · 对准模型 · 套刻与CD均匀性的耦合
套刻
成像关联
18
掩模误差与工艺窗口鲁棒性
目标=掩模CD误差 · 相位误差 · 缺陷对成像的影响
掩模误差
工艺窗口鲁棒性
19
光刻机匹配与工艺转移
目标=不同ASML机型间的成像差异 · 匹配策略 · 工艺窗口转移方法
光刻机匹配
工艺转移
20
先进节点图形化挑战
目标=多重曝光 · SADP · SAQP与光刻成像的协同
先进节点图形化挑…
目标=多重曝光
21
量测与成像反馈
目标=CD-SEM · 散射测量 · AFM在工艺窗口监控中的应用
量测
成像反馈
22
工艺窗口的统计过程控制
目标=SPC · 良率模型 · 工艺漂移预警
工艺窗口的统计过…
SPC
23
光刻胶模型校准与验证
目标=从实验数据提取光刻胶参数 · 校准模型 · 验证预测精度
光刻胶模型校准
验证
24
光学模型校准与验证
目标=基于CD-SEM和散射测量数据… · 评估模型在工艺窗口边界处的预测能力
光学模型校准
验证
25
缺陷分析与光刻成像根因
目标=桥连 · 断线 · 孔洞等缺陷的成像根源
缺陷分析
光刻成像根因
26
工艺窗口优化实战
目标=针对特定逻辑或存储图形 · 综合调整照明 · 掩模
工艺窗口优化实战
目标=针对特定逻…
27
计算光刻云平台与ASML工具链
目标=Tachyon · Brion等工具在OPC · SMO
ASML
计算光刻云平台
28
光刻-刻蚀协同优化
目标=刻蚀偏差 · 负载效应与光刻工艺窗口的耦合 · 建立光刻-刻蚀联合优化流程
光刻
刻蚀协同优化
29
先进封装与厚胶光刻成像
目标=厚胶曝光 · 三维成像 · 大焦深需求
先进封装
厚胶光刻成像
30
课程综合项目
目标=给定器件图形与工艺条件 · 完成光学成像仿真 · 工艺窗口提取
课程综合项目
目标=给定器件图…
所属VIP或分类
同VIP:ASML先进光刻设备工艺集成与生产协同
同VIP:ASML先进光刻量测反馈与过程控制工程
同VIP:ASML光刻套刻控制与叠加精度优化工程