3. 从哈密顿量到能级方程

超导量子比特的能级分析,起点不是薛定谔方程本身,而是如何把一个含约瑟夫森结的真实电路,写成只含少数自由度的哈密顿量。本节围绕电荷量子比特、磁通量子比特与 Transmon 三类典型电路,说明哈密顿量的构建路径、变量选择、无量纲化方法,以及如何从哈密顿量过渡到可数值求解的能级方程。理解这条链路,后续的能级差、非谐性和参数扫描才有明确的物理来源。

一、构建哈密顿量的统一思路

三类比特的建模流程可以统一为四步:先确定电路的独立自由度(节点电荷或支路磁通),再用基尔霍夫定律写出拉格朗日量,然后做勒让德变换得到哈密顿量,最后把约瑟夫森结的非线性项显式保留。关键区别在于自由度的选择:电荷型以节点相位为变量,磁通型以环路磁通为变量,而 Transmon 是电荷型的强分流极限。

约瑟夫森结的贡献始终是两项:储能项 -E_J cos φ 与并联电容带来的充电能。前者提供非线性,后者提供动能。哈密顿量能否解析求解,取决于 cos φ 能否被近似为二次型;这正是三类比特能级方程形式不同的根本原因。

二、电荷量子比特:相位与电荷的对偶

电荷比特由一个约瑟夫森结与一个串联电容构成,结两端相位 φ 与结上电荷 n(以 2e 为单位)构成共轭对。其哈密顿量写作:

H = 4E_C n² − E_J cos φ
E_C = e²/(2C_Σ),  n = −i ∂/∂φ

其中 E_C 为充电能,C_Σ 为结电容与栅电容之和。当 E_J/E_C 较小(典型 1~5)时,cos φ 不能展开为低阶多项式,能级必须通过数值对角化获得。做法是把 φ 视为周期变量,在电荷基 |n⟩ 下展开,cos φ 只耦合相邻电荷态 n±1,于是哈密顿量成为三对角矩阵:

H[n,n]   = 4E_C n²
H[n,n±1] = −E_J/2

截断到 n = −N…N(N 取 10~20 即可收敛),对角化即得能级。电荷比特的能级对栅电荷 n_g 敏感,实际建模时需在 H[n,n] 中加入 4E_C(n − n_g)²,这也是它易受电荷噪声影响的数学体现。

三、磁通量子比特:环路磁通与势阱

磁通比特由三个结构成超导环路,其中两个相同结与一个面积较小的结(α 结)并联。以环路磁通 Φ 为自由度,定义无量纲磁通 f = Φ/Φ₀,哈密顿量为:

H = Q²/(2C) − E_J cos φ₁ − E_J cos φ₂ − αE_J cos(2πf − φ₁ − φ₂)

在小结近似下,两个大结的相位近似相等,可合并为单一变量 φ,得到等效势:

U(φ) = −2E_J cos φ − αE_J cos(2πf − 2φ)

当 f ≈ 0.5 且 α 取 0.6~0.8 时,势阱出现双极小,形成对称双阱结构。此时低能态为隧穿分裂的两个态,能级差对 f 呈近似抛物线依赖,在 f = 0.5 处一阶导数为零,因而对磁通噪声不敏感——这是磁通比特工作点的选择依据。数值上,把 U(φ) 离散到网格上构造动能矩阵(差分近似 Q²/2C),再对角化即可得到能级随 f 的变化曲线。

四、Transmon:强分流极限下的近似解析

Transmon 在电荷比特基础上并联大电容,使 E_J/E_C 提升到 20~100。此时 φ 的零点涨落很小,可将 cos φ 展开到四阶:

H ≈ 4E_C n² − E_J + (E_J/2)φ² − (E_J/24)φ⁴

把 φ 用升降算符表示,得到近似能级方程:

E_m ≈ −E_J + √(8E_J E_C)(m + 1/2) − (E_C/12)(6m² + 6m + 3)

第一项为常数偏移,第二项给出等间距的谐振子能级,第三项是负的非谐修正。相邻能级差 E_{m+1} − E_m ≈ √(8E_J E_C) − E_C(m+1),非谐性约为 −E_C。以 E_J = 20 GHz、E_C = 0.3 GHz 为例,√(8E_J E_C) ≈ 6.9 GHz,非谐性约 −0.3 GHz,足以把 |0⟩→|1⟩ 与 |1⟩→|2⟩ 分开,从而实现比特编码。该近似在 E_J/E_C > 20 时误差通常小于 1%,但 E_J/E_C 降低时需回到数值对角化。

三类超导量子比特:哈密顿量构建与能级求解路径 电荷量子比特 自由度:结相位 φ / 电荷 n H = 4E_C n² − E_J cos φ E_J/E_C ≈ 1~5 电荷基三对角矩阵 H[n,n]=4E_C(n−n_g)² 数值对角化 能级随 n_g 敏感 结论:需数值求解 磁通量子比特 自由度:环路磁通 f = Φ/Φ₀ U(φ)=−2E_J cosφ −αE_J cos(2πf−2φ) f≈0.5, α≈0.6~0.8 对称双阱势 网格离散 + 动能差分 对角化得 E(f) 曲线 结论:f=0.5 处抗磁通噪声 Transmon 强分流极限:E_J/E_C ≈ 20~100 cosφ 展开至四阶 H ≈ 4E_C n² + ½E_Jφ² − E_Jφ⁴/24 E_m ≈ −E_J + √(8E_JE_C)(m+½) − (E_C/12)(6m²+6m+3) 非谐性 ≈ −E_C 例:E_J=20GHz, E_C=0.3GHz 结论:近似解析,误差 <1% 统一链路:电路 → 自由度 → 拉格朗日量 → 哈密顿量 → 无量纲化 → 能级方程

五、无量纲化:让数值计算稳定可比

直接以焦耳为单位计算,矩阵元量级相差可达 10⁻²⁴,数值上极易失稳。标准做法是以某一能量为标尺做无量纲化。对电荷型与 Transmon,通常除以 E_J,令 ε = E_C/E_J,哈密顿量变为:

H/E_J = 4ε n² − cos φ        (电荷型)
H/E_J ≈ 4ε n² + φ²/2 − φ⁴/24  (Transmon)

对磁通型,则除以 E_J 并把磁通写成 f,势能变为 −2cos φ − α cos(2πf − 2φ),所有参数只剩 α 与 f。无量纲化后,矩阵元落在 O(1) 量级,截断维度和收敛判据也更容易统一设定。以 Transmon 为例,ε = 0.015 时,√(8ε) ≈ 0.346,即基频约为 0.346 E_J,与 E_J = 20 GHz 对应的 6.9 GHz 一致,量纲还原只需乘回 E_J。

六、从方程到数值结果的判断依据

实际计算时,建议按以下顺序检查结果是否可信:其一,截断维度是否足够——把 N 从 15 增到 25,若最低五个能级变化小于 0.1%,可认为收敛;其二,近似是否成立——Transmon 的解析式与数值对角化结果对比,若偏差超过 2%,说明 E_J/E_C 偏低,应改用数值方法;其三,物理量是否合理——非谐性应为负值且量级接近 E_C,磁通比特在 f = 0.5 处能级对 f 的一阶导应接近零。

建模时先明确相位与磁通的符号约定:本文取 φ 为结两端相位差、n 为结上库珀对数,磁通 f 以 Φ₀ 为单位。三类比特的哈密顿量均在此约定下书写,切换约定时需同步修改 cos 项中的符号,否则能级曲线会出现整体平移或镜像。

把三类比特放在同一条建模链路上看,差异只来自两个参数:E_J/E_C 决定非线性强弱,磁通偏置 f 决定势阱形状。抓住这两个量,就能判断该用解析近似还是数值对角化,也能解释为什么 Transmon 成为当前主流的电荷型比特——它在保持足够非谐性的同时,把电荷噪声敏感度压到了指数小的水平。