4. 两量子比特纠缠制备电路设计

贝尔态是两量子比特纠缠的“标准样本”,也是后续量子隐形传态、纠缠交换、量子纠错等实验的起点。本节聚焦最基础的一条制备路径:把系统从确定性的计算基态 |00⟩ 变成最大纠缠态 |Φ⁺⟩ = (|00⟩ + |11⟩)/√2。整条电路只有两个门——一个 Hadamard 门和一个 CNOT 门,但要让“仿真结果”真正可信,还需要态层析与保真度评估把电路闭环。

一、为什么是 H + CNOT:从可分离到纠缠

初态 |00⟩ 是两个比特的可分离态,对它做任何单比特操作都只能得到“乘积态”,无法产生纠缠。纠缠必须来自两比特之间的相互作用,CNOT 正是最典型的双比特受控门。因此标准做法是:先在控制比特上施加 H,制造叠加;再用该比特控制目标比特做 CNOT,把叠加“复制”成关联。

按量子力学的线性性逐步计算。约定比特顺序为 |q₁q₀⟩,q₁ 为控制比特(高位),q₀ 为目标比特(低位)。第一步对 q₁ 施加 H:

H|0⟩ = (|0⟩ + |1⟩)/√2
H|0⟩ ⊗ |0⟩ = (|00⟩ + |10⟩)/√2

此时两比特仍可分离,只是控制比特处于叠加。第二步施加 CNOT(控制 q₁、目标 q₀),它把 |10⟩ 翻转为 |11⟩,而 |00⟩ 保持不变:

CNOT · (|00⟩ + |10⟩)/√2 = (|00⟩ + |11⟩)/√2 = |Φ⁺⟩

结果中 |00⟩ 与 |11⟩ 等幅同相,无法写成两个单比特态的直积,纠缠由此产生。若把 H 放在 q₀ 上、CNOT 控制 q₀ 目标 q₁,得到的同样是 |Φ⁺⟩,只是比特角色互换;但若 H 与 CNOT 的控制/目标关系不匹配,例如 H 加在目标比特上却仍用另一比特控制,则得到的是 |Ψ⁺⟩ = (|01⟩ + |10⟩)/√2,属于另一类贝尔态。这说明“哪个比特做控制、H 加在谁身上”直接决定制备出哪一个贝尔态,是电路设计中最容易出错的地方。

贝尔态 |Φ⁺⟩ 制备电路与态演化 q₁ |0⟩ q₀ |0⟩ H ① 叠加 ② 纠缠 初态:|00⟩(可分离) H 后:(|00⟩ + |10⟩)/√2 CNOT 后:(|00⟩ + |11⟩)/√2 = |Φ⁺⟩,最大纠缠 验证链:测量 → 态层析 → 保真度 多次采样统计 P(00)、P(11) ≈ 0.5 15 组基测量重构密度矩阵 ρ F = ⟨Φ⁺|ρ|Φ⁺⟩,越接近 1 越好

二、电路实现:门序、比特映射与仿真设置

在 Qiskit 中,这条电路可以写成非常紧凑的形式。下面示例采用 2 比特寄存器,q[0] 为控制比特、q[1] 为目标比特,与上文 |q₁q₀⟩ 的约定在角色上一致(q[0] 承担控制角色):

from qiskit import QuantumCircuit, transpile
from qiskit_aer import AerSimulator

qc = QuantumCircuit(2, 2)
qc.h(0)          # 控制比特制造叠加
qc.cx(0, 1)      # 控制 q0,目标 q1
qc.measure([0, 1], [0, 1])

sim = AerSimulator()
tqc = transpile(qc, sim)
result = sim.run(tqc, shots=4096).result()
counts = result.get_counts()
print(counts)    # 期望约 {'00': ~2048, '11': ~2048}

仿真结果应呈现两个显著特征:其一,计数只出现在 00 与 11 两个比特串上,01 与 10 接近 0;其二,00 与 11 的计数各占约一半。若 01/10 明显出现,说明 CNOT 的控制/目标接反或 H 加错比特;若 00 与 11 比例严重失衡,则要检查是否存在退相干、读出误差或门参数问题。需要强调,上述计数是理想仿真下的期望分布,实际硬件会因噪声偏离。

三、态层析:从计数反推密度矩阵

只看计算基计数只能确认“像贝尔态”,不能排除相位错误。例如 (|00⟩ − |11⟩)/√2 在计算基下计数完全相同,却是另一个贝尔态。要完整刻画两比特态,需要做量子态层析:对每个比特分别选择 X、Y、Z 三种测量基,两比特共 3×3 = 9 种基组合;由于全局相位不可观测,实际常用 15 组泡利期望值 ⟨P₁⊗P₂⟩ 来重构 4×4 密度矩阵 ρ。

操作上,对每组基在测量前插入相应的基变换门(测 X 加 H,测 Y 加 S†H),再运行数千次 shots 得到联合计数,用 ⟨ZZ⟩ = (N₀₀ + N₁₁ − N₀₁ − N₁₀)/N 这类公式估计期望值。把 15 个期望值代入线性反演或最大似然估计,即得 ρ。对理想 |Φ⁺⟩,其密度矩阵只有四个非零元:ρ₀₀ = ρ₁₁ = ρ₀₃ = ρ₃₀ = 0.5(按 |00⟩,|01⟩,|10⟩,|11⟩ 排序)。仿真中若看到 ρ₀₃ 的虚部接近 0、实部接近 0.5,说明相位关系正确。

四、保真度评估与判据

保真度定义为 F = ⟨Φ⁺|ρ|Φ⁺⟩,取值 0 到 1。对理想态 F = 1;含噪声时 F 下降。工程上常把 F > 0.9 视为“制备成功”的粗略门槛,但具体阈值取决于实验目标。除保真度外,还可看纠缠度:对两比特纯态可用 concurrence C = 2|ρ₀₃|,理想贝尔态 C = 1。若 F 高但 C 低,往往提示存在可分离成分混入;若两者都低,则优先排查门误差与读出误差。

实操建议:先用理想仿真确认计数分布与密度矩阵形态,再逐步加入读出误差、退相干模型,观察 F 与 C 的变化趋势,这样能把“电路对不对”和“噪声大不大”两类问题分开定位。

五、常见偏差与排查方向

  • 出现 01/10 计数:CNOT 控制与目标接反,或 H 加在了目标比特上,导致制备成 |Ψ⁺⟩。
  • 00 与 11 比例失衡:H 门校准偏差、读出误判或退相干,可先做单比特 Rabi/读出标定。
  • 计数正确但 F 偏低:相位错误或层析基变换门有误,重点核对 Y 基的 S†H 顺序与符号约定。
  • 层析结果不物理(负本征值过大):shots 太少或期望值估计偏差,增加采样并改用最大似然估计。

把这条最小电路走通,就掌握了“制备—仿真—层析—保真度”的完整验证链。后续更复杂的多比特纠缠态制备,本质上都是在这条链上扩展门序与测量基组合。