2. LVDS 电气特性:差分信号原理、共模电压、摆幅电压、输出阻抗、输入阈值
LVDS(Low-Voltage Differential Signaling,低压差分信号)是一种高速、低功耗、低噪声的通用 I/O 接口标准。在 T22ULP 工艺下设计 LVDS IP 时,其电气特性直接决定了 IBIS 模型的精度与信号完整性表现。本节从差分信号基本原理出发,逐一拆解共模电压、摆幅电压、输出阻抗与输入阈值等核心参数。
2.1 差分信号原理
LVDS 采用两根互补的传输线(D+ 与 D-)传递信息,接收端检测的是两线之间的电压差,而非对地电压。这种结构天然具备以下优势:
- 共模噪声抑制:外部噪声同时耦合到 D+ 与 D- 上,差分接收器只响应差值,共模噪声被抵消。
- 低电磁辐射:两线电流方向相反,产生的磁场相互抵消,EMI 显著低于单端信号。
- 低电压摆幅:典型摆幅仅 350 mV,功耗远低于 TTL/CMOS 电平。
设计要点:在 T22ULP 工艺中,差分对必须保持等长、等距布线,且阻抗连续(通常 100 Ω 差分阻抗),否则共模噪声抑制能力会退化。
2.2 共模电压(VCM)
共模电压定义为 D+ 与 D- 电压的平均值:
V_CM = (V(D+) + V(D-)) / 2
在 LVDS 标准(TIA/EIA-644)中,共模电压的典型值为 1.2 V,允许范围为 0.3 V ~ 2.4 V。T22ULP 工艺下,LVDS IP 的共模电压通常由内部偏置电路产生,需满足以下约束:
- 接收端共模输入范围:必须覆盖发送端输出的共模电压变化。
- 工艺角影响:FF/SS/TT 角下 VCM 漂移应控制在 ±5% 以内。
- 温度漂移:-40°C ~ 125°C 范围内 VCM 变化不超过 ±50 mV。
| 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 发送端共模电压 | 1.125 | 1.200 | 1.275 | V |
| 接收端共模输入范围 | 0.300 | — | 2.400 | V |
| 共模电压温度漂移 | — | ±30 | ±50 | mV |
IBIS 建模提示:共模电压直接影响 IBIS 模型中 [Voltage Range] 和 [Pullup]/[Pulldown] 曲线的参考电平。在 T22ULP 工艺下,建议在 IBIS 模型中明确标注 VCM 的工艺角变化范围,以便 SI 仿真时覆盖最差情况。
2.3 摆幅电压(VOD)
摆幅电压(VOD)定义为 D+ 与 D- 之间的电压差值:
V_OD = |V(D+) - V(D-)|
LVDS 标准规定 VOD 的典型值为 350 mV,允许范围为 250 mV ~ 450 mV。摆幅电压的大小直接影响功耗与信号完整性:
- 摆幅越大:噪声容限越高,但功耗增加,EMI 恶化。
- 摆幅越小:功耗降低,但对通道损耗更敏感,需要更高质量的信号链路。
T22ULP 工艺下,LVDS IP 通常提供可编程摆幅控制(如 200 mV / 350 mV / 500 mV 三档),以适应不同应用场景。
| 摆幅档位 | 典型 VOD | 功耗(相对值) | 适用场景 |
|---|---|---|---|
| 低功耗 | 200 mV | 0.6× | 短距离片间互联(<5 cm) |
| 标准 | 350 mV | 1.0× | 通用 LVDS 互联(5~50 cm) |
| 增强 | 500 mV | 1.4× | 长距离或高损耗通道(>50 cm) |
2.4 输出阻抗(ROUT)
LVDS 发送端的输出阻抗需要与传输线特性阻抗匹配,以抑制反射。标准要求差分输出阻抗为 100 Ω ± 20%(即 80 Ω ~ 120 Ω)。
在 T22ULP 工艺中,输出阻抗通常通过以下方式实现:
- 片上终端电阻:在发送端内部集成 100 Ω 差分电阻,减少外部元件。
- 阻抗校准电路:通过片外精密电阻(如 10 kΩ)校准片上电阻的工艺角偏差。
- 可编程阻抗:支持 80 Ω / 100 Ω / 120 Ω 三档选择,适应不同 PCB 阻抗。
SI 风险提示:若输出阻抗与传输线阻抗失配超过 ±10%,反射将导致眼图闭合、抖动增加。IBIS 模型中必须准确描述输出阻抗的频率特性(DC 到 5 GHz),而非仅提供 DC 值。
2.5 输入阈值(VTH)
LVDS 接收端通过差分比较器检测输入信号。输入阈值定义为接收端能够正确识别逻辑“0”和逻辑“1”的最小差分电压。标准规定:
- 差分输入阈值:|VID| ≥ 100 mV 时,接收端保证正确识别逻辑状态。
- 迟滞:典型接收端内置 20~50 mV 迟滞,防止噪声引起误触发。
- 共模抑制:在共模电压 0.3 V ~ 2.4 V 范围内,阈值保持恒定。
| 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 差分输入阈值 | VCM = 1.2 V | — | ±100 | — | mV |
| 输入迟滞 | — | 20 | 35 | 50 | mV |
| 共模抑制比 | DC ~ 1 MHz | 60 | 80 | — | dB |
IBIS 建模关键:输入阈值决定了 IBIS 模型中 [Receiver Threshold] 参数。在 T22ULP 工艺下,需在 IBIS 模型中分别定义 VTH+ 和 VTH-,并标注迟滞窗口。SI 仿真时,阈值漂移会直接影响时序裕量,建议在 IBIS 模型中包含工艺角最差情况下的阈值数据。
2.6 电气特性总结
下表汇总了 T22ULP LVDS IP 设计中的核心电气参数,供 IBIS 建模与 SI 仿真参考:
| 电气参数 | 符号 | 典型值 | 范围 | IBIS 模型对应字段 |
|---|---|---|---|---|
| 共模电压 | VCM | 1.2 V | 0.3 ~ 2.4 V | [Voltage Range] |
| 摆幅电压 | VOD | 350 mV | 250 ~ 450 mV | [Pullup]/[Pulldown] 曲线 |
| 差分输出阻抗 | ROUT | 100 Ω | 80 ~ 120 Ω | [Ramp] / [Rseries] |
| 差分输入阈值 | VTH | ±100 mV | — | [Receiver Threshold] |
| 输入迟滞 | VHYS | 35 mV | 20 ~ 50 mV | [Receiver Threshold] 迟滞字段 |