2. 第2节
我们先从最基本的马赫-曾德尔干涉仪（MZI）结构讲起。你想象一下，两根波导并排走，中间有两个耦合器，这就是MZI的骨架。我刚开始接触这东西的时候也觉得挺直观，但真正上手做测试才发现，里面的门道比表面看起来要多得多。
2.1 基本结构回顾
一个标准的MZI由以下几个部分组成：
- 输入端口：光信号从这里进来，通常是单模波导。
- 第一个分束器：通常是定向耦合器或多模干涉耦合器（MMI），把光分成两路。
- 两个干涉臂：光在这两段波导里传播，积累相位差。
- 第二个合束器：两路光在这碰到一起，再经过一个耦合器输出。
- 输出端口：一般有两个，一个叫交叉端口，一个叫直通端口。
2.2 传输函数的数学推导
好，我们来推公式。我个人习惯先写出耦合器的传输矩阵。
对于一个理想的3-dB耦合器，它的传输矩阵是：
E_out1 = [1/√2 j/√2] [E_in1]
E_out2 [j/√2 1/√2] [E_in2]这个j代表90度的相移，也就是光从直通臂进来，有90度相移才到交叉臂。
假设光从端口1进来，E_in1 = 1，E_in2 = 0。经过第一个耦合器后：
E_upper = 1/√2 (上臂，无相移)
E_lower = j/√2 (下臂，多了90度)然后两臂分别传播路径长度L1和L2，积累的相位是βL1和βL2：
E_upper' = (1/√2) * exp(jβL1)
E_lower' = (j/√2) * exp(jβL2)这里β=2πn_eff/λ，是传播常数。
接着进入第二个耦合器。注意，第二个耦合器是从头到尾反过来用的，矩阵同样是：
E_out1 = [1/√2 j/√2] [E_upper']
E_out2 [j/√2 1/√2] [E_lower']把E_upper'和E_lower'代入，算一下：
输出端口的最终表达式：
E_out1 = (1/2) * exp(jβL1) + (j²/2) * exp(jβL2)
= (1/2) * [exp(jβL1) - exp(jβL2)]
E_out2 = (j/2) * exp(jβL1) + (j/2) * exp(jβL2)
= (j/2) * [exp(jβL1) + exp(jβL2)]取强度（模平方）：
∣E_out1∣² = 1/4 * |exp(jβL1) - exp(jβL2)|²
= 1/4 * [2 - 2cos(βΔL)]
= (1/2) * [1 - cos(βΔL)]
= sin²(βΔL/2)
∣E_out2∣² = 1/4 * |exp(jβL1) + exp(jβL2)|²
= 1/4 * [2 + 2cos(βΔL)]
= (1/2) * [1 + cos(βΔL)]
= cos²(βΔL/2)你看，输出1是sin²函数，输出2是cos²函数。这就是干涉的本质。我当年推导的时候，卡在j²那个符号上卡了一下午，后来发现其实是相位符号的问题。
2.3 关键参数汇总
MZI设计时，有几个参数决定了一切。我们列个表：
| 参数 | 符号 | 公式 | 物理意义 |
|---|---|---|---|
| 自由光谱范围 | FSR | FSR = λ² / (n_g · ΔL) | 两个相邻干涉峰之间的波长间隔 |
| 消光比 | ER | ER = 10log₁₀(P_max / P_min) | 信号对比度，理想是无穷大 |
| 插入损耗 | IL | IL = -10log₁₀(P_out / P_in) | 经过MZI后的光功率损失 |
| 相位灵敏度 | dφ/dλ | dφ/dλ = -(2π/λ²) · n_eff · ΔL | 波长变化对相位的影响 |
说白了，你要设计MZI，先定FSR，然后算臂长差ΔL。这是第一步。然后看消光比，如果加工不好，消光比做不高，校准起来很头痛。我个人建议在仿真阶段就预留2-3倍的余量。
2.4 相位校准的核心——为什么会漂移？
你现在理解了传输函数，但你会发现实际测试和理论总对不上。为什么会这样？三个原因：
- 工艺偏差：波导的宽度和厚度在高精度流片里也有±10nm的波动。
- 热效应：环境温度变一度，硅波导的有效折射率就变不少。
- 色散：不同波长的群折射率不一样，导致ΔL对应的相位差非线性。
我之前做过一个项目，用MZI做光计算芯片，初始测试时相位误差超过10度，算出来的结果根本没法看。后来就是通过内置加热器一个个调相位，才把误差压到1度以下。
2.5 本章小结
我们从头到尾把MZI的结构和传输函数过了一遍。核心就是两条：耦合器矩阵和干涉臂的相位差。记住那两条sin²/cos²的公式，将来做相位校准的时候，所有算法都离不开它们。至于怎么从测试数据反推相位误差，那是后面章节的内容。