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氮化镓外延生长技术核心要点

共计 30 章节
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01
课程导入
氮化镓外延生长的行业背景 · 技术价值 · 学习目标与课程整体框架
课程导入氮化镓外延生长的…
02
氮化镓材料基础
晶体结构 · 能带特性 · 极化效应及其对外延生长的影响
氮化镓材料基础晶体结构
03
外延衬底选择
蓝宝石 · 碳化硅 · 硅
外延衬底选择蓝宝石
04
外延生长方法总览
MOCVD · MBE · HVPE
外延生长方法总览MOCVD
05
MOCVD系统详解
反应室结构 · 气体输运 · 加热方式
MOCVD系统详解
06
MOCVD生长动力学
热力学 · 表面反应 · 吸附/脱附
MOCVD生长动力学
07
氮化镓成核层生长
低温成核层的作用 · 厚度/温度/压力优化及对晶体质量的影…
氮化镓成核层生长低温成核层的作用
08
缓冲层与应力调控
AlN/AlGaN缓冲层 · 超晶格 · 应力补偿技术
缓冲层应力调控
09
氮化镓本征层生长
生长温度 · V/III比 · 生长速率对表面形貌和位错密度的影响
氮化镓本征层生长生长温度
10
p型氮化镓掺杂
Mg掺杂机理 · 激活退火工艺 · 补偿效应与空穴浓度提升
p型氮化镓掺杂Mg
11
n型氮化镓掺杂
Si掺杂特性 · 掺杂浓度控制 · 表面形貌与电学性能关联
n型氮化镓掺杂Si
12
InGaN量子阱生长
铟并入效率 · 生长温度/压力/载气对In组分和相分…
InGaN量子阱生长
13
AlGaN材料生长
Al组分控制 · 高Al组分下的缺陷与应力问题
AlGaN材料生长
14
异质结与二维电子气
AlGaN/GaN异质结界面工程 · 极化诱导2DEG的形成
异质结二维电子气
15
外延缺陷控制
位错类型 · 产生机制 · 降低位错密度的策略（ELO
外延缺陷控制位错类型
16
表面形貌表征
AFM · SEM · XRD
表面形貌表征AFM
17
外延层电学表征
霍尔测试 · CV测试 · 接触电阻测量与数据分析
外延层电学表征霍尔测试
18
外延层光学表征
吸收 · 透射 · 光致发光
外延层光学表征吸收
19
外延生长中的热管理
温度均匀性 · 热应力 · 翘曲与开裂控制
外延生长热管理
20
外延生长中的气体安全与工艺安全
氨气 · 氢气 · 金属有机源的安全操作与废气处理
外延生长气体安全
21
硅基氮化镓外延
硅衬底上的应力管理 · 裂纹抑制 · 缓冲层设计
硅基氮化镓外延硅衬底上的应力管…
22
氮化镓功率器件外延
高耐压结构设计 · 缓冲层漏电抑制 · 动态导通电阻优化
氮化镓功率器件外…高耐压结构设计
23
氮化镓射频器件外延
高频高功率应用的外延结构 · 薄势垒层与栅极工程
氮化镓射频器件外…高频高功率应用的…
24
氮化镓LED外延
多量子阱结构 · 发光效率提升 · 波长均匀性控制
LED氮化镓
25
氮化镓激光器外延
非极性/半极性面生长 · 应力与缺陷控制 · 腔面解理
氮化镓激光器外延非极性
26
外延生长中的原位监测
反射高能电子衍射 · 光学反射率 · 温度监测与闭环控制
外延生长原位监测
27
外延工艺重复性与良率提升
工艺窗口 · 设备维护 · 批次一致性控制方法
外延工艺重复性良率提升
28
常见外延缺陷与失效分析
V型坑 · 裂纹 · 表面粗糙
常见外延缺陷失效分析
29
外延技术前沿与趋势
GaN-on-GaN · 二维材料缓冲层 · 深紫外LED
外延技术前沿趋势
30
综合实战项目
从衬底准备到外延片测试的完整流程设计 · 结合案例进行工艺优化与问题排查
综合实战项目从衬底准备到外延…