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芯片硬件与光电工程
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017-宽禁带半导体与功率器件制造
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《宽禁带材料可靠性测试工程》
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宽禁带半导体材料可靠性测试标准解读
共计 30 章节
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01
课程导入
宽禁带半导体(SiC · GaN等)的产业背景 · 可靠性测试的重要性
课程导入
SiC
02
宽禁带半导体材料基础
能带结构 · 临界电场 · 热导率等关键物理特性及其对可靠性的影…
宽禁带半导体材料…
能带结构
03
可靠性测试标准体系概览
JEDEC · AEC-Q · IEC
可靠性测试标准体…
JEDEC
04
核心可靠性测试项目分类
高温工作寿命(HTOL) · 高温栅偏压(HTGB) · 温度循环(TC)
核心可靠性测试项…
HTOL
05
测试样品准备与设计
样品数量 · 封装形式 · 测试夹具
测试样品准备
设计
06
高温可靠性测试标准详解
HTGB · HTRB(高温反偏)的测试条件 · 失效判据与标准差异
高温可靠性测试标…
HTGB
07
功率循环测试标准
功率循环测试的负载条件 · 结温测量方法(TSEP) · 失效模式分析
功率循环测试标准
功率循环测试的负…
08
温度循环与热冲击测试
JESD22-A104 · MIL-STD-883等标准中的温度… · 驻留时间
温度循环
热冲击测试
09
湿度与偏置测试(HAST、THB)
高加速应力测试的条件设置 · 漏电流监测与失效机理
HAST
THB
10
静电放电(ESD)与闩锁测试
人体模型(HBM) · 充电器件模型(CDM)在宽禁带器件中…
ESD
静电放电
11
栅极氧化物可靠性测试
TDDB(时间相关介质击穿) · Vth漂移 · BTI(偏置温度不稳定性)测试方法
栅极氧化物可靠性…
TDDB
12
动态可靠性测试
开关应力下的动态高温工作寿命(DHT… · 动态栅极应力测试
动态可靠性测试
DHT
13
测试数据分析与失效物理
Weibull分布 · Arrhenius模型 · 激活能提取及寿命外推方法
测试数据分析
失效物理
14
失效分析技术
SEM · TEM · EDX
失效分析技术
SEM
15
SiC MOSFET可靠性测试案例
典型测试流程 · 常见失效模式(栅氧击穿 · 体二极管退化)及标准应用
SiC
MOSFET
16
GaN HEMT可靠性测试案例
电流崩塌 · 动态导通电阻退化 · 热电子效应及测试标准适配
GaN
HEMT
17
宽禁带器件封装可靠性
芯片贴装 · 引线框架 · 基板热膨胀系数匹配及封装级测试标准
宽禁带器件封装可…
芯片贴装
18
车规级可靠性测试要求
AEC-Q101与AQG-324对S…
车规级可靠性测试…
AEC-Q101
19
航天与高可靠应用标准
MIL-STD-883 · ESA/SCC等对宽禁带材料的附加测…
航天
高可靠应用标准
20
测试标准中的加速模型
温度 · 电压 · 湿度加速因子计算及标准中的模型选择
测试标准
加速模型
21
测试设备与校准
热流罩 · 温控平台 · 高压源表
测试设备
校准
22
测试方案设计实战
根据产品规格书制定可靠性测试计划 · 包括测试矩阵 · 样本量
测试方案设计实战
根据产品规格书制…
23
测试执行与数据记录
测试过程中的监控参数 · 数据采集频率 · 异常处理流程
测试执行
数据记录
24
可靠性测试报告撰写
报告结构 · 数据呈现 · 失效分析结论及标准符合性声明
可靠性测试报告撰…
报告结构
25
标准差异对比
JEDEC与AEC-Q在测试条件 · 样本量 · 接受准则上的主要差异
标准差异对比
JEDEC
26
常见问题与误区
测试条件选择不当 · 样本量不足 · 失效判据模糊等典型错误及规避方法
常见问题
误区
27
宽禁带材料特有可靠性挑战
缺陷演化 · 位错滑移 · 材料外延层质量对可靠性的影响
宽禁带材料特有可…
缺陷演化
28
新兴测试标准动态
宽禁带半导体可靠性测试标准的更新趋势 · 行业白皮书与未来方向
新兴测试标准动态
宽禁带半导体可靠…
29
综合实战项目
针对一款SiC MOSFET设计完整… · 并模拟数据分析与寿命预测
综合实战项目
SiC
30
课程总结与进阶路径
核心知识点回顾 · 常见认证流程 · 推荐参考书籍与行业资源
课程总结
进阶路径
所属VIP或分类
同VIP:GaN外延工艺与参数优化
同VIP:GaN外延生长与缺陷控制
同VIP:SiC-MOSFET寄生参数与器件优化