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《SPICE半导体参数提取实战100例》
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《SPICE半导体参数提取实战100例》
共 100 例
01
MOSFET直流特性曲线测量与SPICE模型初步拟合
02
MOSFET阈值电压提取：常数电流法与最大跨导法对比
03
MOSFET亚阈值摆幅提取与亚阈值区模型校准
04
MOSFET迁移率退化参数提取：有效迁移率与垂直场关系
05
MOSFET沟道长度调制系数提取与输出电阻校准
06
MOSFET源漏串联电阻提取：传输线法与多器件法
07
MOSFET体效应系数提取：体偏压对阈值电压的影响
08
MOSFET短沟道效应参数提取：阈值电压滚降与DIBL
09
MOSFET窄沟道效应参数提取：阈值电压随宽度变化
10
MOSFET栅极漏电流模型参数提取：直接隧穿与Fowler-Nordheim
11
MOSFET栅极感应漏极漏电（GIDL）参数提取
12
MOSFET热载流子注入效应参数提取与老化模型
13
MOSFET负偏压温度不稳定性（NBTI）参数提取
14
MOSFET正偏压温度不稳定性（PBTI）参数提取
15
MOSFET随机电报噪声（RTN）参数提取与仿真
16
MOSFET低频噪声模型参数提取：1/f噪声
17
MOSFET高频小信号模型参数提取：S参数法
18
MOSFET电荷模型参数提取：栅电荷与电容-电压特性
19
MOSFET温度特性参数提取：迁移率与阈值电压温度系数
20
MOSFET工艺角模型提取：TT/SS/FF/SF/FS
21
MOSFET蒙特卡洛模型参数提取：局部与全局变异
22
MOSFET失配模型参数提取：Pelgrom系数
23
MOSFET自热效应参数提取：热阻与热容
24
MOSFET衬底电流模型参数提取：碰撞电离系数
25
MOSFET雪崩击穿模型参数提取
26
MOSFET栅极电阻提取：多指结构高频特性
27
MOSFET版图寄生参数提取：源漏接触电阻与互连电容
28
MOSFET动态阈值电压模型参数提取
29
MOSFET栅极功函数参数提取：C-V法
30
MOSFET氧化层厚度提取：C-V累积区法
31
MOSFET掺杂浓度提取：C-V耗尽区法
32
MOSFET界面态密度提取：C-V法
33
MOSFET多晶硅耗尽效应参数提取
34
MOSFET反型层电容参数提取
35
MOSFET漏致势垒降低（DIBL）参数提取：不同漏压法
36
MOSFET亚阈值斜率退化参数提取：短沟道效应
37
MOSFET速度饱和参数提取：高场迁移率模型
38
MOSFET碰撞电离参数提取：衬底电流与漏压关系
39
MOSFET栅致漏极漏电（GIDL）参数提取：栅漏电压扫描
40
MOSFET热载流子退化模型参数提取：衬底电流法
41
MOSFET NBTI退化模型参数提取：应力电压与温度依赖
42
MOSFET PBTI退化模型参数提取：应力时间依赖
43
MOSFET随机电报噪声（RTN）参数提取：时域测量法
44
MOSFET低频噪声参数提取：输入参考噪声
45
MOSFET高频噪声参数提取：最小噪声系数
46
MOSFET小信号等效电路参数提取：Y参数法
47
MOSFET高频电容参数提取：截止频率法
48
MOSFET最大振荡频率参数提取
49
MOSFET功率增益参数提取：Mason增益
50
MOSFET稳定因子参数提取
51
MOSFET噪声参数提取：噪声相关矩阵
52
MOSFET温度模型参数提取：迁移率温度指数
53
MOSFET温度模型参数提取：阈值电压温度系数
54
MOSFET温度模型参数提取：亚阈值摆幅温度系数
55
MOSFET温度模型参数提取：饱和电流温度系数
56
MOSFET工艺角模型提取：基于统计数据的参数集
57
MOSFET蒙特卡洛模型提取：局部变异参数
58
MOSFET蒙特卡洛模型提取：全局变异参数
59
MOSFET失配模型提取：阈值电压失配
60
MOSFET失配模型提取：电流因子失配
61
MOSFET自热效应参数提取：脉冲I-V法
62
MOSFET自热效应参数提取：交流电热法
63
MOSFET衬底电流模型参数提取：碰撞电离系数
64
MOSFET雪崩击穿模型参数提取：击穿电压与温度关系
65
MOSFET栅极电阻提取：多指结构S参数法
66
MOSFET版图寄生参数提取：源漏接触电阻
67
MOSFET版图寄生参数提取：互连电容
68
MOSFET动态阈值电压模型参数提取：瞬态法
69
MOSFET栅极功函数参数提取：C-V法
70
MOSFET氧化层厚度提取：C-V累积区法
71
MOSFET掺杂浓度提取：C-V耗尽区法
72
MOSFET界面态密度提取：C-V法
73
MOSFET多晶硅耗尽效应参数提取：C-V法
74
MOSFET反型层电容参数提取：C-V法
75
MOSFET漏致势垒降低（DIBL）参数提取：不同漏压法
76
MOSFET亚阈值斜率退化参数提取：短沟道效应
77
MOSFET速度饱和参数提取：高场迁移率模型
78
MOSFET碰撞电离参数提取：衬底电流与漏压关系
79
MOSFET栅致漏极漏电（GIDL）参数提取：栅漏电压扫描
80
MOSFET热载流子退化模型参数提取：衬底电流法
81
MOSFET NBTI退化模型参数提取：应力电压与温度依赖
82
MOSFET PBTI退化模型参数提取：应力时间依赖
83
MOSFET随机电报噪声（RTN）参数提取：时域测量法
84
MOSFET低频噪声参数提取：输入参考噪声
85
MOSFET高频噪声参数提取：最小噪声系数
86
MOSFET小信号等效电路参数提取：Y参数法
87
MOSFET高频电容参数提取：截止频率法
88
MOSFET最大振荡频率参数提取
89
MOSFET功率增益参数提取：Mason增益
90
MOSFET稳定因子参数提取
91
MOSFET噪声参数提取：噪声相关矩阵
92
MOSFET温度模型参数提取：迁移率温度指数
93
MOSFET温度模型参数提取：阈值电压温度系数
94
MOSFET温度模型参数提取：亚阈值摆幅温度系数
95
MOSFET温度模型参数提取：饱和电流温度系数
96
MOSFET工艺角模型提取：基于统计数据的参数集
97
MOSFET蒙特卡洛模型提取：局部变异参数
98
MOSFET蒙特卡洛模型提取：全局变异参数
99
MOSFET失配模型提取：阈值电压失配
100
MOSFET失配模型提取：电流因子失配
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