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芯片硬件与光电工程
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007-BEOL互连与先进金属化工程
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《BEOL多层金属互连流程与Integration关键控制》
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本课程属于:007-BEOL互连与先进金属化工程
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BEOL多层金属互连流程与Integration关键控制
共计 30 章节
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01
课程导入
目标=BEOL在芯片制造中的定位 · 学习目标 · 整体课程框架与学习路径
课程导入
BEOL
02
BEOL基础概念
目标=互连层次 · 金属线/通孔/接触孔 · 介电层
BEOL
基础概念
03
金属互连材料体系
目标=Al · Cu · W
金属互连材料体系
Al
04
介电材料与低k介质
目标=SiO2 · FSG · SiCOH
介电材料
低k介质
05
BEOL工艺流程总览
目标=从接触孔到顶层金属的完整流程与…
BEOL
工艺流程总览
06
单大马士革与双大马士革工艺
目标=定义 · 流程步骤 · 优缺点与适用节点
单大马士革
双大马士革工艺
07
光刻与刻蚀在BEOL中的应用
目标=通孔/沟槽图形化 · 刻蚀选择比 · 关键尺寸控制
BEOL
光刻
08
阻挡层与籽晶层沉积
目标=PVD · ALD · CVD工艺原理
阻挡层
籽晶层沉积
09
铜电镀填充
目标=电镀原理 · 添加剂作用 · 填充缺陷类型与工艺窗口
铜电镀填充
目标=电镀原理
10
化学机械抛光(CMP)
目标=铜CMP · 阻挡层CMP · 碟形凹陷与侵蚀控制
CMP
化学机械抛光
11
介质沉积与平坦化
目标=ILD沉积 · HDP · PECVD
介质沉积
平坦化
12
刻蚀停止层与硬掩模
目标=SiN · SiCN · SiC等材料作用与集成方案
刻蚀停止层
硬掩模
13
空气隙与超低k集成
目标=空气隙形成方法 · 机械强度与可靠性权衡
空气隙
超低k集成
14
金属硬掩模与自对准通孔
目标=SADP · SAQP · 自对准通孔工艺与集成优势
金属硬掩模
自对准通孔
15
BEOL热预算与热稳定性
目标=温度对金属 · 介质 · 界面扩散与应力的影响
BEOL
热预算
16
界面工程与粘附控制
目标=金属/阻挡层/介质界面 · 粘附力 · 扩散阻挡与可靠性
界面工程
粘附控制
17
电迁移与应力迁移
目标=失效机理 · 影响因素 · 测试结构与工艺改进
电迁移
应力迁移
18
TDDB与介质可靠性
目标=时间相关介质击穿 · 击穿机理与寿命评估
TDDB
介质可靠性
19
RC延迟与互连缩放
目标=电阻电容延迟计算 · 缩放趋势与材料/结构优化
RC
延迟
20
BEOL集成中的缺陷控制
目标=颗粒 · 划伤 · 空洞
BEOL
集成
21
工艺整合与模块交互
目标=光刻-刻蚀-沉积-CMP之间的…
工艺整合
模块交互
22
在线监控与量测
目标=膜厚 · CD · 电阻
线监控
量测
23
良率提升与失效分析
目标=BEOL常见良率问题 · FA流程与案例解析
良率提升
失效分析
24
先进节点BEOL挑战
目标=EUV · 多重曝光 · 超低k
BEOL
先进节点
25
三维集成与TSV
目标=TSV工艺流程 · 与BEOL的集成顺序及关键控制
TSV
三维集成
26
BEOL与FEOL的交互
目标=热预算 · 应力 · 污染
BEOL
FEOL
27
工艺设计套件与设计规则
目标=BEOL设计规则 · DFM · OPC与可制造性检查
工艺设计套件
设计规则
28
案例实战一
目标=28nm/14nm铜互连集成流…
案例实战一
nm/14nm
29
案例实战二
目标=7nm/5nm BEOL集成挑…
案例实战二
nm/5nm
30
综合提升与未来趋势
目标=BEOL技术路线图 · 新材料 · 新结构
综合提升
未来趋势
所属VIP或分类
同VIP:Al-Si接触与TiTiN阻挡层金属化工艺实战
同VIP:Al-Si接触与Ti_TiN阻挡层金属化工艺实战
同VIP:低k介质与铜互连RC延迟协同优化、互连可靠性与电性验证实战