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005-CMP、清洗与晶圆表面工程
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《RCA湿法清洗与兆声波颗粒去除工程》
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本课程属于:005-CMP、清洗与晶圆表面工程
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湿法清洗RCA标准清洗法与兆声波清洗工程应用
共计 30 章节
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01
课程导论
湿法清洗在半导体制造中的重要性 · RCA清洗与兆声波清洗的概述 · 课程目标与学习路径
课程导论
湿法清洗
02
硅片表面污染类型
颗粒污染 · 金属污染 · 有机物污染
硅片表面污染类型
颗粒污染
03
RCA清洗法历史
RCA清洗法的起源(Werner K… · 1965) · 发展历程及在IC制造中的里程碑意义
RCA
清洗法历史
04
RCA清洗化学原理(上)
SC-1(APM)溶液(NH4OH/…
RCA
清洗化学原理
05
RCA清洗化学原理(中)
SC-2(HPM)溶液(HCl/H2…
RCA
清洗化学原理
06
RCA清洗化学原理(下)
DHF(稀释HF)溶液去除自然氧化层…
RCA
清洗化学原理
07
RCA标准清洗流程
经典RCA三步法(SC-1 → DH… · 温度 · 时间及DI水冲洗要求
RCA
标准清洗流程
08
RCA清洗工艺参数优化
温度 · 浓度 · 时间对清洗效率与表面粗糙度的影响及工…
RCA
清洗工艺参数优化
09
RCA清洗的局限性
化学试剂消耗大 · 硅片表面微粗糙度增加 · 金属再沉积风险及环境问题
RCA
清洗的局限性
10
兆声波清洗原理
声空化效应 · 声流效应 · 微射流效应在颗粒去除中的物理机制
兆声波清洗原理
声空化效应
11
兆声波与超声波的区别
频率范围(0.8-2 MHz vs… · 空化气泡尺寸 · 损伤风险对比
兆声波
超声波的区别
12
兆声波清洗系统组成
压电换能器 · 石英槽/硅片架 · 兆声波发生器
兆声波清洗系统组…
压电换能器
13
兆声波清洗工艺参数
频率 · 功率密度 · 温度
兆声波清洗工艺参…
频率
14
兆声波与RCA结合工艺
SC-1+兆声波协同清洗 · DHF+兆声波去除颗粒与氧化层的工程…
RCA
兆声波
15
单晶圆兆声波清洗
单晶圆旋转喷淋+兆声波技术(如DNS…
单晶圆兆声波清洗
DNS
16
批式兆声波清洗
槽式批量清洗(如TEL ACT系列)…
批式兆声波清洗
TEL
17
兆声波清洗中的损伤控制
硅片边缘损伤 · 图案坍塌 · 换能器老化检测与预防措施
兆声波清洗
损伤控制
18
清洗后干燥技术
旋转干燥(SRD) · IPA蒸汽干燥(Marangoni干… · 超临界CO2干燥原理与对比
清洗后干燥技术
SRD
19
清洗质量检测方法
颗粒计数器(LPC) · 金属杂质分析(ICP-MS) · 表面粗糙度(AFM)
清洗质量检测方法
LPC
20
RCA清洗在先进制程中的应用
28nm以下节点对清洗洁净度的挑战及…
RCA
清洗
21
兆声波清洗在3D NAND中的应用
高深宽比沟道清洗 · 阶梯结构颗粒去除的工程案例
NAND
兆声波清洗
22
兆声波清洗在CMP后清洗中的应用
CMP浆料颗粒去除 · 金属残留清洗与表面钝化
CMP
兆声波清洗
23
RCA清洗替代方案
稀释RCA · 臭氧水清洗 · 电化学清洗
RCA
清洗替代方案
24
化学试剂管理与安全
SC-1/SC-2/DHF的配制 · 浓度监测 · 废液处理及安全操作规程
化学试剂管理
安全
25
清洗设备维护与故障排除
兆声波换能器更换 · 石英槽清洗 · 过滤器更换
清洗设备维护
故障排除
26
工艺集成与自动化
清洗模块在自动化生产线中的集成 · 配方管理 · SECS/GEM通信协议
工艺集成
自动化
27
成本与产能分析
RCA与兆声波清洗的化学品成本 · DI水消耗 · 设备投资回报率(ROI)计算
成本
产能分析
28
环境与安全法规
SEMI标准 · 化学品排放法规 · 职业健康安全(OHS)要求
环境
安全法规
29
未来趋势
无水清洗 · 低温清洗 · AI辅助工艺优化
未来趋势
无水清洗
30
综合案例与课程总结
典型28nm CMOS清洗流程设计 · 常见工艺问题解决 · 课程知识体系回顾
综合案例
课程总结
所属VIP或分类
同VIP:CMP与湿法清洗从缺陷定位到量产验证项目
同VIP:CMP材料去除率、非均匀性与表面缺陷协同优化
同VIP:CMP终点检测与平坦化控制工程