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本课程属于：005-CMP、清洗与晶圆表面工程 芯片硬件与光电工程 · 共 5 门相关课程，组合学习更完整。
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晶圆湿法清洗、表面终止与污染控制工程

共计 30 章节
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01
课程导入
目标=晶圆湿法清洗在集成电路制造中的… · 学习目标 · 核心概念与整体课程框架
课程导入目标=晶圆湿法清…
02
半导体表面与界面基础
目标=硅表面结构 · 晶向 · 悬挂键
半导体表面界面基础
03
污染类型与来源
目标=颗粒 · 金属 · 有机物
污染类型来源
04
清洗化学基础
目标=酸碱理论 · 氧化还原 · 络合作用
清洗化学基础目标=酸碱理论
05
超纯水与化学品
目标=UPW制备 · 化学品等级 · 颗粒过滤
超纯水化学品
06
RCA标准清洗
目标=SC-1 · SC-2 · DHF
RCA标准清洗
07
颗粒去除机理
目标=范德华力 · 双电层 · 超声/兆声波
颗粒去除机理目标=范德华力
08
金属污染控制
目标=金属吸附/解吸机理 · 络合剂选择 · SC-2与酸性清洗的金属去除
金属污染控制目标=金属吸附
09
有机物去除
目标=SPM · 臭氧水 · UV/O3
有机物去除SPM
10
表面终止与钝化
目标=氢终止 · 氧终止 · 氟终止
表面终止钝化
11
湿法刻蚀与清洗的耦合
目标=各向同性/异性刻蚀 · 选择比 · 刻蚀速率与表面粗糙度控制
湿法刻蚀清洗的耦合
12
兆声波与超声清洗
目标=频率 · 功率密度 · 空化效应
兆声波超声清洗
13
单片旋转清洗与批式清洗
目标=设备结构 · 流体力学 · Marangoni干燥
单片旋转清洗批式清洗
14
干燥技术
目标=旋转甩干 · IPA蒸汽干燥 · Marangoni干燥
干燥技术目标=旋转甩干
15
清洗后表面表征
目标=接触角 · XPS · TOF-SIMS
清洗后表面表征目标=接触角
16
颗粒与缺陷检测
目标=激光散射 · SPC · KLA Surfscan
颗粒缺陷检测
17
金属与离子污染检测
目标=VPD-ICPMS · TXRF · 全反射XRF与痕量分析灵敏度
金属离子污染检测
18
清洗工艺集成
目标=FEOL · MOL · BEOL中的清洗步骤
清洗工艺集成FEOL
19
先进节点挑战
目标=FinFET · GAA · 3D NAND
先进节点挑战FinFET
20
新介质与新材料清洗
目标=High-k · 金属栅 · Ge
新介质新材料清洗
21
光刻相关清洗
目标=涂胶前清洗 · 显影后清洗 · 去胶
光刻相关清洗目标=涂胶前清洗
22
CMP后清洗
目标=磨料颗粒去除 · 金属残留 · 腐蚀抑制与刷洗/兆声波组合
CMP后清洗
23
污染控制工程
目标=洁净室等级 · FOUP管理 · AMC控制
污染控制工程目标=洁净室等级
24
工艺窗口与实验设计
目标=DOE · 响应面法 · 清洗时间/温度/浓度优化与鲁棒性
工艺窗口实验设计
25
常见问题与故障排除
目标=颗粒再沉积 · 金属沾污 · 水痕
常见问题故障排除
26
案例实战一
目标=28nm逻辑芯片FEOL清洗流…
案例实战一nm
27
案例实战二
目标=3D NAND高深宽比沟槽清洗…
案例实战二NAND
28
案例实战三
目标=化合物半导体表面终止与欧姆接触…
案例实战三目标=化合物半导…
29
综合提升
目标=从清洗到表面工程 · 工艺整合 · 良率提升与成本控制
综合提升目标=从清洗到表…
30
课程总结与前沿展望
目标=绿色清洗 · 原子层清洗 · AI工艺控制与未来挑战
课程总结前沿展望