把课程导论落到模块边界与接口契约的触发条件、可观察状态和复查材料上，先判断问题从哪里收窄。
在650V/1200V高压功率变换场景中，GaN HEMT与SiC MOSFET的选型错误是导致电源模块热失控、效率不达标甚至批量的首要原因。一位工程师曾因在65W快充中误用SiC器件导致驱动振荡，又在11kW车载OBC（On-Board Charger）中因GaN的dv/dt耐受不足引发栅极击穿——这些真实故障的根源，并非器件本身优劣，而是缺乏一套可量化的选型边界判断标准。本节作为课程导论，将直接对比GaN HEMT与SiC MOSFET的静态/动态参数，明确在快充、光伏、车载OBC三大场景中的选型红线与驱动设计起点
某300W氮化镓适配器开发中，工程师选用650V GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管），但在满载老化时连续出现栅极电压过冲导致器件失效。排查发现：驱动回路寄生电感未控制在2nH以内，且未针对GaN的阈值电压（Vth）漂移特性设计负压关断。本课程将从这类具体故障出发，建立从参数解读到驱动验证的完整链路
选型的第一步是回归器件物理。GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）与SiC MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）在650V和1200V两个电压平台上表现出截然不同的特性。下表从关键参数维度进行对比，直接服务于选型决策
650V 平台：GaN HEMT 在快充（<100W）和1kW以下高频DC-DC中效率领先，但必须严格管控驱动回路寄生电感（<2nH）。1200V 平台：SiC MOSFET 在光伏逆变器（组串式1500V系统）和车载OBC（11kW~22kW）中因耐压和热可靠性成为主流，GaN 1200V器件尚在商业化早期
本课程不绕弯子，直接“选型→驱动设计→测试验证”的主链路对应具体对象、动作和检查结果。下图是整门课的学习路径，本节作为起点，重点完成GaN/SiC指标复盘与650V/1200V指标复盘，为后续驱动电路参数计算和PCB布局打下基础
LMG3410集成驱动方案与SiC的UCC21710隔离驱动参数计算本节完成后，请立即完成一个动作：打开你当前项目的原理图，核对GaN/SiC器件的栅极驱动电压是否落在数据手册推荐的绝对最大值（Absolute Maximum Ratings）的80%以内。若GaN驱动电压超过+6V或SiC负压超过-8V，标记为高风险项
项目课开篇先梳理可接手主线：GaN HEMT栅极阈值电压漂移与零电压开通条件计算对应工程入口，SiC MOSFET体二极管反向恢复特性与桥式电路死区优化对应可运行材料，TI LM5114驱动GaN HEMT：栅极电荷匹配与负压关断设计对应后续验收或风险位置。后面使用讲义、结构图、清单或示例时，可以把数据、从快充炸机到车载OBC失效和为什么选型边界决定成败放在同一张交付检查线上，判断成果能否被复现和接续开发。读者不必在开头完成实现，但要知道换到新设备、新数据或新约束时要确认对象边界、输入输出和证明材料，判断项目是否已经落地。