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半导体工艺整合与流程

共计 30 章节
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01
半导体产业概述
半导体材料分类 · 集成电路发展史 · 摩尔定律与工艺节点演进
半导体产业概述半导体材料分类
02
晶圆制备
单晶硅生长方法（CZ法 · FZ法） · 晶圆切割
晶圆制备CZ
03
洁净室与厂务设施
洁净室等级标准 · 气流组织 · 静电防护
洁净室厂务设施
04
光刻工艺基础
光刻原理 · 光刻胶类型（正胶/负胶） · 光刻工艺流程（涂胶
光刻工艺基础光刻原理
05
光刻设备与分辨率增强
步进式光刻机 · 浸没式光刻 · 多重图形技术
光刻设备分辨率增强
06
掩模版制造
掩模版材料 · 电子束直写 · 掩模版检测与修复
掩模版制造掩模版材料
07
薄膜沉积技术（CVD）
化学气相沉积原理 · LPCVD/PECVD/ALD工艺特…
CVD薄膜沉积技术
08
薄膜沉积技术（PVD）
物理气相沉积原理 · 蒸发镀膜 · 溅射镀膜
PVD薄膜沉积技术
09
氧化与扩散
热氧化工艺（干氧/湿氧） · 扩散掺杂原理 · 推进与预淀积
氧化扩散
10
离子注入
离子注入原理 · 注入损伤与退火 · 沟道效应
离子注入离子注入原理
11
刻蚀工艺基础
湿法刻蚀与干法刻蚀原理 · 刻蚀速率 · 选择比
刻蚀工艺基础湿法刻蚀
12
反应离子刻蚀（RIE）
RIE设备结构 · 刻蚀气体化学 · 聚合物沉积与侧壁保护
RIE反应离子刻蚀
13
化学机械抛光（CMP）
CMP原理 · 抛光液与抛光垫 · 平坦化能力
CMP化学机械抛光
14
清洗与湿法工艺
RCA标准清洗 · SC-1/SC-2溶液 · 兆声清洗
清洗湿法工艺
15
CMOS工艺流程概览
CMOS反相器结构 · 阱形成 · 栅极定义
CMOS工艺流程概览
16
浅槽隔离（STI）工艺
STI工艺流程 · 沟槽刻蚀 · 氧化物填充
STI浅槽隔离
17
栅极堆叠工艺
多晶硅栅极 · 高k介质/金属栅极（HKMG） · 功函数调节
栅极堆叠工艺多晶硅栅极
18
源漏工程
轻掺杂漏（LDD） · 侧墙（Spacer）形成 · 源漏重掺杂
源漏工程LDD
19
接触与通孔工艺
接触孔刻蚀 · 钨塞填充 · 阻挡层（Ti/TiN）
接触通孔工艺
20
铜互连与双大马士革工艺
铜电镀 · 双大马士革流程 · 低k介质
铜互连双大马士革工艺
21
后段制程（BEOL）集成
金属层堆叠 · 层间介质（ILD） · 钝化层
BEOL后段制程
22
先进逻辑工艺（FinFET）
FinFET结构优势 · 鳍片形成 · 栅极全包围（GAA）FET简介
FinFET先进逻辑工艺
23
先进存储工艺（DRAM）
DRAM单元结构 · 深沟槽电容 · 堆叠电容
DRAM先进存储工艺
24
先进存储工艺（NAND Flash）
3D NAND架构 · 电荷俘获层 · 字线/位线堆叠
NANDFlash
25
功率器件工艺
VDMOS · IGBT · SiC/GaN功率器件工艺特点
功率器件工艺VDMOS
26
MEMS与传感器工艺
体硅微加工 · 表面微加工 · 压阻/电容式传感器
MEMS传感器工艺
27
工艺整合与设计规则
设计规则（DRC） · 工艺窗口 · 光刻-刻蚀偏置
工艺整合设计规则
28
良率与缺陷控制
缺陷分类（颗粒 · 划伤 · 桥接）
良率缺陷控制
29
工艺仿真与TCAD
工艺仿真工具（Sentaurus · TSUPREM4） · 掺杂分布模拟
TCAD工艺仿真
30
半导体工艺未来趋势
EUV光刻 · 纳米片/CFET · 背面供电
半导体工艺未来趋…EUV