4、转换控制寄存器：TCR_ELx配置、IPS/TSZ/TG等字段含义、页表基址寄存器TTBR0/1
MMU 的核心，说白了就是一张“虚拟地址 → 物理地址”的映射表。但光有表不行，你得告诉硬件怎么查这张表、表有多大、每页多大、查表时用几级索引。这些配置，全压在 TCR_ELx（Translation Control Register）和 TTBR0/1（Translation Table Base Register）上。
我刚开始接触 ARMv8 的 MMU 时，觉得寄存器名字又长又多，头大。后来调过几次页表报错，才明白这几个寄存器就是 MMU 的“大脑”。配置错了，系统直接挂给你看。
4.1 TCR_ELx：转换控制寄存器
TCR_ELx 控制着整个地址翻译的行为。不同异常级有各自的 TCR：
- TCR_EL1：给 OS 内核和用户空间用（EL0/EL1）
- TCR_EL2：给虚拟化监控器用（EL2）
- TCR_EL3：给安全监控器用（EL3）
每个 TCR 的位域结构基本一致，但 EL1 的 TCR 最复杂，因为它要同时管理内核空间和用户空间的翻译。咱们重点讲 TCR_EL1。
4.1.1 IPS：物理地址空间大小
IPS（Intermediate Physical Address Size）告诉 MMU：你的物理地址总线有多宽。ARMv8 支持多种物理地址宽度：
| IPS 编码 | 物理地址宽度 | 最大物理内存 |
|---|---|---|
| 000 | 32 位 | 4 GB |
| 001 | 36 位 | 64 GB |
| 010 | 40 位 | 1 TB |
| 011 | 42 位 | 4 TB |
| 100 | 44 位 | 16 TB |
| 101 | 48 位 | 256 TB |
| 110 | 52 位 | 4 PB |
4.1.2 TG：翻译粒度
TG（Translation Granule）决定页表的最小页面大小。ARMv8 支持三种粒度：
- 4 KB：最常用，兼容性好，页表层级多（4 级）
- 16 KB：中间选项，页表层级少一级
- 64 KB：大页，页表层级最少（2 级），适合大内存系统
我个人习惯在嵌入式场景用 4 KB 粒度。为什么？因为灵活。你想想看，一个系统里既有代码段、数据段，又有外设映射，4 KB 粒度能精细控制权限。64 KB 粒度虽然页表小，但映射外设时容易浪费空间。
4.1.3 T0SZ / T1SZ：地址空间大小
T0SZ 和 T1SZ 控制虚拟地址空间的大小。T0SZ 对应 TTBR0（用户空间），T1SZ 对应 TTBR1（内核空间）。
计算公式很简单：
虚拟地址位数 = 64 - T0SZ
虚拟地址空间大小 = 2^(64 - T0SZ)举个例子：
- T0SZ = 25 → 虚拟地址 39 位 → 512 GB 空间
- T0SZ = 16 → 虚拟地址 48 位 → 256 TB 空间
4.1.4 其他关键字段
| 字段 | 作用 | 我的建议 |
|---|---|---|
| SH | 可共享性（Inner/Outer/Non-shareable） | 多核系统用 Inner Shareable |
| IRGN/ORGN | Cache 策略（Write-Back/Write-Through） | 内存用 Write-Back，外设用 Non-cacheable |
| A1 | ASID 选择（TTBR0 还是 TTBR1） | 一般用 TTBR0 的 ASID |
| EPD0/EPD1 | 禁用 TTBR0/TTBR1 翻译 | 裸机程序可以关掉一个 |
4.2 TTBR0 / TTBR1：页表基址寄存器
TTBR0 和 TTBR1 存放页表的物理基地址。ARMv8 把虚拟地址空间分成两半：
- 低地址空间（TTBR0）：用户空间，地址范围由 T0SZ 决定
- 高地址空间（TTBR1）：内核空间，地址范围由 T1SZ 决定
为什么这么设计？我理解是为了隔离。用户程序只能访问低地址，内核访问高地址。切换进程时，只需要换 TTBR0，TTBR1 保持不变。这样内核页表不用每个进程都重建。
4.2.1 TTBR0 的配置
TTBR0 的格式：
位 [63:48]：ASID（地址空间标识符）
位 [47:x]：页表基地址（物理地址，按粒度对齐）
位 [x-1:0]：保留（必须为 0）注意：基地址必须按页表粒度对齐。4 KB 粒度时，基地址低 12 位必须为 0。64 KB 粒度时，低 16 位为 0。
4.2.2 ASID：地址空间标识符
ASID 是 TTBR0 高 16 位的一个字段。它的作用是：
- 区分不同进程的 TLB 条目
- 进程切换时，TLB 不需要全部刷掉
- 只要 ASID 不同，TLB 可以同时缓存多个进程的映射
我调试过一个性能问题：进程切换频繁，TLB 每次都全刷，性能掉得厉害。加上 ASID 后，TLB 命中率从 60% 升到 95%。
4.3 配置示例：裸机 MMU 初始化
下面是一个简化版的 TCR_EL1 和 TTBR0 配置代码。假设我们使用 4 KB 粒度、39 位虚拟地址、40 位物理地址：
// 配置 TCR_EL1
// IPS = 010 (40位物理地址)
// TG0 = 00 (4KB粒度)
// T0SZ = 25 (39位虚拟地址)
// SH0 = 11 (Inner Shareable)
// ORGN0 = 01 (Write-Back, Write-Allocate)
// IRGN0 = 01 (Write-Back, Write-Allocate)
uint64_t tcr = (2 << 32) | // IPS=010
(0 << 14) | // TG0=00
(25 << 0) | // T0SZ=25
(3 << 12) | // SH0=11
(1 << 10) | // ORGN0=01
(1 << 8); // IRGN0=01
__asm__ volatile("msr tcr_el1, %0" : : "r"(tcr));
// 配置 TTBR0
// 页表基地址: 0x80000000 (物理地址)
// ASID: 0
uint64_t ttbr0 = 0x80000000; // 基地址，低12位为0
__asm__ volatile("msr ttbr0_el1, %0" : : "r"(ttbr0));
// 使能MMU
uint64_t sctlr;
__asm__ volatile("mrs %0, sctlr_el1" : "=r"(sctlr));
sctlr |= 1; // M位=1
__asm__ volatile("msr sctlr_el1, %0" : : "r"(sctlr));4.4 知识结构图
下面这张图展示了 TCR_EL1、TTBR0/1 和页表之间的关系：
4.5 避坑指南
最后，我总结几个实际项目中容易踩的坑：
- IPS 配小了：物理内存访问不到，系统启动一半就挂。检查你的 DDR 地址范围，IPS 必须覆盖所有物理内存。
- T0SZ 和 T1SZ 冲突：两个空间不能重叠。比如 T0SZ=25（低 512 GB），T1SZ=25（高 512 GB），中间留空。如果设成 T0SZ=16（低 256 TB），T1SZ=16（高 256 TB），中间没有空隙，但地址会重叠？不会，ARM 规定 TTBR0 和 TTBR1 空间不重叠，由硬件保证。
- TTBR 基地址未对齐：MMU 直接忽略低几位，导致页表地址错位。我建议在代码里加断言检查对齐。
- 使能 MMU 前页表未初始化：MMU 一开，第一条指令就取指失败。我习惯在使能前先写一个 dummy 页表，映射当前代码段。