VIP20
本课程属于：040-半导体良率核心技能 半导体工艺与制造设备 · 共 20 门相关课程，组合学习更完整。
查看所属VIP全部课程 →
← 返回所属目录 咨询 / 购买

良率调试流程：异常Wafer定位与工艺窗口修正

共计 30 章节
点击此处阅读海量试读课程：100+行业、1000+细分领域
01
良率调试概述
良率定义 · 良率分类（CP/FT） · 调试流程总览
良率调试概述良率定义
02
异常Wafer定义
异常Wafer判定标准 · SPC规则（Western Elec… · Cpk与良率关系
Wafer异常
03
数据采集与清洗
E-Test数据源 · Map图数据格式 · 异常值剔除与标准化
数据采集清洗
04
空间分布分析
Wafer Bin Map解读 · 空间相关性分析 · 边缘/中心效应识别
空间分布分析Wafer
05
电性参数分布
Vt/Ion/Ioff/Ileak等… · 参数均匀性分析
电性参数分布Vt/Ion/Ioff/…
06
缺陷关联分析
In-line缺陷与电性失效对应 · KLA扫描图与Bin Map叠加
缺陷关联分析In-line
07
工艺窗口概念
工艺窗口定义 · Process Window Ind… · DOE基础
工艺窗口概念工艺窗口定义
08
光刻工艺窗口
曝光能量与焦距矩阵（EFM） · Bossung曲线 · DOF与EL
光刻工艺窗口EFM
09
刻蚀工艺窗口
刻蚀速率 · 选择比 · Profile角度
刻蚀工艺窗口刻蚀速率
10
薄膜工艺窗口
膜厚均匀性 · 应力 · 折射率
薄膜工艺窗口膜厚均匀性
11
扩散/注入工艺窗口
方块电阻 · 结深 · 掺杂浓度分布
扩散注入工艺窗口
12
CMP工艺窗口
研磨速率 · 碟形凹陷 · 侵蚀
CMP工艺窗口
13
异常定位方法论
5W1H分析法 · 鱼骨图 · 故障树分析（FTA）
异常定位方法论W1H
14
单变量分析
T-test · ANOVA · 箱线图在工艺参数对比中的应用
单变量分析T-test
15
多变量分析
PCA主成分分析 · PLS偏最小二乘法在失效定位中的应用
多变量分析PCA
16
时间序列分析
Run Chart · EWMA控制图 · 趋势与周期性检测
时间序列分析Run
17
相关性分析
Pearson/Spearman相关… · 热力图 · 散点矩阵
相关性分析Pearson/Spea…
18
工艺窗口修正策略
中心值调整 · 均匀性优化 · 边缘效应补偿
工艺窗口修正策略心值调整
19
光刻工艺修正
焦距/能量补偿 · OPC修正 · Mask CD调整
光刻工艺修正焦距
20
刻蚀工艺修正
气体流量/压力/功率调整 · 侧壁钝化优化
刻蚀工艺修正气体流量
21
薄膜工艺修正
沉积温度/压力/前驱体流量调整 · 退火条件优化
薄膜工艺修正沉积温度
22
CMP工艺修正
研磨头压力分区 · 浆料流量 · Pad调节
CMP工艺修正
23
DOE实验设计
全因子 · 部分因子 · 响应曲面法（RSM）在窗口修正中的应…
DOE实验设计
24
修正效果验证
Split Lot实验设计 · 验证批次判定标准
修正效果验证Split
25
良率监控闭环
修正后SPC监控 · Cpk回弹验证 · 长期稳定性评估
良率监控闭环SPC
26
案例分析1
低良率Lot的快速定位与光刻窗口修正
案例分析1Lot
27
案例分析2
刻蚀负载效应导致的边缘失效与工艺补偿
案例分析2刻蚀负载效应导致…
28
案例分析3
CMP碟形凹陷导致的桥接失效与压力分…
案例分析3CMP
29
案例分析4
薄膜应力导致的晶圆翘曲与退火窗口调整
案例分析4薄膜应力导致的晶…
30
课程总结与最佳实践
调试流程SOP · 常见陷阱 · 持续改进文化
课程总结最佳实践