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TCAD仿真校准与模型卡编写联合工程课程

共计 30 章节
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01
TCAD仿真概述
TCAD在半导体工业中的角色 · 工艺仿真与器件仿真简介 · 典型TCAD工具（Sentaurus
TCAD仿真概述
02
模型卡（Model Card）概念
什么是模型卡 · 模型卡的结构与标准 · 模型卡在PDK与设计流程中的重要性
ModelCard
03
校准基础
校准的定义与目标 · 校准与验证的区别 · 校准流程总览（实验数据 -> 仿真…
校准基础校准的定义
04
实验数据获取与预处理
典型测试结构（TEG · PCM） · I-V/C-V数据提取
实验数据获取预处理
05
Sentaurus Workbench (SWB) 环境搭建
SWB项目结构 · 变量定义 · 参数扫描设置
SentaurusWorkbench
06
工艺仿真基础
离子注入模型（Monte Carlo · Analytic） · 扩散模型（Fermi
工艺仿真基础Monte
07
器件仿真基础
漂移-扩散模型 · 流体动力学模型 · 量子修正模型（Density Gra…
器件仿真基础漂移
08
物理模型参数化
迁移率模型（Philips · Lombardi） · 复合模型（SRH
物理模型参数化Philips
09
校准方法论
手动校准 vs 自动校准 · 全局优化算法（Levenberg-M… · Genetic Algorithm）…
校准方法论vs
10
阈值电压（Vth）校准
影响Vth的关键参数（掺杂浓度 · 栅功函数 · 界面电荷）
Vth阈值电压
11
饱和电流（Idsat）校准
影响Idsat的关键参数（迁移率 · 源漏电阻 · 速度饱和）
Idsat电流
12
亚阈值摆幅（SS）校准
影响SS的关键参数（界面态密度Dit · 氧化层厚度） · 校准步骤与案例
SS亚阈值摆幅
13
击穿电压（BV）校准
影响BV的关键参数（掺杂分布 · 结深 · 衬底浓度）
BV击穿电压
14
电容-电压（C-V）特性校准
影响C-V的关键参数（氧化层电荷 · 功函数差 · 掺杂分布）
C-V电容
15
模型卡编写规范
模型卡文件格式（.pm · .lib · .scm）
模型卡编写规范pm
16
模型卡参数提取
从校准结果中提取模型参数 · 参数温度系数提取 · 参数几何缩放规则
模型卡参数提取从校准结果
17
模型卡验证
单器件验证 · 环形振荡器验证 · SRAM单元验证
模型卡验证单器件验证
18
温度效应校准
高温/低温下的I-V特性校准 · 迁移率温度系数 · 阈值电压温度系数校准
温度效应校准I-V
19
几何效应校准
沟道长度（L）效应 · 沟道宽度（W）效应 · LOD/STI应力效应校准
几何效应校准沟道长度
20
统计模型与失配模型
全局波动（Global Variat… · Pelgrom系数提取
统计模型失配模型
21
射频（RF）模型校准
小信号参数（Cgs · Cgd · gm
RF射频
22
功率器件校准
LDMOS/VDMOS校准要点 · 自热效应（Self-Heating）… · SOA（安全工作区）仿真
功率器件校准LDMOS/VDMOS
23
存储器器件校准
Flash/FeFET/ReRAM校… · 保持特性（Retention）与耐久…
存储器器件校准Flash/FeFET/…
24
先进节点（FinFET/GAA）校准
FinFET 3D结构校准要点 · 量子阱效应 · 寄生电阻/电容校准
FinFET/GAA先进节点
25
校准自动化脚本
Python/Tcl脚本实现参数扫描 · 自动拟合 · 结果后处理
校准自动化脚本Python/Tcl
26
模型卡版本管理
Git/SVN在模型卡管理中的应用 · 版本标签策略 · 变更日志（Changelog）编写
模型卡版本管理Git/SVN
27
校准报告编写
校准报告结构（目标 · 方法 · 数据对比
校准报告编写校准报告结构
28
模型卡与PDK集成
模型卡在PDK中的位置 · 与Pcell/LVS/RCX的接口 · QA测试流程
PDK模型卡
29
行业案例研究
典型28nm/14nm/7nm工艺节… · 常见陷阱与最佳实践
行业案例研究nm/14nm/7nm
30
课程总结与未来趋势
TCAD校准与模型卡发展趋势 · AI/ML在模型参数提取中的应用 · 课程回顾与进阶路径
课程总结未来趋势