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本课程属于：030-器件参数提取仿真 半导体工艺与制造设备 · 共 20 门相关课程，组合学习更完整。
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TCAD仿真校准与器件参数提取的工程案例课程

共计 30 章节
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01
TCAD仿真概述
TCAD在半导体工业中的作用 · Sentaurus/Silvaco/… · 课程目标与案例总览
TCAD仿真概述
02
工艺仿真基础
氧化 · 扩散 · 离子注入
工艺仿真基础氧化
03
器件仿真基础
漂移-扩散模型 · 载流子传输方程 · PN结与MOSFET的SDevice…
器件仿真基础漂移
04
网格生成技术
Sentaurus Mesh (ME… · 网格优化策略 · 关键区域加密原则
网格生成技术Sentaurus
05
材料参数与模型库
硅 · 二氧化硅 · 多晶硅
材料参数模型库
06
电学特性仿真
Id-Vg · Id-Vd · C-V特性仿真
电学特性仿真Id-Vg
07
校准概念与流程
什么是TCAD校准 · 校准的必要性 · 校准的一般流程（参数提取-仿真-对比…
校准概念流程
08
实验数据准备
电学测试数据（I-V · C-V）的格式整理 · 数据清洗
实验数据准备I-V
09
参数提取基础
阈值电压(Vth) · 饱和电流(Idsat) · 亚阈值摆幅(SS)
参数提取基础Vth
10
迁移率模型校准
Lombardi模型 · Klaassen模型参数调整 · 匹配不同掺杂浓度下的迁移率数据
迁移率模型校准Lombardi
11
复合模型校准
SRH复合 · Auger复合 · 辐射复合参数的提取与校准
复合模型校准SRH
12
量子效应与校准
反型层量子化效应 · Poly-Si耗尽效应 · 栅极漏电流模型校准
量子效应校准
13
短沟道效应校准
DIBL · Vth Roll-off · SCE效应的仿真与参数调整
短沟道效应校准DIBL
14
应力与应变工程校准
应力对迁移率的影响 · 应力模型参数提取 · SiGe源漏应力校准案例
应力应变工程校准
15
工艺波动与统计校准
蒙特卡洛仿真 · 工艺角模型 · 随机掺杂波动(RDF)的校准方法
工艺波动统计校准
16
MOSFET器件参数提取案例
从实验Id-Vg数据校准迁移率 · Vth · RSD（源漏电阻）
MOSFET器件参数提取案例
17
FinFET器件校准案例
FinFET结构建模 · 量子限制效应校准 · 寄生电阻电容提取
FinFET器件校准案例
18
GAA-FET器件校准案例
纳米片/纳米线结构 · 全包围栅极的电容与电流校准
GAA-FET器件校准案例
19
功率器件校准案例
LDMOS/IGBT的击穿电压 · 导通电阻 · 开关特性的校准
功率器件校准案例LDMOS/IGBT
20
存储器器件校准案例
Flash/ReRAM的编程/擦除特… · 保持特性 · 耐久性校准
存储器器件校准案…Flash/ReRAM
21
光电器件校准案例
光电探测器 · 太阳能电池的量子效率 · 暗电流
光电器件校准案例光电探测器
22
参数提取自动化
使用Tcl脚本或Python脚本批量… · 自动化校准流程
参数提取自动化Tcl
23
优化算法在校准中的应用
Levenberg-Marquard… · 遗传算法 · 贝叶斯优化在参数拟合中的应用
优化算法校准
24
校准结果验证
交叉验证 · 残差分析 · 模型预测能力评估
校准结果验证交叉验证
25
多目标校准
同时匹配I-V和C-V数据 · 直流与交流特性 · 多温度点校准策略
多目标校准I-V
26
工艺-器件协同校准
工艺参数（如栅氧厚度 · 掺杂分布）与电学参数联合校准
工艺器件协同校准
27
校准中的常见问题与陷阱
参数相关性 · 过拟合 · 局部最优解
校准常见问题
28
TCAD校准工具与平台
Sentaurus Workbenc… · Silvaco Expert · 定制化校准平台介绍
TCAD校准工具
29
工业级校准案例
28nm CMOS工艺的完整校准流程 · 从工艺到器件再到SPICE模型
工业级校准案例nm
30
课程总结与展望
TCAD校准的未来趋势 · 机器学习辅助校准 · 数字孪生与TCAD融合
课程总结TCAD