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从TCAD到SPICE：器件参数提取仿真与模型卡生成

共计 30 章节
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01
课程导论
TCAD与SPICE在半导体设计中的… · 课程目标与学习路径
课程导论TCAD
02
TCAD基础
Sentaurus/TCAD工具套件… · 网格生成与物理模型选择
TCADSentaurus/TC…
03
MOSFET器件结构
平面MOSFET与FinFET的几何…
MOSFET器件结构
04
TCAD仿真流程
从输入文件到输出结果的完整命令行流程
TCAD仿真流程
05
电学特性仿真
Id-Vg曲线 · Id-Vd曲线仿真设置与结果分析
电学特性仿真Id-Vg
06
阈值电压提取
线性外推法 · 常数电流法在TCAD中的实现
阈值电压提取线性外推法
07
迁移率提取
有效迁移率与场效应迁移率的计算方法
迁移率提取有效迁移率
08
输出电导与跨导
gds与gm的仿真提取与物理意义
输出电导跨导
09
电容-电压特性
Cgg · Cgd · Cgs的AC仿真提取方法
电容电压特性
10
SPICE模型卡基础
BSIM4模型卡结构 · 参数分类与语法
SPICE模型卡基础
11
几何参数映射
TCAD几何尺寸到SPICE模型卡L…
几何参数映射TCAD
12
阈值电压参数
VTH0 · K1 · K2等核心参数的提取与拟合
阈值电压参数VTH0
13
迁移率参数
U0 · UA · UB
迁移率参数U0
14
饱和速度参数
VSAT与相关速度饱和效应的参数提取
速度参数VSAT
15
输出电阻参数
PSCBE1 · PSCBE2 · EOT等参数的提取
输出电阻参数PSCBE1
16
源漏寄生电阻
RDSW · RDSWMIN等电阻参数的提取
源漏寄生电阻RDSW
17
栅极功函数与多晶硅耗尽
GIDL与栅极相关参数提取
栅极功函数多晶硅耗尽
18
衬底电流与击穿
IISUB与雪崩击穿参数的TCAD提…
衬底电流击穿
19
噪声模型参数
1/f噪声与热噪声参数的提取方法
噪声模型参数1
20
温度效应参数
TNOM · TCVTH · TCU等温度系数的提取
温度效应参数TNOM
21
工艺角模型
FF/SS/TT工艺角TCAD仿真与…
工艺角模型FF/SS/TT
22
自动参数提取工具
IC-CAP/BSIMPro与TCA…
自动参数提取工具IC-CAP/BSIMP…
23
优化算法
Levenberg-Marquard…
优化算法Levenberg-Ma…
24
模型验证
将提取的模型卡与TCAD原始数据进行…
模型验证TCAD
25
FinFET特殊参数
Fin宽度 · 高度 · S/D外延等3D参数提取
FinFET特殊参数
26
LDMOS/功率器件
漂移区电阻与击穿电压的SPICE建模
LDMOS功率器件
27
RF器件建模
小信号等效电路与S参数到SPICE的…
RF器件建模
28
统计建模与蒙特卡洛
从TCAD统计仿真生成SPICE统计…
统计建模蒙特卡洛
29
项目实战
从TCAD结构设计到完整SPICE模…
项目实战TCAD
30
课程总结与未来趋势
AI辅助参数提取 · DTCO与TCAD-SPICE协同
课程总结未来趋势