VIP20

本课程属于：027-芯片制造工艺 半导体工艺与制造设备 · 共 20 门相关课程，组合学习更完整。

查看所属VIP全部课程 →

← 返回所属目录咨询 / 购买

薄膜沉积高k介质ALD沉积工艺与界面缺陷控制

共计 30 章节

点击此处阅读海量试读课程：100+行业、1000+细分领域

高k介质在先进CMOS工艺中的重要性 · ALD技术概述 · 界面缺陷对器件性能的影响

课程导论CMOS

高k介质材料基础

介电常数 · 能带偏移 · 热稳定性

高k介质材料基础介电常数

ALD技术原理

自限制表面反应 · 前驱体与共反应物 · ALD窗口

ALD技术原理

ALD反应动力学

表面吸附与反应机理 · Langmuir-Hinshelwo… · 反应温度对GPC的影响

ALD反应动力学

前驱体化学

金属有机前驱体（TEMA-Hf · TDMA-Hf） · 卤化物前驱体（HfCl4）

前驱体化学TEMA-Hf

ALD沉积参数优化

脉冲时间 · 吹扫时间 · 基底温度

ALD沉积参数优化

典型工艺窗口 · 前驱体选择（HfCl4 vs TEM… · 氧源对比（H2O vs O3）

ZrO2特性 · 前驱体（ZrCl4 · TDMA-Zr）

Al2O3 ALD工艺

Al2O3作为界面层或帽层 · TMA+H2O经典工艺 · Al2O3的界面钝化效果

三元及纳米叠层高k介质

HfZrO4 · HfAlOx · HfLaOx

三元纳米叠层高k介质

界面层（IL）工程

SiO2界面层的形成 · 化学氧化与热氧化 · 界面层厚度控制

界面缺陷类型与来源

氧空位（Vo） · 悬挂键（Pb中心） · 界面陷阱（Dit）

界面缺陷类型来源

界面缺陷表征技术

C-V法提取Dit · 电导法 · 电荷泵浦法

界面缺陷表征技术C-V

物理表征方法

XPS分析界面化学态 · HRTEM观察界面形貌 · SIMS分析元素分布

物理表征方法XPS

界面缺陷对器件性能的影响

阈值电压漂移 · 载流子迁移率退化 · 栅漏电流增加

界面缺陷对器件性…阈值电压漂移

前驱体预处理技术

表面羟基化处理 · NH3/N2等离子体预处理 · 原位表面清洁

前驱体预处理技术表面羟基化处理

界面钝化技术

氟（F）注入钝化 · 氢（H2）退火 · 氮（N）钝化

界面钝化技术F

等离子体增强ALD（PEALD）

PEALD原理 · O2/N2/Ar等离子体在沉积与界面… · 等离子体损伤控制

热退火后处理

快速热退火（RTA） · 形成气体退火（FGA） · 氧分压控制退火

热退火后处理RTA

栅电极与高k介质的界面工程

金属栅（TiN · TaN · W）与高k的功函数匹配

栅电极高k介质的界面工…

界面层与高k层的界面互扩散

Si与Hf的互扩散 · 界面硅酸盐形成 · 界面层再生长控制

界面层高k层的界面互扩…

应力与界面缺陷

机械应力对界面缺陷的影响 · 应力诱导的缺陷产生 · 应力工程改善界面质量

应力界面缺陷

高k介质中的可靠性问题

时间相关介电击穿（TDDB） · 应力诱导漏电流（SILC） · 热载流子注入（HCI）

高k介质可靠性问题

界面缺陷的建模与仿真

第一性原理计算氧空位能级 · TCAD模拟界面陷阱对器件特性的影响

界面缺陷的建模仿真

先进工艺集成

高k+金属栅（HKMG）集成流程 · 栅优先与栅后工艺 · 替代金属栅（RMG）工艺

先进工艺集成k+

三维器件中的高k介质

FinFET与GAA FET中的高k… · 台阶覆盖性 · 保形性控制

三维器件高k介质

高k介质在存储器中的应用

DRAM电容中的高k（ZrO2/Al… · FeFET中的HfO2铁电相

高k介质存储器

高k介质在光电与功率器件中的应用

GaN HEMT中的Al2O3栅介质 · SiC MOSFET中的高k栅介质

高k介质光电

工艺监控与在线检测

椭圆偏振光谱仪（SE）测厚度 · XRR测密度 · QCM测GPC

工艺监控线检测

课程总结与未来展望

高k介质ALD技术发展趋势 · 超低EOT材料探索 · 界面缺陷的终极控制策略

课程总结未来展望