首页
›
半导体工艺与制造设备
›
023-光刻工艺
›
《光刻工艺曝光显影与工艺参数调试工程实践》
VIP20
本课程属于:023-光刻工艺
半导体工艺与制造设备 · 共 20 门相关课程,组合学习更完整。
查看所属VIP全部课程 →
← 返回所属目录
咨询 / 购买
光刻工艺曝光显影与工艺参数调试工程实践
共计 30 章节
点击此处阅读海量试读课程:100+行业、1000+细分领域
01
光刻技术概论
光刻在半导体制造中的核心地位 · 光刻工艺的基本流程 · 光刻技术的发展历程与未来趋势
光刻技术概论
光刻
02
光刻机系统
光刻机的基本组成(光源 · 照明系统 · 掩模台
光刻机系统
光刻机的基本组成
03
光刻光源
汞灯(g-line · i-line) · 准分子激光(KrF
光刻光源
g-line
04
光刻胶基础
光刻胶的组成(树脂 · 光敏剂 · 溶剂
光刻胶基础
光刻胶的组成
05
光刻胶关键参数
对比度 · 灵敏度 · 分辨率
光刻胶关键参数
对比度
06
旋涂工艺
旋涂原理 · 转速与厚度关系曲线 · 旋涂常见缺陷(条纹
旋涂工艺
旋涂原理
07
软烘工艺
软烘的目的(去除溶剂 · 增强粘附) · 温度与时间对光刻胶性能的影响
软烘工艺
软烘的目的
08
对准与曝光
对准标记设计 · 对准策略(全局对准 · 场点对准)
对准
曝光
09
曝光能量与聚焦矩阵
E-D树(曝光-聚焦窗口)的概念 · 如何通过矩阵实验确定最佳工艺窗口
曝光能量
聚焦矩阵
10
驻波效应
驻波形成机理 · 对侧壁形貌的影响 · 底部抗反射涂层(BARC)与顶部抗反…
驻波效应
驻波形成机理
11
曝光后烘烤
PEB的作用(催化去保护反应 · 减少驻波效应) · PEB温度均匀性对CD均匀性的影响
曝光后烘烤
PEB
12
显影工艺
显影液(TMAH)的浓度与温度控制 · 显影方式(浸没式 · 喷雾式
显影工艺
TMAH
13
显影缺陷
显影不完全 · 桥接 · 底切
显影缺陷
显影不完全
14
坚膜烘烤
坚膜的目的(提高抗刻蚀性 · 固化胶膜) · 温度选择与形变控制
坚膜烘烤
坚膜的目的
15
关键尺寸测量
CD-SEM原理 · 测量取样策略 · 线宽粗糙度(LWR)与线边缘粗糙度(…
关键尺寸测量
CD-SEM
16
套刻精度
套刻误差来源(对准误差 · 镜头畸变 · 工艺诱导偏移)
套刻精度
套刻误差来源
17
光刻胶轮廓控制
侧壁角度控制 · T型顶 · 底脚
光刻胶轮廓控制
侧壁角度控制
18
工艺窗口评估
DOF(焦深)与EL(曝光宽容度)的… · 工艺窗口的图形化表示(Bossung… · 工艺窗口图)
工艺窗口评估
DOF
19
光刻胶厚度均匀性
影响厚度均匀性的因素(旋涂参数 · 胶的粘度 · 衬底形貌)
光刻胶厚度均匀性
影响厚度均匀性的…
20
衬底反射率控制
不同衬底(硅 · 金属 · 介质)的反射特性
衬底反射率控制
不同衬底
21
光刻胶剥离与返工
光刻胶剥离液的选择 · 等离子体去胶(ashing)工艺 · 返工流程对衬底损伤的评估
光刻胶剥离
返工
22
光刻工艺的统计过程控制
Cp · Cpk的计算与解读 · 控制图(X-bar
光刻工艺的统计过…
Cp
23
光刻胶的过滤与供应系统
光刻胶的颗粒控制 · 在线过滤器的选择 · 供胶系统的气泡排除与压力稳定性
光刻胶的过滤
供应系统
24
温度与湿度控制
光刻环境(黄光区)的温湿度规范 · 温漂对CD与套刻的影响 · 环境监测与补偿
温度
湿度控制
25
光刻工艺的自动化
光刻机Recipe的编写规范 · 自动化物料搬运系统(AMHS) · 制造执行系统(MES)集成
光刻工艺的自动化
Recipe
26
先进光刻技术
浸没式光刻(Immersion Li… · 双重图形化(LELE · SADP)
先进光刻技术
Immersion
27
EUV光刻工艺
EUV光源与反射式掩模 · EUV光刻胶的挑战(光子散粒噪声 · LWR)
EUV
光刻工艺
28
光刻工艺故障排查
常见工艺故障(CD偏大/偏小 · 套刻超差 · 缺陷密度高)的系统性排查方法(鱼骨图
光刻工艺故障排查
CD
29
光刻工艺的绿色制造
光刻胶与显影液的废液处理 · 能源消耗优化 · 减少挥发性有机物(VOC)排放
光刻工艺的绿色制…
光刻胶
30
光刻工艺综合实训案例
从产品设计到光刻参数调试的全流程案例…
光刻工艺综合实训…
从产品设计到光刻…
所属VIP或分类
同VIP:光刻工艺CD控制与光刻工艺案例实战
同VIP:光刻工艺CD控制与工艺窗口拓展工程实践
同VIP:光刻工艺CD控制与显影液配比联合调试实战