VIP20
本课程属于：005-半导体器件物理 半导体工艺与制造设备 · 共 20 门相关课程，组合学习更完整。
查看所属VIP全部课程 →
← 返回所属目录 咨询 / 购买

SOI器件背栅效应与阈值电压调整：器件物理参数配置

共计 30 章节
点击此处阅读海量试读课程：100+行业、1000+细分领域
01
SOI技术概述
SOI（Silicon-On-Ins… · 发展历程与主流应用领域
SOI技术概述
02
SOI器件结构
部分耗尽（PD-SOI）与全耗尽（F…
SOI器件结构
03
背栅效应定义
背栅效应（Back-Gate Eff…
背栅效应定义Back-Gate
04
背栅偏置原理
背栅偏置电压（V_BG）对SOI器件…
背栅偏置原理BG
05
阈值电压基础
MOSFET阈值电压（Vth）的定义 · 经典公式及影响因素
阈值电压基础MOSFET
06
背栅对Vth的调制
背栅电压如何通过改变背界面电势来调整…
Vth背栅对
07
埋氧层（BOX）参数
BOX层厚度（t_BOX）与材料（S… · Si3N4）对背栅耦合效率的影响
BOX埋氧层
08
硅膜厚度（t_Si）影响
硅膜厚度对背栅效应强度及短沟道效应的…
Si硅膜厚度
09
沟道掺杂浓度
沟道掺杂浓度（N_A/N_D）对背栅…
沟道掺杂浓度A/N
10
前栅功函数选择
前栅金属功函数（Φ_M）与阈值电压的…
前栅功函数选择前栅金属功函数
11
背栅功函数设计
背栅材料（多晶硅 · 金属）功函数对背栅效应的影响
背栅功函数设计背栅材料
12
界面陷阱电荷
前/背界面陷阱电荷（Q_it · Q_ot）对Vth稳定性的影响
界面陷阱电荷it
13
固定氧化物电荷
埋氧层及前栅氧化层中固定电荷对阈值电…
固定氧化物电荷埋氧层
14
背栅偏置范围
典型背栅偏置电压范围（负偏 · 零偏 · 正偏）及其应用场景
背栅偏置范围典型背栅偏置电压…
15
背栅效应与短沟道效应
背栅偏置对DIBL（漏致势垒降低）和…
背栅效应短沟道效应
16
背栅效应与浮体效应
背栅偏置如何缓解或利用SOI器件的浮…
背栅效应浮体效应
17
背栅效应与自热效应
背栅偏置对器件自热效应（Self-H…
背栅效应自热效应
18
TCAD仿真基础
Sentaurus/TCAD工具中S…
TCAD仿真基础
19
参数配置实例
典型FD-SOI器件（t_Si=12… · t_BOX=25nm）的背栅效应仿真…
参数配置实例FD-SOI
20
阈值电压提取方法
恒定电流法 · 线性外推法在SOI器件Vth提取中的…
阈值电压提取方法恒定电流法
21
背栅效应建模
背栅电压与Vth关系的解析模型（如
背栅效应建模Vth
22
低功耗设计
利用背栅偏置实现动态阈值电压调整（D…
低功耗设计利用背栅偏置实现…
23
高速电路应用
背栅偏置在SOI数字电路（如SRAM…
高速电路应用SOI
24
模拟/RF电路
背栅偏置对SOI MOSFET跨导（…
RF模拟
25
多阈值电压工艺
通过背栅偏置在同一芯片上实现多种阈值…
多阈值电压工艺通过背栅偏置
26
背栅偏置电路设计
片上背栅偏置产生电路（电荷泵 · LDO）的基本架构
背栅偏置电路设计片上背栅偏置产生…
27
可靠性问题
背栅偏置导致的BTI（偏置温度不稳定…
可靠性问题BTI
28
先进SOI技术
UTBB FD-SOI · Stacked SOI · 以及背栅工程在3D集成中的应用
SOI先进
29
参数优化方法论
基于背栅效应的阈值电压调整参数优化流…
参数优化方法论基于背栅效应的阈…
30
课程总结与展望
SOI背栅效应研究热点 · 未来趋势及EDA工具协同设计挑战
课程总结SOI