VIP20
本课程属于：005-半导体器件物理 半导体工艺与制造设备 · 共 20 门相关课程，组合学习更完整。
查看所属VIP全部课程 →
← 返回所属目录 咨询 / 购买

MOSFET衬底偏置效应对阈值电压的影响：器件物理仿真

共计 30 章节
点击此处阅读海量试读课程：100+行业、1000+细分领域
01
MOSFET基础回顾
MOSFET结构 · 工作原理 · 基本I-V特性曲线
MOSFET基础回顾
02
阈值电压定义
阈值电压的物理定义 · 线性外推法 · 恒定电流法提取
阈值电压定义阈值电压的物理定…
03
理想MOS电容
理想MOS结构的能带图 · 积累 · 耗尽
MOS理想
04
实际MOS电容与功函数差
金属-半导体功函数差 · 界面电荷对C-V特性的影响
MOS实际
05
衬底偏置效应引入
什么是衬底偏置效应（Body Eff… · 为何重要
衬底偏置效应引入Body
06
体效应系数γ
体效应系数的物理推导 · 与衬底掺杂浓度的关系
体效应系数γ体效应系数的物理…
07
阈值电压公式推导
考虑衬底偏置的Vth表达式推导过程
阈值电压公式推导Vth
08
表面势与反型层
强反型条件 · 表面势φs与衬底偏压VBS的关系
表面势反型层
09
耗尽层宽度变化
VBS对耗尽层宽度的影响 · 电荷共享效应
耗尽层宽度变化VBS
10
衬底掺杂浓度影响
高掺杂与低掺杂衬底对体效应敏感度的差…
衬底掺杂浓度影响高掺杂
11
氧化层厚度影响
tox对体效应系数γ的调制作用
氧化层厚度影响tox
12
沟道长度影响
短沟道效应与体效应的耦合（DIBL与…
沟道长度影响DIBL
13
温度效应
温度对阈值电压及体效应的影响
温度效应温度对阈值电压
14
SOI MOSFET中的体效应
部分耗尽与全耗尽SOI的浮体效应
SOIMOSFET
15
FinFET中的衬底偏置
三维结构下体效应的特殊性
FinFET衬底偏置
16
仿真工具介绍
TCAD仿真工具（Sentaurus…
仿真工具介绍TCAD
17
仿真结构搭建
定义MOSFET几何尺寸 · 掺杂分布 · 电极定义
仿真结构搭建MOSFET
18
物理模型选择
迁移率模型 · 复合模型 · 量子修正模型
物理模型选择迁移率模型
19
网格划分策略
关键区域（沟道/界面）网格细化原则
网格划分策略关键区域
20
仿真脚本编写
使用Python/Sprocess编…
仿真脚本编写Python/Sproc…
21
VBS扫描仿真
设置VBS从-2V到2V扫描 · 提取I-V曲线
VBS扫描仿真
22
阈值电压提取自动化
编写Python脚本自动提取不同VB…
阈值电压提取自动…Python
23
仿真结果可视化
使用Matplotlib绘制Vth…
仿真结果可视化Matplotlib
24
体效应系数提取
从仿真数据线性拟合提取γ值
体效应系数提取从仿真数据线性拟…
25
模型与仿真对比
将仿真提取的γ与理论公式计算值对比
模型仿真对比
26
掺杂浓度扫描仿真
改变衬底掺杂浓度 · 观察γ变化
掺杂浓度扫描仿真改变衬底掺杂浓度
27
氧化层厚度扫描仿真
改变tox · 观察γ变化
氧化层厚度扫描仿…tox
28
沟道长度扫描仿真
改变Lg · 观察短沟道对体效应的削弱
沟道长度扫描仿真Lg
29
温度扫描仿真
改变温度 · 观察Vth及体效应变化趋势
温度扫描仿真改变温度
30
课程总结与工程应用
体效应在模拟电路（电流源/带隙基准）…
课程总结工程应用