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005-半导体器件物理
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《BJT集电结耗尽层展宽与厄尔利电压:器件物理参数化》
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BJT集电结耗尽层展宽与厄尔利电压:器件物理参数化
共计 30 章节
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01
BJT基础回顾
双极型晶体管的结构 · 符号与基本工作原理
BJT
基础回顾
02
PN结耗尽层基础
PN结内建电势 · 耗尽层宽度公式推导
PN
结耗尽层基础
03
集电结反向偏置
反向偏压对集电结耗尽层的影响
集电结反向偏置
反向偏压对集电结…
04
基区宽度调制效应
Early效应的物理起源与定性描述
基区宽度调制效应
Early
05
厄尔利电压定义
厄尔利电压的数学定义与输出特性曲线
厄尔利电压定义
厄尔利电压的数学…
06
耗尽层展宽与基区有效宽度
集电结耗尽层向基区扩展的物理机制
耗尽层展宽
基区有效宽度
07
基区中性区宽度变化
中性基区宽度随V_CE变化的定量关系
基区
性区宽度变化
08
集电极电流与Early效应
Early效应对集电极电流I_C的影…
Early
集电极电流
09
输出电导与Early电压
输出电导g_o与厄尔利电压V_A的关…
Early
输出电导
10
基区掺杂浓度的影响
基区掺杂N_B对耗尽层展宽及V_A的…
基区掺杂浓度的影…
基区掺杂N_B对…
11
集电区掺杂浓度的影响
集电区掺杂N_C对耗尽层展宽及V_A…
集电区掺杂浓度的…
集电区掺杂N_C…
12
基区宽度W_B的影响
物理基区宽度W_B对Early电压V…
基区宽度W_B的…
Early
13
温度依赖性
温度变化对耗尽层宽度及厄尔利电压的影…
温度依赖性
温度变化对耗尽层…
14
Early电压与电流增益
Early效应对共射电流增益β的影响
Early
电压
15
Early电压与频率特性
Early效应对特征频率f_T的影响
Early
电压
16
一维泊松方程求解
集电结耗尽层内电场与电势分布计算
一维泊松方程求解
集电结耗尽层内电…
17
突变结近似
突变结模型下耗尽层宽度与偏压的解析解
突变结近似
突变结模型下耗尽…
18
线性缓变结近似
线性缓变结模型下耗尽层宽度的计算
线性缓变结近似
线性缓变结模型下…
19
基区扩展效应(Kirk效应)
大电流下基区有效宽度增加的现象
Kirk
基区扩展效应
20
Kirk效应与Early效应的对比
两种效应在物理机制与影响上的区别
Kirk
Early
21
Early电压的测量方法
从输出特性曲线提取V_A的实验技术
Early
电压的测量方法
22
SPICE模型中的Early电压
SPICE Gummel-Poon模…
SPICE
Early
23
Early电压与击穿电压
BV_CEO与V_A之间的经验关系
Early
电压
24
异质结双极晶体管(HBT)中的Early效应
宽带隙发射极对Early效应的抑制
HBT
Early
25
SiGe HBT中的Early电压
Ge组分分布对V_A的优化
SiGe
HBT
26
Early效应与噪声特性
Early效应对1/f噪声及散粒噪声…
Early
效应
27
器件仿真工具简介
TCAD工具(如Sentaurus)…
器件仿真工具简介
TCAD
28
Sentaurus仿真案例
设置集电结反向偏压扫描 · 提取耗尽层边界
Sentaurus
仿真案例
29
参数化建模
建立V_A与N_B · W_B · N_C之间的解析模型
参数化建模
建立V_A
30
课程总结与前沿展望
Early效应的最新研究动态与未来器…
课程总结
前沿展望
所属VIP或分类
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