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半导体器件物理：从PN结到FinFET

共计 30 章节
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01
半导体物理基础
能带理论 · 本征半导体与杂质半导体 · 载流子浓度与费米能级
半导体物理基础能带理论
02
载流子输运
漂移运动 · 扩散运动 · 迁移率与电导率
载流子输运漂移运动
03
非平衡载流子
产生与复合 · 准费米能级 · 连续性方程
非平衡载流子产生
04
PN结的平衡特性
空间电荷区 · 内建电势 · 耗尽层宽度
PN结的平衡特性
05
PN结的直流特性
理想二极管方程 · 正向与反向偏置特性 · 击穿机制（齐纳与雪崩）
PN结的直流特性
06
PN结的电容特性
势垒电容 · 扩散电容 · C-V特性
PN结的电容特性
07
PN结的开关特性
存储效应 · 反向恢复时间 · 开关损耗
PN结的开关特性
08
金属-半导体接触
肖特基势垒 · 欧姆接触 · 肖特基二极管特性
金属半导体接触
09
异质结
能带偏移 · 量子阱 · 二维电子气
异质结能带偏移
10
双极型晶体管（BJT）基础
结构 · 工作原理 · 电流增益
BJT双极型晶体管
11
BJT的静态特性
厄尔利效应 · 击穿电压 · 基区宽度调制
BJT的静态特性
12
BJT的频率特性
渡越时间 · 特征频率fT · 功率增益
BJT的频率特性
13
BJT的开关特性
饱和与截止 · 存储时间 · 开关模型
BJT的开关特性
14
MOS结构基础
理想MOS电容 · 平带电压 · 阈值电压
MOS结构基础
15
MOSFET基础
结构 · 工作原理 · 沟道电导
MOSFET结构
16
MOSFET的电流-电压特性
萨支唐方程 · 体效应 · 沟道长度调制
MOSFET的电流
17
MOSFET的阈值电压
影响因素 · 衬偏效应 · 短沟道效应对阈值电压的影响
MOSFET的阈值电压
18
MOSFET的亚阈值特性
亚阈值摆幅 · 漏电流 · 低功耗设计
MOSFET的亚阈值特性
19
MOSFET的击穿与可靠性
栅氧化层击穿 · 热载流子效应 · 负偏压温度不稳定性（NBTI）
MOSFET的击穿
20
短沟道效应（SCE）
DIBL · 速度饱和 · 漏致势垒降低
SCE短沟道效应
21
小尺寸MOSFET的进阶效应
量子效应 · 多晶硅栅耗尽 · 高k介质与金属栅
MOSFET小尺寸
22
SOI技术
SOI MOSFET结构 · 部分耗尽与全耗尽 · 浮体效应
SOI技术
23
FinFET结构
从平面到三维 · 鳍片结构 · 双栅与三栅概念
FinFET结构
24
FinFET的工作原理
鳍片宽度与高度 · 沟道控制 · 阈值电压调节
FinFET的工作原理
25
FinFET的工艺集成
侧墙转移 · 鳍片刻蚀 · 栅极环绕
FinFET的工艺集成
26
FinFET的器件特性
I-V特性 · 跨导 · 输出电阻
FinFET的器件特性
27
FinFET的短沟道抑制
鳍片厚度与栅长关系 · 亚阈值摆幅改善 · DIBL抑制
FinFET的短沟道抑制
28
FinFET的可靠性
自热效应 · 机械应力 · 工艺波动与随机掺杂涨落
FinFET的可靠性
29
环绕栅极（GAA）与纳米片
GAA FET结构 · 堆叠纳米片 · 与FinFET的对比
GAA环绕栅极
30
器件物理前沿
负电容FET · 隧穿FET · 自旋器件
器件物理前沿FET