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MicroLED外延材料与缺陷工程

共计 30 章节
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01
MicroLED技术全景与外延材料挑战
目标=MicroLED显示优势 · 外延材料体系选择 · 缺陷工程在其中的核心地位
MicroLED技术全景
02
外延生长热力学与动力学基础
目标=MOCVD生长原理 · 表面反应 · 吸附与脱附
外延生长热力学动力学基础
03
GaN基MicroLED外延结构设计
目标=n-GaN · InGaN/GaN多量子阱 · p-GaN及电子阻挡层的功能与厚度优…
GaNMicroLED
04
AlGaInN材料体系与相分离
目标=In组分并入效率 · 相分离机制 · 对发光波长和效率的影响
AlGaInN材料体系
05
衬底选择与晶格匹配工程
目标=蓝宝石 · SiC · Si衬底上的GaN外延
衬底选择晶格匹配工程
06
成核层与缓冲层缺陷控制
目标=低温GaN/AlN成核层 · 三维岛状生长 · 位错湮灭与过滤机制
成核层缓冲层缺陷控制
07
位错类型与表征方法
目标=刃位错 · 螺位错 · 混合位错的TEM
位错类型表征方法
08
穿透位错对MicroLED性能的影响
目标=非辐射复合 · 漏电流 · 光输出下降与可靠性关联
MicroLED穿透位错对
09
侧向外延过生长（ELOG）缺陷减少技术
目标=掩模设计 · 横向生长 · 位错弯曲与合并机制
ELOG侧向外延过生长
10
图形化衬底（PSS）与缺陷工程
目标=图案形状 · 周期 · 深度对位错密度和光提取的影响
PSS图形化衬底
11
纳米柱与微米柱外延中的缺陷行为
目标=自上而下与自下而上方法 · 侧壁缺陷 · 应变松弛
纳米柱微米柱外延
12
量子阱中的点缺陷与杂质
目标=碳 · 氧 · 氢杂质 incorporation
量子阱点缺陷
13
V形坑（V-pits）的形成与作用
目标=起源 · 结构 · 对载流子局域化和效率的影响
V-pitsV形坑
14
堆垛层错与基面层错
目标=形成机制 · 对量子阱发光的影响 · 消除策略
堆垛层错基面层错
15
反相畴边界与极性控制
目标=在Si衬底上生长GaN时的极性… · 反相畴消除方法
反相畴边界极性控制
16
应变工程与缺陷抑制
目标=InGaN/GaN超晶格 · AlGaN/GaN应变层 · 位错滑移与裂纹控制
应变工程缺陷抑制
17
掺杂与缺陷相互作用
目标=Si · Mg掺杂对位错 · 点缺陷和载流子复合的影响
掺杂缺陷相互作用
18
缺陷对MicroLED效率下降的影响
目标=尺寸效应 · 侧壁复合 · Shockley-Read-Hall…
MicroLED缺陷对
19
缺陷表征先进技术
目标=原子探针断层扫描（APT） · 扫描透射电镜（STEM） · 阴极荧光（CL） mapping
缺陷表征先进技术APT
20
原位监测与生长优化
目标=反射率 · 曲率 · 温度
原位监测生长优化
21
缺陷工程实战
目标=蓝光MicroLED外延片缺陷…
缺陷工程实战MicroLED
22
绿光与红光MicroLED外延缺陷挑战
目标=高In组分InGaN的缺陷控制 · AlGaInP体系中的缺陷问题
MicroLED绿光
23
MicroLED外延片缺陷检测与良率分析
目标=缺陷分布图 · KLA · PL mapping
MicroLED外延片缺陷检测
24
缺陷对MicroLED可靠性的影响
目标=老化测试 · 暗点缺陷 · 退化机制与缺陷演化
MicroLED缺陷对
25
缺陷工程与芯片工艺协同
目标=台面刻蚀 · 侧壁钝化 · 缺陷修复与器件性能提升
缺陷工程芯片工艺协同
26
新型缺陷抑制策略
目标=超晶格缺陷过滤层 · 量子点缺陷钝化 · 二维材料插入层
新型缺陷抑制策略目标=超晶格缺陷…
27
MicroLED外延缺陷工程中的计算模拟
目标=第一性原理 · 分子动力学 · TCAD在缺陷预测中的应用
MicroLED外延缺陷工程
28
量产中的缺陷控制与成本平衡
目标=MOCVD维护 · 工艺窗口 · 缺陷标准与良率提升
量产缺陷控制
29
前沿研究方向
目标=范德华外延 · 远程外延 · 缺陷量子光源与MicroLED的融合
前沿研究方向目标=范德华外延
30
课程总结与项目实战
目标=设计一个缺陷工程优化方案 · 针对特定MicroLED外延结构降低…
课程总结项目实战