2. 互连结构中的阻挡层与衬垫层

进入铜互连时代之后,芯片后段(BEOL)的金属化结构不再是简单的铝线加介质,而是由多层“铜—阻挡层—衬垫层—介质”叠构组成的立体网络。理解阻挡层与衬垫层,必须先看清它们所处的几何环境:铜互连、通孔(via)与沟槽(trench)共同构成了双大马士革(dual damascene)结构,阻挡层与衬垫层正是嵌在这套结构内壁上的功能薄膜。

一、铜互连与双大马士革结构

铜不能像铝那样通过反应离子刻蚀直接图形化,因此工业界采用“先挖槽、再填铜、后平坦化”的大马士革工艺。典型流程是:在介质层中先刻出通孔,再刻出上方的沟槽,形成上下连通的开口;随后在开口内壁依次沉积阻挡层与衬垫层,再电镀铜填满,最后用化学机械抛光(CMP)去除多余铜,只保留沟槽与通孔内的金属。

这一结构决定了阻挡层与衬垫层的工作位置:它们不是平面薄膜,而是覆盖在沟槽侧壁、沟槽底部、通孔侧壁以及通孔底部的一层“内衬”。以常见的 90 nm 至 28 nm 节点为例,沟槽宽度约 90~200 nm,通孔直径约 60~150 nm,深宽比可达 2:1 至 5:1。在这样的高深宽比开口中,薄膜的台阶覆盖性(step coverage)直接决定其能否连续、无断点地覆盖整个内壁。

二、扩散阻挡层与粘附衬垫层的功能分工

阻挡层与衬垫层常被合称为“阻挡/衬垫叠层”(barrier/liner stack),但二者职责不同,不能混为一谈。

  • 扩散阻挡层(diffusion barrier):核心任务是阻止铜原子向介质层扩散。铜在硅或二氧化硅中扩散极快,一旦进入介质会形成深能级陷阱,导致漏电增大甚至器件失效。阻挡层还必须阻挡介质中的氧、水汽向铜内扩散,避免铜被氧化。常用材料包括 TaN、TiN、WN、MnSiO₃ 等,通常以氮化物形式提供非晶或微晶结构,降低铜的扩散通道。
  • 粘附衬垫层(adhesion liner):核心任务是让后续电镀铜能够牢固附着,并提供铜的形核位点。铜与 TaN 直接接触时附着力差,容易在 CMP 或热循环中剥离,因此常在 TaN 上再沉积一层 Ta、Ru、Co 或 Ti 等衬垫。衬垫层还承担部分“润湿”功能,使电镀液中的铜离子能均匀进入高深宽比开口。

因此,典型叠层顺序从介质侧到铜侧为:介质 → TaN(阻挡)→ Ta(衬垫)→ 电镀铜种子层 → 电镀铜。阻挡层负责“挡”,衬垫层负责“粘”,二者共同保证铜互连的电学可靠性与机械完整性。

双大马士革结构中的阻挡层与衬垫层叠构 介质层 (ILD, SiO₂ / low-k) 阻挡层 TaN / TiN 衬垫层 Ta / Ru / Co 电镀铜填充 通孔 (via) 沟槽 (trench) 阻挡层:阻止 Cu 扩散 / O₂、H₂O 侵入 衬垫层:提供 Cu 附着 / 形核 / 润湿

三、为什么必须“分工”而不能合并

从材料热力学看,单一材料很难同时满足“高扩散势垒”和“高铜附着力”。TaN 的氮化物结构对铜扩散阻挡能力强,但表面能低、与铜的化学键合弱;Ta 与铜晶格匹配较好、附着力强,但单独作为阻挡层时厚度需很大才能有效阻挡铜扩散,会挤占本已紧张的沟槽空间。因此工业上采用“薄 TaN + 薄 Ta”的叠层,用 TaN 保证阻挡,用 Ta 保证粘附,总厚度通常控制在 2~5 nm(先进节点甚至更薄)。

另一个关键约束是电阻。阻挡层与衬垫层的电阻率远高于铜(TaN 约 200~400 μΩ·cm,Ta 约 15~30 μΩ·cm,而铜仅约 1.7 μΩ·cm)。它们占据通孔与沟槽的截面积,会直接抬高互连有效电阻。以通孔直径 100 nm、阻挡/衬垫总厚度 4 nm 为例,内衬占通孔截面积约 15%,等效电阻增加约 15%~20%。因此,阻挡层与衬垫层必须在“足够薄”与“足够连续”之间取得平衡。

四、工艺实现中的关键控制点

实际沉积通常采用 PVD(物理气相沉积)或 ALD(原子层沉积)。PVD 台阶覆盖性较差,在深宽比大于 3:1 的通孔底部容易变薄甚至断开;ALD 依靠自限制表面反应,可在高深宽比内壁获得接近 100% 的台阶覆盖,但速率低、成本高。先进节点常采用“PVD TaN + ALD Ta”或“ALD TaN + PVD Ta”的混合方案。

判断阻挡/衬垫层是否合格,主要看三类指标:

  • 连续性:用 TEM 截面观察通孔底部与侧壁是否出现断点或厚度突变;
  • 厚度均匀性:沟槽顶部、侧壁中部、底部三处厚度差异应控制在 ±20% 以内;
  • 电学验证:通过通孔链电阻与漏电流测试,若漏电偏高,往往说明阻挡层局部过薄或存在铜扩散通道。
在实际教学中,可用“通孔底部厚度 / 沟槽顶部厚度”作为台阶覆盖性的简易量化指标。若该比值低于 0.3,通常意味着 PVD 工艺在深孔底部覆盖不足,需要改用 ALD 或调整沉积压力与偏压。

五、功能分工的工程意义

把阻挡层与衬垫层分开理解,有助于在遇到失效时快速定位问题。若出现铜向介质扩散导致的漏电,应优先检查阻挡层的连续性与厚度;若出现铜与内衬剥离、CMP 后铜线边缘空洞,应优先检查衬垫层的附着力与润湿性。二者虽然常在同一台设备中连续沉积,但工艺窗口、材料选择和失效模式完全不同,不能以“一层膜”的思维统一处理。

随着节点推进到 10 nm 以下,沟槽与通孔尺寸进一步缩小,阻挡/衬垫叠层的厚度占比越来越大,业界正在探索自形成阻挡层(如 Mn 掺杂铜)、Ru 衬垫替代 Ta、以及无阻挡层直接电镀等方案。但无论材料如何变化,“阻挡扩散”与“保证粘附”这两项功能分工仍然成立,只是由不同材料或不同界面来承担。