3. 杂质扩散基础

杂质扩散是半导体工艺中决定结深和杂质分布形态的核心物理过程。在离子注入后的退火步骤中，注入产生的晶格损伤与杂质原子的热运动共同决定了最终的掺杂分布。理解扩散的数学描述、物理参数及微观机制，是优化注入工艺窗口、实现精确杂质分布控制的理论基础。

3.1 扩散方程：菲克定律与工艺建模

杂质扩散行为在宏观上由菲克定律描述。在半导体工艺中，通常考虑一维情况，并假设扩散系数为常数或与浓度相关。

• 菲克第一定律：稳态扩散下，扩散通量 J 与浓度梯度成正比。
  J = -D · ∂C/∂x
  其中 D 为扩散系数 (cm²/s)，C 为杂质浓度 (cm⁻³)，x 为深度。
• 菲克第二定律：非稳态扩散，描述浓度随时间的变化。
  ∂C/∂t = ∂/∂x (D · ∂C/∂x)
  当 D 为常数时，简化为：∂C/∂t = D · ∂²C/∂x²

3.2 扩散系数：温度与激活能

扩散系数 D 强烈依赖于温度，遵循阿伦尼乌斯关系：

D = D₀ · exp(-Eₐ / kT)

• D₀：指前因子（频率因子），与晶格振动频率和跃迁尝试次数相关。
• Eₐ：扩散激活能 (eV)，代表杂质原子跃迁所需克服的能量势垒。
• k：玻尔兹曼常数 (8.617 × 10⁻⁵ eV/K)。
• T：温度 (K)。

下表列出了硅中几种常见杂质在无损伤条件下的本征扩散系数参数：

3.3 扩散机制：间隙、空位与 Kick-out

杂质在硅晶格中的扩散主要通过点缺陷（空位和自间隙原子）介导。根据杂质与点缺陷的相互作用方式，可分为以下几种机制：

1. 空位机制 (Vacancy Mechanism)：杂质原子占据晶格格点，当邻近出现空位时，杂质跃迁进入空位。适用于磷、砷、锑等替代式杂质。
2. 间隙机制 (Interstitial Mechanism)：杂质原子在晶格间隙位置之间直接迁移。适用于锂、钠等小尺寸杂质。
3. 间隙-替代交换机制 (Interstitial-Substitutional Exchange)：杂质在间隙位和替代位之间转换，包括：
   • Kick-out 机制：间隙杂质（如硼间隙）将替代位硅原子踢出，自身占据格点，产生自间隙原子。
   • Frank-Turnbull 机制：间隙杂质与空位结合，进入替代位。

3.4 扩散机制与点缺陷耦合关系图

下图展示了硅中杂质扩散的主要机制及其与点缺陷的耦合关系：

3.5 扩散机制对比与工艺影响

3.6 扩散方程在 TCAD 中的实现

在 TCAD 仿真工具（如 Sentaurus Process）中，杂质扩散的求解基于以下耦合方程组：

∂C_A/∂t = ∇·(D_A ∇C_A) + 生成项 - 复合项
∂C_I/∂t = ∇·(D_I ∇C_I) + G_I - R_I
∂C_V/∂t = ∇·(D_V ∇C_V) + G_V - R_V

• C_A：杂质浓度
• C_I, C_V：自间隙和空位浓度
• D_A, D_I, D_V：对应的扩散系数
• G, R：点缺陷的生成率和复合率，与注入损伤相关