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086-5G RedCap与工业无线工程
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《5G射频GaAs_InP器件应用》
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📘
砷化镓与磷化铟材料在5G中的核心应用
共计 30 章节
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01
课程导入
5G通信对射频材料的需求背景 · 砷化镓与磷化铟的定位 · 课程学习目标与整体框架
课程导入
5G通信对射频材…
02
半导体材料基础
能带结构 · 载流子迁移率 · 带隙等核心物理概念
半导体材料基础
能带结构
03
砷化镓材料特性
晶体结构 · 电子迁移率 · 击穿电场
砷化镓材料特性
晶体结构
04
磷化铟材料特性
晶体结构 · 电子迁移率 · 饱和电子速度
磷化铟材料特性
晶体结构
05
材料对比分析
砷化镓与磷化铟在电学 · 热学 · 机械
材料对比分析
砷化镓
06
5G射频前端架构
5G基站和终端中的射频链路组成 · 功率放大器 · 低噪声放大器
5G射频前端架构
5G基站
07
砷化镓在5G功率放大器中的应用
GaAs HBT与pHEMT器件的原… · 设计要点 · 性能指标及典型应用案例
砷化镓
5G功率放大器
08
磷化铟在5G超高速器件中的应用
InP HEMT与HBT器件在毫米波… · 以及用于6G预研的潜力
磷化铟
5G超高速器件
09
材料生长与制备工艺
MBE · MOCVD等外延生长技术 · 衬底制备
材料生长
制备工艺
10
器件制造工艺
光刻 · 刻蚀 · 金属化
器件制造工艺
光刻
11
射频器件建模与仿真
小信号与大信号模型 · S参数 · 噪声参数提取
射频器件建模
仿真
12
毫米波频段设计挑战
28GHz/39GHz等频段的寄生效… · 损耗机制 · 散热问题及设计对策
毫米波频段设计挑…
GHz/39GHz
13
5G基站功率放大器设计实战
基于GaAs的Doherty功放设计… · 包括偏置电路 · 匹配网络
5G基站功率放大…
GaAs
14
5G终端射频前端模块设计实战
基于GaAs的LNA与开关设计 · 以及集成模块的布局与屏蔽
5G终端射频前端…
GaAs
15
磷化铟在光通信与5G前传中的应用
InP基激光器 · 调制器 · 探测器的工作原理及其在5G承载网中的…
磷化铟
光通信
16
材料可靠性评估
热循环 · 电迁移 · 湿度
材料可靠性评估
热循环
17
散热与热管理
砷化镓与磷化铟的低热导率问题 · 热沉设计 · 微通道冷却等解决方案
散热
热管理
18
成本与供应链分析
衬底成本 · 制造成本 · 良率
成本
供应链分析
19
测试与表征技术
S参数测试 · 噪声系数测量 · 功率与效率测试
测试
表征技术
20
常见问题与解决
栅极泄漏 · 电流崩塌 · 陷阱效应
常见问题
解决
21
案例实战
5G基站用GaAs功放模块的完整设计… · 从规格定义到版图与测试
案例实战
GaAs
22
案例实战
5G手机用InP LNA的毫米波接收… · 包括匹配与低噪声优化
案例实战
InP
23
案例实战
InP光模块在5G前传网络中的应用 · 包括发射与接收链路设计
案例实战
InP
24
行业标准与规范
3GPP · ITU等对射频器件的要求 · 以及材料与器件的可靠性标准(如JED…
行业标准
规范
25
前沿技术趋势
GaAs与InP在6G · 太赫兹 · 卫星通信中的潜在应用
前沿技术趋势
GaAs
26
综合项目
设计一款5G毫米波频段(如28GHz… · 要求满足增益 · 效率
综合项目
GHz
27
综合项目
设计一款5G Sub-6GHz频段的… · 要求噪声系数小于1dB · 并完成版图与测试方案
综合项目
Sub-6GHz
28
综合项目
对比分析GaAs与InP在5G基站和… · 撰写选型报告并给出设计建议
综合项目
GaAs
29
课程总结
核心知识点回顾 · 常见误区梳理 · 学习路径建议
课程总结
核心知识点回顾
30
结业考核
综合笔试与项目答辩 · 评估学员对材料特性 · 器件设计
结业考核
综合笔试
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