所属分类：视觉图像与光学光电 当前为单品课程，可返回上一级继续浏览同方向资料。
← 返回上一级
← 返回所属目录 咨询 / 购买

红外焦平面阵列材料制备工艺

共计 30 章节
点击此处阅读海量试读课程：100+行业、1000+细分领域
01
课程导入
红外焦平面阵列（IRFPA）的基本概… · 发展历程 · 应用领域（军事
课程导入IRFPA
02
红外探测器基础
红外辐射原理 · 大气窗口 · 探测器类型（热探测器与光子探测器）及…
红外探测器基础红外辐射原理
03
IRFPA结构解析
焦平面阵列的典型结构（读出电路 · 探测器阵列 · 封装）
IRFPA结构解析
04
关键材料体系概述
碲镉汞（HgCdTe） · 锑化铟（InSb） · 量子阱（QWIP）
关键材料体系概述HgCdTe
05
材料制备基础
晶体生长基础理论（相图 · 成核 · 生长动力学）
材料制备基础晶体生长基础理论
06
碲镉汞（HgCdTe）材料制备
HgCdTe的相图与组分控制 · 体单晶生长方法（布里奇曼法 · 固态再结晶法）及关键工艺参数
HgCdTe碲镉汞
07
分子束外延（MBE）技术
MBE原理 · 设备结构 · 生长工艺（衬底准备
MBE分子束外延
08
液相外延（LPE）技术
LPE原理 · 生长方法（浸渍法 · 滑舟法）
LPE液相外延
09
金属有机气相外延（MOVPE）技术
MOVPE原理 · 前驱体选择 · 生长条件优化
MOVPE金属有机气相外延
10
锑化铟（InSb）材料制备
InSb晶体生长（直拉法 · 布里奇曼法） · 薄膜外延（MBE
InSb锑化铟
11
量子阱红外探测器（QWIP）材料制备
GaAs/AlGaAs多量子阱结构设… · MBE生长工艺 · 掺杂控制及均匀性
QWIP量子阱红外探测器
12
二类超晶格（T2SL）材料制备
InAs/GaSb超晶格设计原理 · MBE生长工艺 · 界面控制及材料质量评价
T2SL二类超晶格
13
非晶硅与氧化钒微测辐射热计材料制备
非晶硅薄膜沉积（PECVD） · 氧化钒薄膜制备（反应溅射 · 溶胶-凝胶）及性能调控
非晶硅氧化钒微测辐射热…
14
读出电路（ROIC）材料与工艺
硅基CMOS工艺基础 · ROIC设计要点 · 与探测器阵列的互连技术（铟柱
ROIC读出电路
15
材料表征技术（上）
X射线衍射（XRD） · 扫描电子显微镜（SEM） · 透射电子显微镜（TEM）在材料结构分…
材料表征技术XRD
16
材料表征技术（下）
光致发光（PL） · 红外透射/反射光谱 · 霍尔效应测试
材料表征技术PL
17
材料缺陷与性能关系
位错 · 点缺陷 · 沉淀相等缺陷类型
材料缺陷性能关系
18
衬底选择与处理
CdZnTe · GaAs · Si等衬底的特点
衬底选择处理
19
掺杂与组分控制
n型/p型掺杂技术 · 掺杂浓度控制 · HgCdTe组分精确调控方法及均匀性…
掺杂组分控制
20
热处理与退火工艺
退火对材料电学性能的影响 · Hg空位填充 · 激活退火工艺参数优化及工程实践
热处理退火工艺
21
表面钝化与界面工程
钝化层材料（CdTe · ZnS等） · 钝化工艺
表面钝化界面工程
22
器件制备工艺（上）
光刻 · 刻蚀（湿法 · 干法）
器件制备工艺光刻
23
器件制备工艺（下）
铟柱制备 · 倒装焊互连 · 底部填充
器件制备工艺铟柱制备
24
案例实战
HgCdTe IRFPA制备全流程模…
案例实战HgCdTe
25
案例实战
InSb IRFPA制备工艺分析——… · 常见问题及解决方案
案例实战InSb
26
案例实战
非制冷IRFPA（氧化钒）制备工艺—… · 成品率控制及成本优化
案例实战IRFPA
27
常见问题与对策
材料制备中的组分偏析 · 缺陷密度高 · 表面污染
常见问题对策
28
工艺优化与质量控制
统计过程控制（SPC） · 设计实验（DOE） · 工艺窗口优化
工艺优化质量控制
29
前沿技术与发展趋势
新型材料（钙钛矿 · 胶体量子点） · 柔性IRFPA
前沿技术发展趋势
30
综合项目与课程总结
设计一个IRFPA材料制备工艺方案（… · 工艺路线 · 表征计划）
综合项目课程总结