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光学投影光刻一学就会

共计 30 章节
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01
课程导入
光学投影光刻的定义 · 发展历程 · 在半导体制造中的核心地位
课程导入光学投影光刻的定…
02
光刻基础
光刻的基本原理 · 光刻胶的作用 · 掩模版与晶圆的基本概念
光刻基础光刻的基本原理
03
光学系统核心
投影光刻机的光学组成（光源 · 照明系统 · 投影物镜
光学系统核心投影光刻机的光学…
04
光源与照明
常用光源（汞灯 · 准分子激光 · EUV）的波长特性
光源照明
05
光刻胶详解
正性/负性光刻胶的化学机制 · 关键性能指标（灵敏度 · 对比度
光刻胶详解正性
06
掩模版设计
掩模版类型（二元 · 相移 · OPC）
掩模版设计掩模版类型
07
成像理论入门
衍射极限 · 瑞利判据 · 分辨率公式（R=k1λ/NA）
成像理论入门衍射极限
08
光刻工艺步骤
从涂胶 · 软烘 · 对准
光刻工艺步骤从涂胶
09
对准与套刻
对准标记设计 · 对准系统工作原理（光学/莫尔条纹） · 套刻误差（Overlay）的测量与校…
对准套刻
10
显影工艺
显影液选择 · 显影时间与温度控制 · 显影后检查（ADI）
显影工艺显影液选择
11
光刻胶图形转移
刻蚀与离子注入前光刻胶图形的质量要求 · 图形转移过程中的关键控制点（侧壁角 · 线宽粗糙度）
光刻胶图形转移刻蚀
12
工艺窗口与优化
曝光-聚焦矩阵（BFM） · 工艺窗口（PW）的定义 · 如何通过CD-SEM和聚焦-曝光曲线…
工艺窗口优化
13
分辨率增强技术
光学邻近效应校正（OPC） · 相移掩模（PSM） · 离轴照明（OAI）的原理与应用场景
分辨率增强技术OPC
14
光刻设备操作
主流光刻机（如ASML步进/扫描式）… · 日常维护要点 · 安全规范
光刻设备操作ASML
15
光刻工艺仿真
光学仿真软件（如PROLITH）的基… · 如何模拟曝光 · 显影过程并预测最终图形
光刻工艺仿真PROLITH
16
案例实战一
简单线宽（如1μm）光刻工艺的完整参… · 包括光刻胶选型 · 曝光剂量
案例实战一简单线宽
17
案例实战二
接触孔（Contact Hole）光… · 如何通过照明模式和OPC提高孔洞分辨…
案例实战二Contact
18
案例实战三
金属层光刻中的对准与套刻控制 · 如何减少层间偏移
案例实战三金属层光刻
19
案例实战四
光刻缺陷分析与排查 · 常见缺陷（如桥接 · 断线
案例实战四光刻缺陷分析
20
常见问题一
光刻胶附着力不足导致图形脱落 · 原因分析及底胶（HMDS）处理等解决…
常见问题一光刻胶附着力不足…
21
常见问题二
驻波效应与反射率控制 · 如何通过底部抗反射涂层（BARC）减…
常见问题二驻波效应
22
常见问题三
线宽均匀性差 · 涉及曝光剂量均匀性 · 烘烤温度均匀性
常见问题三线宽均匀性差
23
常见问题四
光刻胶残留与显影不完全 · 如何调整显影工艺和光刻胶厚度
常见问题四光刻胶残留
24
常见问题五
光刻机聚焦漂移 · 如何通过自动聚焦系统和定期校准保证焦…
常见问题五光刻机聚焦漂移
25
先进光刻技术
浸没式光刻 · 双重曝光/多重图形化（LELE · SADP）的原理与优势
先进光刻技术浸没式光刻
26
EUV光刻入门
极紫外光刻的独特挑战（光源 · 反射式光学 · 真空环境）
EUV光刻入门
27
光刻工艺的测量与检测
CD-SEM · OCD（光学临界尺寸） · 套刻测量仪的原理与应用
光刻工艺的测量检测
28
光刻工艺的良率提升
统计过程控制（SPC） · 缺陷监控 · 工艺稳定性评估方法
光刻工艺的良率提…SPC
29
综合实战项目
设计一个完整的0.35μm CMOS… · 包括参数选择 · 工艺窗口评估和缺陷预防
综合实战项目CMOS
30
课程总结与进阶路径
回顾核心知识点 · 推荐进阶学习资源（书籍 ·
课程总结进阶路径