VIP20
本课程属于：028-半导体离子注入 半导体工艺与制造设备 · 共 20 门相关课程，组合学习更完整。
查看所属VIP全部课程 →
← 返回所属目录 咨询 / 购买

注入缺陷控制与注入工艺窗口拓展协同优化案例

共计 30 章节
点击此处阅读海量试读课程：100+行业、1000+细分领域
01
课程导论
注入工艺在集成电路制造中的核心地位 · 缺陷控制与工艺窗口的矛盾与协同
课程导论注入工艺
02
注入缺陷基础
点缺陷（空位 · 间隙原子） · 位错环
注入缺陷基础点缺陷
03
注入损伤表征技术
RBS/C · TEM · SRP
注入损伤表征技术RBS/C
04
沟道效应与缺陷分布
沟道效应对注入深度的影响 · 如何通过倾斜/旋转角度抑制沟道
沟道效应缺陷分布
05
预非晶化注入（PAI）
Ge/Si PAI工艺原理 · 对抑制沟道和缺陷控制的双重作用
PAI预非晶化注入
06
注入能量与缺陷密度关系
能量对投影射程（Rp）和损伤分布的影… · 高能注入的缺陷挑战
注入能量缺陷密度关系
07
注入剂量与缺陷密度关系
剂量率效应 · 临界剂量与非晶化阈值 · 高剂量下的缺陷聚集
注入剂量缺陷密度关系
08
注入温度控制
低温注入（冷注入）与高温注入（热注入…
注入温度控制低温注入
09
注入角度优化
倾斜角（Tilt）与旋转角（Twis…
注入角度优化Tilt
10
注入束流与剂量率控制
束流密度对自退火效应的影响 · 脉冲注入与连续注入的对比
注入束流剂量率控制
11
注入屏蔽层设计
氧化层/氮化层作为牺牲层 · 如何吸收注入损伤并保护有源区
注入屏蔽层设计氧化层
12
退火基础
固相外延（SPE）与快速热退火（RT…
退火基础SPE
13
尖峰退火与激光退火
超快退火技术对缺陷抑制和激活率的提升
尖峰退火激光退火
14
多步退火策略
低温预退火+高温主退火对缺陷消除的协…
多步退火策略低温预退火+高温…
15
缺陷工程
利用杂质-缺陷相互作用（如F · C · N共注入）抑制瞬态增强扩散（TED）
缺陷工程利用杂质
16
工艺窗口定义
注入工艺窗口的边界条件（能量 · 剂量 · 温度
工艺窗口定义注入工艺窗口的边…
17
工艺窗口拓展方法
通过多步注入 · 能量分级注入拓宽工艺窗口
工艺窗口拓展方法通过多步注入
18
协同优化案例1
超浅结（USJ）注入中缺陷控制与窗口…
协同优化案例1USJ
19
协同优化案例2
深埋层注入中高能注入的缺陷抑制与窗口…
协同优化案例2深埋层注入
20
协同优化案例3
沟槽隔离（STI）边缘注入的阴影效应…
协同优化案例3STI
21
协同优化案例4
栅极掺杂注入中多晶硅耗尽效应的缓解与…
协同优化案例4栅极掺杂注入
22
协同优化案例5
源漏扩展（SDE）注入中低能量高剂量…
协同优化案例5SDE
23
协同优化案例6
碳化硅（SiC）注入中高温注入与退火…
协同优化案例6SiC
24
协同优化案例7
氮化镓（GaN）注入中离子束诱导损伤…
协同优化案例7GaN
25
协同优化案例8
FinFET三维结构中注入角度与缺陷…
协同优化案例8FinFET
26
协同优化案例9
GAA（全环绕栅极）结构中注入工艺窗…
协同优化案例9GAA
27
协同优化案例10
存储器（DRAM/NAND）中深沟槽…
协同优化案例10DRAM/NAND
28
TCAD仿真在协同优化中的应用
利用Sentaurus/Athena…
TCAD仿真
29
在线监测与反馈控制
基于实时热波/光声技术的缺陷检测与工…
线监测反馈控制
30
课程总结与未来展望
注入缺陷控制与工艺窗口拓展的协同趋势 · AI在工艺优化中的潜力
课程总结未来展望