VIP20

本课程属于：027-芯片制造工艺 半导体工艺与制造设备 · 共 20 门相关课程，组合学习更完整。

查看所属VIP全部课程 →

← 返回所属目录咨询 / 购买

外延生长SiGe外延层组分均匀性与缺陷密度控制

共计 30 章节

点击此处阅读海量试读课程：100+行业、1000+细分领域

SiGe材料概述

SiGe合金的能带工程 · 晶格常数与组分关系 · 在微电子与光电子中的应用

SiGe材料概述

外延生长基础

外延生长定义 · 同质外延与异质外延 · 生长模式（层状

外延生长基础外延生长定义

SiGe外延生长方法

分子束外延（MBE） · 化学气相沉积（CVD） · 超高真空CVD（UHV-CVD）原理…

SiGe外延生长方法

CVD生长SiGe工艺

源气体（硅烷 · 锗烷 · 二氯硅烷）

组分均匀性定义

Ge组分在晶圆面内与纵向的分布均匀性 · 组分均匀性的表征参数（均值 · 标准差）

组分均匀性定义Ge

影响组分均匀性的因素

气体流速分布 · 温度梯度 · 反应物消耗效应

影响组分均匀性的…气体流速分布

组分均匀性控制策略

优化反应腔设计 · 调整气体注入方式 · 多区加热控温

组分均匀性控制策…优化反应腔设计

组分均匀性表征技术

X射线衍射（XRD）摇摆曲线 · 卢瑟福背散射（RBS） · 二次离子质谱（SIMS）

组分均匀性表征技…XRD

缺陷类型概述

位错（失配位错 · 穿透位错） · 层错

缺陷类型概述位错

失配位错形成机制

临界厚度理论（Matthews-Bl… · 应变释放与位错滑移

失配位错形成机制Matthews-Bl

穿透位错密度控制

缓冲层技术（组分渐变缓冲层 · 低温缓冲层） · 超晶格结构

穿透位错密度控制缓冲层技术

缺陷密度表征方法

透射电子显微镜（TEM） · 扫描电子显微镜（SEM） · 缺陷腐蚀与光学显微镜

缺陷密度表征方法TEM

生长温度对缺陷的影响

低温生长抑制表面迁移 · 高温促进位错滑移与湮灭

生长温度对缺陷的…低温生长抑制表面…

生长速率对缺陷的影响

高速生长引入点缺陷 · 低速生长改善晶体质量

生长速率对缺陷的…高速生长引入点缺…

SiGe/Si界面质量

界面粗糙度 · 界面互扩散 · 界面氧化层控制

SiGe/Si界面质量

组分渐变缓冲层设计

线性渐变 · 阶梯渐变 · 反向渐变

组分渐变缓冲层设…线性渐变

低温缓冲层技术

低温Si缓冲层 · 低温SiGe缓冲层 · 抑制三维岛状生长

低温缓冲层技术Si

超晶格与应变补偿

Si/SiGe超晶格 · 应变补偿层设计 · 降低穿透位错密度

超晶格应变补偿

选择性外延生长

选择性外延原理 · 掩膜材料选择 · 侧向生长与缺陷过滤

选择性外延生长选择性外延原理

图形化衬底外延

Pendeo外延 · 侧向外延（ELO） · 在图形化衬底上降低缺陷密度

图形化衬底外延Pendeo

退火工艺对缺陷的影响

快速热退火（RTA） · 炉管退火 · 位错滑移与点缺陷消除

退火工艺对缺陷的…RTA

原位监测技术

反射高能电子衍射（RHEED） · 光学反射率 · 椭偏仪

原位监测技术RHEED

反应腔设计与气流模拟

计算流体动力学（CFD）模拟 · 喷淋头设计 · 排气对称性

反应腔设计气流模拟

温度均匀性控制

多区加热器设计 · 热辐射补偿 · 衬底背面热接触

温度均匀性控制多区加热器设计

组分均匀性与缺陷密度的关联

高组分梯度区域缺陷密度升高 · 均匀性改善对缺陷的间接影响

组分均匀性缺陷密度的关联

SiGe外延在HBT器件中的应用

基区组分与厚度设计 · 缺陷对电流增益的影响

SiGe外延在CMOS中的应用

源漏应变工程 · 沟道应变SiGe · 缺陷对迁移率的影响

SiGe外延在光电器件中的应用

SiGe光电探测器 · 波导集成 · 缺陷对暗电流的影响

工艺参数优化案例

面向特定器件（如HBT）的组分均匀性…

工艺参数优化案例HBT

未来发展趋势

低温外延 · 原子层沉积（ALD）外延 · 机器学习辅助工艺优化

未来发展趋势低温外延