VIP20
本课程属于：027-芯片制造工艺 半导体工艺与制造设备 · 共 20 门相关课程，组合学习更完整。
查看所属VIP全部课程 →
← 返回所属目录 咨询 / 购买

光刻机台对准精度与套刻误差日常调试与校正方法

共计 30 章节
点击此处阅读海量试读课程：100+行业、1000+细分领域
01
光刻对准基础
对准标记类型（Box-in-Box · Frame-in-Frame · MMA）
光刻对准基础Box-in-Box
02
套刻误差定义
套刻精度（Overlay）的物理意义 · 矢量图表示法 · TIS（工具诱导偏移）概念
套刻误差定义Overlay
03
日常调试流程
晨检（Morning Check）流… · 基线（Baseline）建立 · 参考晶圆（Reference Waf…
日常调试流程Morning
04
对准系统校准
WGA（晶圆全局对准）校准 · EGA（增强全局对准）参数优化
对准系统校准WGA
05
套刻误差测量
Archer / KLA 套刻测量机… · 测量Recipe建立与验证
套刻误差测量Archer
06
误差源分析
光刻机台误差（Stage · Lens · Reticle）
误差源分析Stage
07
TIS校正方法
TIS（工具诱导偏移）测量与补偿 · TIS3校正流程
TIS校正方法
08
高阶对准模型
线性模型（Tx · Ty · Rz
高阶对准模型Tx
09
套刻误差反馈
Run-to-Run（R2R）控制原… · APC（先进过程控制）系统集成
套刻误差反馈Run-to-Run
10
光刻胶与对准
光刻胶厚度 · 折射率对对准信号的影响 · 抗反射层（BARC）优化
光刻胶对准
11
晶圆翘曲补偿
晶圆翘曲（Wafer Warpage… · 动态聚焦与对准补偿策略
晶圆翘曲补偿Wafer
12
掩模版对准
Reticle Alignment… · 掩模版标记（Reticle Mark…
掩模版对准Reticle
13
环境因素控制
温度 · 湿度 · 振动对对准精度的影响
环境因素控制温度
14
套刻误差统计
Mean+3Sigma 计算 · CPK（过程能力指数）评估 · SPC（统计过程控制）图
套刻误差统计Mean+3Sigma
15
异常处理流程
套刻误差超标（OOC/OOS）处理 · 根本原因分析（RCA）方法
异常处理流程OOC/OOS
16
光刻机台匹配
多机台（Multi-Tool）匹配策… · Golden Tool 概念 · 机台间偏差校正
光刻机台匹配Multi-Tool
17
对准传感器维护
对准激光器功率检测 · 传感器清洁与更换周期
对准传感器维护对准激光器功率检…
18
套刻误差与CD关联
CD（关键尺寸）与Overlay的交… · DOF（焦深）与对准
CD套刻误差
19
先进节点挑战
7nm/5nm节点对准要求 · EUV光刻对准特殊性
先进节点挑战nm/5nm
20
双工件台对准
TWINSCAN 双工件台（Dual… · 交换精度（Swap Accuracy…
双工件台对准TWINSCAN
21
对准标记设计
标记尺寸 · 形状 · 材料对信号强度的影响
对准标记设计标记尺寸
22
套刻误差分解
Grid · Field · Intra-field 误差分解方法
套刻误差分解Grid
23
光刻胶显影影响
显影液温度 · 时间对标记形貌的影响 · 显影后对准信号变化
光刻胶显影影响显影液温度
24
膜层应力补偿
多层膜应力导致的晶圆变形 · 应力补偿模型
膜层应力补偿多层膜应力导致的…
25
对准算法优化
归一化互相关（NCC）算法 · 相位相关算法 · 机器学习对准
对准算法优化NCC
26
套刻误差模拟
Lithography Simula…
套刻误差模拟Lithography
27
日常校正记录
日志记录规范 · 数据追溯系统 · MES（制造执行系统）集成
日常校正记录日志记录规范
28
安全与规范
激光安全等级 · 操作规范 · ESD（静电放电）防护
安全规范
29
故障诊断案例
典型对准失败案例（信号弱 · 多峰 · 漂移）分析与解决
故障诊断案例典型对准失败案例
30
未来趋势
自对准（Self-Alignment… · AI辅助对准 · 数字孪生（Digital Twin）…
未来趋势Self-Alignme…